맞춤기술찾기

이전대상기술

신축 가능한 전도성 패턴 형성용 조성물, 이를 이용한 신축 가능한 전도성 패턴의 제조방법 및 신축 가능한 전도성 전극을 포함하는 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015126265
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 측면에 따라 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법을 개시한다. 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법은 베이스 기재를 형성하는 단계; 상기 베이스 기재 위에 산(peak)과 골(valley)을 포함하는 물결무늬를 갖는 일정한 간격의 복수의 트렌치 라인을 형성하는 단계; 상기 트렌치 라인 내에 고분자-금속 전구체 혼합물을 채워서 고분자-금속 전구체 혼합물 패턴을 형성하는 단계; 상기 고분자-금속 전구체 혼합물을 고분자 겔-금속 나노입자 복합체로 변환시켜서 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 베이스 기재 내의 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 엑셉터 기재 위로 1차 전사하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01B 1/22 (2006.01) H05K 3/12 (2006.01) H01L 21/283 (2006.01)
CPC H01L 21/283(2013.01) H01L 21/283(2013.01) H01L 21/283(2013.01) H01L 21/283(2013.01) H01L 21/283(2013.01) H01L 21/283(2013.01) H01L 21/283(2013.01)
출원번호/일자 1020110061805 (2011.06.24)
출원인 삼성전자주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0124346 (2012.11.13) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110042115   |   2011.05.03
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.18)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 허재현 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 박종진 대한민국 경기도 화성시
3 임규현 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 정운룡 대한민국 서울특별시 서대문구
5 박민우 대한민국 서울특별시 서대문구
6 현동춘 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0483877-25
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0478062-08
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0818000-45
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0051827-40
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0051826-05
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0338171-42
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0589443-39
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.06.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0589444-85
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0483781-40
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0925053-29
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0925052-84
17 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0886850-99
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
베이스 기재를 형성하는 단계;상기 베이스 기재 위에 산(peak)과 골(valley)을 포함하는 물결무늬를 갖는 일정한 간격의 복수의 트렌치 라인을 형성하는 단계;상기 트렌치 라인 내에 고분자-금속 전구체 혼합물을 채워서 고분자-금속 전구체 혼합물 패턴을 형성하는 단계;상기 고분자-금속 전구체 혼합물 패턴의 상기 고분자-금속 전구체 혼합물을 고분자 겔-금속 나노입자 복합체로 변환시켜서 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 형성하는 단계; 및상기 베이스 기재 내의 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 엑셉터 기재 위로 1차 전사하는 단계를 포함하고,상기 베이스 기재를 형성하는 단계는열 또는 신축에 의하여 변형될 수 있고 탄성을 갖는 제1 고분자 기재를 제공하는 단계; 및 상기 제1 고분자 기재 위에 열 또는 신축에 의하여 변형될 수 있고 탄성을 가지며, 상기 제1 고분자 기재의 물질과 인장에 대한 탄성 계수(elastic modulus) 또는 열팽창 계수가 다른 제1 고분자층을 형성하는 단계;를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법
8 8
삭제
9 9
제7 항에 있어서, 상기 베이스 기재 위에 상기 물결무늬의 상기 복수의 트렌치 라인을 형성하는 단계는 상기 베이스 기재를 제1축 방향으로 인장하고 완화시킨 후 상기 제1축과 수직인 제2축 방향으로 인장하고 완화시키는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법
10 10
제7 항에 있어서, 상기 물결무늬의 상기 복수의 트렌치 라인은 동일한 간격을 이루는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법
11 11
제10 항에 있어서, 상기 트렌치 라인은 제1방향으로 신장하고, 상기 트렌치 라인의 상기 산은 인접한 상기 트렌치 라인의 상기 산과 나란하고, 상기 트렌치 라인의 상기 골은 인접한 상기 트렌치 라인의 상기 골과 나란한 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법
12 12
제7 항에 있어서, 상기 베이스 기재 위에 상기 물결무늬의 상기 복수의 트렌치 라인을 형성하는 단계는 상기 베이스 기재의 온도를 80-100℃ 까지 올린 후 상온으로 되돌리는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법
13 13
제7 항에 있어서, 상기 트렌치 라인 내에 고분자-금속 전구체 혼합물을 채우는 단계는 광경화 또는 열경화에 의하여 겔을 형성하는 고분자, 금속 전구체 및 용매를 포함하는 고분자-금속 전구체 조성물을 상기 트렌치 라인이 형성된 상기 베이스 기재 위에 코팅하는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법
14 14
제7 항에 있어서, 상기 고분자-금속 전구체 혼합물의 상기 고분자는 PEG-DA, PS-PEO-PS 또는 POB-PEO를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법
15 15
제7 항에 있어서, 상기 금속 전구체는 AgCF3COOH, AgNO3, HAuCl4, CuCl2, PtCl2 또는 PtCl4을 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법
16 16
제7 항에 있어서, 상기 고분자-금속 전구체 혼합물을 고분자 겔-금속 나노입자 복합체로 변환시키는 단계는 상기 고분자를 겔 상태로 경화시키는 단계 및 상기 고분자-금속 전구체 혼합물의 상기 금속 전구체를 환원시키는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법
17 17
제16 항에 있어서, 상기 고분자-금속 전구체 혼합물의 상기 금속 전구체를 환원시키는 단계는 상기 고분자-금속 전구체 혼합물을 히드라진(N2H4) 또는 붕수소나트륨(NaBH4)에 처리하는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법
18 18
제16 항에 있어서, 상기 고분자를 겔 상태로 경화시키는 단계는 고분자-금속 전구체 혼합물을 UV 조사 또는 열처리하는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법
19 19
제7 항에 있어서, 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 전사하는 단계는 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴의 전사 전에 상기 엑셉터 기재를 UV 경화가능한 표면을 갖도록 표면처리하는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법
20 20
제7 항에 있어서, 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 엑셉터 기재 위로 1차 전사하는 단계는 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴이 형성된 상기 베이스 기재를 상기 엑셉터 기재 위에 얼라인하는 단계;상기 엑셉터 기재 위에 얼라인된 상기 베이스 기재를 상기 엑셉터 기재에 대하여 밀착하고, UV 조사하여 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴과 상기 엑셉터 기재 사이에 가교 결합을 형성하는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법
21 21
제7 항에 있어서, 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 상기 엑셉터 기재 위로 1차로 전사한 후 상기 1차로 전사된 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴의 방향과 다른 방향으로 상기 고분자 겔-금속 나노입자 복합체 패턴을 상기 엑셉터 기재 위로 2차로 전사하는 단계를 포함하는 신축 가능한 전도성 패턴의 형성 방법
22 22
삭제
23 23
삭제
24 24
삭제
25 25
삭제
26 26
삭제
27 27
삭제
28 28
삭제
29 29
삭제
30 30
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20120279762 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.