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하기 화학식 1의 비스무트-안티모니 소재를 포함하는 저항 메모리 소자:[화학식 1]Bi1-xSbx상기 식에서 x는 0
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제1항에 있어서,상기 저항 메모리 소자는 양극성 스위칭 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 비스무트-안티모니 소재는 나노선 또는 박막 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자
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제3항에 있어서,상기 나노선의 직경은 10 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자
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제1항에 있어서,기판;상기 기판 상부에 형성되는 비스무트-안티모니 소재; 및상기 기판 상부에 형성되고, 비스무트-안티모니 소재를 연결하는 복수의 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자
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6
제1항에 있어서,기판;상기 기판 상부에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상부에 형성되는 비스무트-안티모니 소재; 및상기 비스무트-안티모니 소재 상부에 형성되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자
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제5항 또는 제6항에 있어서,상기 비스무트-안티모니 소재는 단일 나노선으로 구성되거나,복수의 나노선을 포함하는 나노선 어레이로 구성되는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자
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8
제5항 또는 제6항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 폴리이미드 필름 또는 폴리에스테르 필름인 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자
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9
제5항 또는 제6항에 있어서,상기 전극은 각각 독립적으로 Au, Pt 및 Ti로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자
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10
기판 상에 하기 화학식 1의 비스무트-안티모니 소재를 형성하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자의 제조방법:[화학식 1]Bi1-xSbx상기 식에서 x는 0
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11
제10항에 있어서,상기 비스무트-안티모니 소재는 비스무트 전구체 및 안티모니 전구체를 이용하여 전기도금을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 비스무트 전구체는 Bi(NO3)3, Bi(NO3)3·5H2O, BiNBO4, Bi2VO5, BiR12(R12NCH2R2), BiBr3, BiCl3, BiF3, Bi2(Al2O4)3·xH2O, Bi(OCOC(CH3)2(CH2)5CH3)3, Bi(O)NO3, Bi5O(OH)9(NO3)4, (CH3CO2)3Bi, (BiO)2CO3, [O2CCH2C(OH)(CO2)CH2CO2]Bi, C7H5BiO6·xH2O, BiI3, Bi2(MoO4)3, Bi2O3, BiClO, BiIO, BiO4P, HOC6H4COOBiO로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상이며, 상기 x는 1 내지 20이고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알킬렌기, 아릴기 또는 아릴렌기인 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자의 제조방법
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13
제11항에 있어서,상기 안티모니 전구체는 SbCl3, SbCl5, Sb(NO3)3, Sb(NO3)3·5H2O, SbBr3, SbF3, Sb2(Al2O4)3·xH2O, Sb(OCOC(CH3)2(CH2)5CH3)3, Sb(O)NO3, Sb5O(OH)9(NO3)4, (CH3CO2)3Sb, (SbO)2CO3, [O2CCH2C(OH)(CO2)CH2CO2]Sb, C7H5SbO6·xH2O, SbI3, SbI4, Sb2(MoO4)3, Sb2O3, SbClO, SbIO, SbO4P, HOC6H4COOSb, Sb(R3)3, Sb[N(R4)2]3으로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상이며, 상기 x는 1 내지 20이고, R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알킬렌기, 아릴기 또는 아릴렌기인 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 비스무트-안티모니 소재는 양극 산화를 통해 형성된 다공성 알루미늄 산화물을 주형으로 이용하여 나노선 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 소자의 제조방법
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