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가변 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법

기술번호 : KST2015126160
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 가변 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 복수의 메모리 셀들의 어레이를 포함하는 가변 저항 메모리 소자가 제공된다. 상기 복수의 메모리 셀들 각각은, 제 1 및 제 2 전극들; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극들 사이에 배치되는 SbmSen 재료막을 포함하며, 상기 SbmSen 재료막은, 복수의 Sb 원자들과 복수의 Se 원자들이 서로 접촉하는 상분리 구조를 포함한다
Int. CL	H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC	H01L 45/065(2013.01) H01L 45/065(2013.01) H01L 45/065(2013.01) H01L 45/065(2013.01) H01L 45/065(2013.01) H01L 45/065(2013.01) H01L 45/065(2013.01) H01L 45/065(2013.01)
출원번호/일자	1020110128695 (2011.12.03)
출원인	에스케이하이닉스 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2013-0062211 (2013.06.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	취하
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	에스케이하이닉스 주식회사	대한민국	경기도 이천시
2	연세대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 서대문구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	조만호	대한민국	서울특별시 용산구
2	백주혁	대한민국	서울특별시 양천구
3	김태현	대한민국	서울특별시 서대문구
4	최혜진	대한민국	경기도 부천시 오정구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김권석	대한민국	서울특별시 서초구 논현로*, B동 층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.12.03	수리 (Accepted)	1-1-2011-0961963-33
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2011-5252006-10
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.04.06	수리 (Accepted)	4-1-2012-5073964-60
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2012-5270171-92
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5062749-37
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.06.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5088566-87
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.09.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5114224-78
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2015-5055330-26

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 복수의 메모리 셀들의 어레이를 포함하는 가변 저항 메모리 소자로서, 상기 복수의 메모리 셀들 각각은, 제 1 및 제 2 전극들; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극들 사이에 배치되는 SbmSen 재료막을 포함하며,상기 SbmSen 재료막은, 복수의 Sb 원자들과 복수의 Se 원자들이 서로 접촉하는 상분리 구조를 포함하는 가변 저항 메모리 소자
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 SbmSen 재료막의 화학양론 m : n은 m = n 또는 m 003e# n 을 만족하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 SbmSen 재료막의 화학양론 m : n은 m = n 을 만족하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 메모리 셀들의 어레이에 셋(set) 및 리셋(reset) 펄스를 인가하는 프로그래밍 모드를 가지며, 상기 SbmSen 재료막 내부에 Sb4Se4 단사정계 결정 구조를 형성하기 위한 제 1 셋 펄스를 인가하는 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자
5	5 제 4 항에 있어서,상기 회로는, 상기 SbmSen 재료막 내부에 Sb2Se3 사방정계(orthorhombic) 구조를 형성하기 위한 제 2 셋 펄스를 인가하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자
6	6 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 셋 펄스는 상기 SbmSen 재료막을 170 ℃ 내지 280 ℃ 범위 내로 가열하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 Sb 원자들 및 상기 복수의 Se 원자들 중 적어도 어느 하나는 층 구조를 갖는 것을 특징으로 가변 저항 메모리 소자
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 복수의 Sb 원자들 및 상기 복수의 Se 원자들은 각각 제 1 및 제 2 층 구조를 가지며, 상기 제 1 및 제 2 층 구조들은 서로 교번하여 반복 적층되는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자
9	9 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 Sb 원자들은 Sb 삼방정계 (trigonal) 응집(segregation) 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자
10	10 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극들 중 어느 하나의 전극과 상기 SbmSen 재료막 사이에 제 2 상변화 재료막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자
11	11 제 10 항에 있어서, 상기 제 2 상변화 재료막은 Ge2Sb2Te5, In0
12	12 복수의 메모리 셀들의 어레이를 포함하는 가변 저항 메모리 소자로서, 상기 복수의 메모리 셀들 각각은, 제 1 및 제 2 전극들; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극들 사이에 배치되는 SbmSen 재료막을 포함하며, 상기 SbmSen 재료막 내에 제 1 셋 펄스를 인가하여 생성되는 Sb4Se4 단사정계 결정 구조에 의한 제 1 저항값에 제 1 비트 정보를 할당하는 가변 저항 메모리 소자
13	13 제 12 항에 있어서,상기 상기 SbmSen 재료막 내에 제 2 셋 펄스를 인가하여 생성되는 Sb2Se3 사방정계 결정 구조에 의한 제 2 저항값에 제 2 비트 정보를 할당하는 가변 저항 메모리 소자
14	14 제 12 항에 있어서,제 1 및 제 2 전극들 중 어느 하나의 전극과 상기 SbmSen 재료막 사이에 제 2 상변화 재료막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자
15	15 제 14 항에 있어서, 상기 제 2 상변화 재료막은 Ge2Sb2Te5, In0
16	16 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 SbmSen 재료막을 형성하는 단계; 및상기 SbmSen 재료막 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 SbmSen 재료막은 복수의 Sb 원자들과 복수의 Se 원자들이 서로 접촉하는 상분리 구조를 포함하는 가변 저항 메모리 소자의 제조 방법
17	17 제 16 항에 있어서, 상기 SbmSen 재료막을 형성하는 단계는, 상기 복수의 Sb 원자들의 제 1 층, 및 상기 복수의 Se 원자들의 제 2 층을 교번시켜 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자의 제조 방법
18	18 제 16 항에 있어서, 상기 SbmSen 재료막의 화학양론 m : n은 m = n 또는 m 003e# n 을 만족하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자의 제조 방법
19	19 제 16 항에 있어서, 상기 SbmSen 재료막의 화학양론 m : n은 m = n 을 만족하는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자의 제조 방법
20	20 제 16 항에 있어서, 상기 SbmSen 재료막을 형성하는 단계는, 이퓨전 셀, 분자빔 에피택시 및 원자층 증착법 중 어느 하나 또는 이들의 조합에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 소자의 제조 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US09070478	US	미국	FAMILY
2	US20130141967	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2013141967	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US9070478	US	미국	DOCDBFAMILY

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.12.03	수리 (Accepted)	1-1-2011-0961963-33
2	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2011-5252006-10
3	출원인정보변경(경정)신고서	2012.04.06	수리 (Accepted)	4-1-2012-5073964-60
4	출원인정보변경(경정)신고서	2012.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2012-5270171-92
5	출원인정보변경(경정)신고서	2013.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5062749-37
6	출원인정보변경(경정)신고서	2013.06.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5088566-87
7	출원인정보변경(경정)신고서	2014.09.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5114224-78
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2015-5055330-26

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