맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

광 검출소자 및 그것의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015125943
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시예는 열수법(hydrothermal)을 사용하여 기판 위에 제1도전형의 산화아연 나노 와이어를 형성하는 단계 및 상기 제1도전형의 산화아연 나노 와이어 표면에 원자층 증착법을 사용하여 제2도전형의 산화아연 박막을 형성하는 단계를 포함하는 광 검출소자 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 27/14 (2006.01) H01L 31/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01)
출원번호/일자 1020110046789 (2011.05.18)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0128873 (2012.11.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.18)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울특별시 영등포구
2 강혜민 대한민국 전라남도 여수시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0369720-25
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0990215-80
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0005850-14
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0473720-79
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0675681-68
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
열수법(hydrothermal)을 사용하여 기판 위에 제1도전형의 산화아연 나노 와이어를 형성하는 단계; 그리고상기 제1도전형의 산화아연 나노 와이어 위에 원자층 증착법을 사용하여 제2도전형의 산화아연 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 광 검출소자 제조방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 원자층 증착법을 사용하여 제2도전형의 산화아연 박막을 형성하는 단계는, 상기 제1도전형의 산화아연 나노 와이어 위에 아연 원으로 디에틸아연을 공급하는 단계; 그리고질소원으로 암모니아수를 공급하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 검출소자 제조방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 질소원으로 암모니아수를 공급하는 단계는 10% 내지 15% 농도의 암모니아수를 사용하는 것을 특징으로 하는 광 검출소자 제조방법
4 4
제2 항에 있어서,상기 원자층 증착법을 사용하여 제2도전형의 산화아연 박막을 형성하는 단계는 상기 기판을 100℃ 내지 150℃로 유지시키는 것을 특징으로 하는 광 검출소자 제조방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 열수법을 사용하여 기판 위에 제1도전형의 산화아연 나노 와이어를 형성하는 단계는 반응물로 Zn(NO3)2 및 HMTA(hexamethylene tetraamine)를 사용하여 90℃ 내지 95℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 광 검출소자 제조방법
6 6
제5 항에 있어서,상기 HMTA(hexamethylene tetraamine)는 0
7 7
제1 항에 있어서,상기 제2도전형의 산화아연 박막 위에 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 전극을 형성하는 물질은 p형 산화아연 보다 일함수 값이 더 큰 금속인 것을 특징으로 하는 광 검출소자 제조방법
8 8
제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1도전형의 산화아연은 n형 산화아연이고, 상기 제2도전형의 산화아연은 p형 산화아연인 것을 특징으로 하는 광 검출소자 제조방법
9 9
기판 위에 원자층 증착법을 사용하여 형성되는 제1도전형의 산화아연 박막;상기 제1도전형의 산화아연 박막 위에 열수법을 사용하여 형성되는 제1도전형의 산화아연 나노 와이어; 그리고상기 제1도전형의 산화아연 나노 와이어 위에 원자층 증착법을 사용하여 형성되는 제2도전형의 산화아연 박막;을 포함하는 광 검출소자
10 10
제9 항에 있어서,상기 제1도전형의 산화아연은 n형 산화아연이고, 상기 제2도전형의 산화아연은 p형 산화아연인 것을 특징으로 하는 광 검출소자
11 11
열수법(hydrothermal)을 사용하여 기판 위에 제1도전형의 산화물 반도체 나노 와이어를 형성하는 단계; 그리고상기 제1도전형의 산화물 반도체 나노 와이어 위에 원자층 증착법을 사용하여 제2도전형의 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 광 검출소자 제조방법
12 12
제11 항에 있어서,상기 산화물 반도체는 산화주석 또는 산화아연인 것을 특징으로 하는 광 검출소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 일반연구자지원(기본연구) 롤투롤 원자층 증착 공정을 이용한 유연 소자용 고성능 투명 산화막 연구 (2/3)
2 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 신기술융합형 성장동력사업 ALD기반 그래핀 FET 및 solid-state device 응용 연구 (1/3,3-5 차년도 참여)
3 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 미래기반기술개발사업(나노분야) 원자층 증착법을 이용한 반도체 나노선 어레이의 특성 향상과 고효율 소자에의 응용 (2/3)
4 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(핵심연구사업) 테라헤르츠 기반 초민감 다중 분자 검지 시스템 (1/3)