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적층 구조를 갖는 저항 스위칭 메모리 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015126821
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 적층 구조의 메모리층을 갖는 저항 스위칭 메모리 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 저항 스위칭 메모리는, 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성된 메모리층; 및 상기 메모리층 상에 형성된 제 2 전극;을 포함하며, 상기 메모리층은 제 1 메모리층 및 제 2 메모리층을 포함하고, 상기 제 1 메모리층과 상기 제 2 메모리층의 산소 함량이 서로 다를 수 있다.
Int. CL	H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) H01L 29/02 (2006.01)
CPC	H01L 27/11507(2013.01)
출원번호/일자	1020140120810 (2014.09.12)
출원인	연세대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1512728-0000 (2015.04.10)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20150423) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2014.09.12)
심사청구항수	13

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	연세대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 서대문구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김현재	대한민국	서울특별시 송파구
2	박성표	대한민국	서울특별시 서대문구
3	윤두현	대한민국	서울특별시 서초구
4	탁영준	대한민국	서울특별시 서대문구
5	이희수	대한민국	서울특별시 성북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	권혁수	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 **, 층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2	송윤호	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	연세대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 서대문구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2014.09.12	수리 (Accepted)	1-1-2014-0864136-18
2	[우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2014.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2014-1230563-76
3	[우선심사신청]선행기술조사의뢰서 [Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search	2014.12.22	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	[우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search	2015.01.06	수리 (Accepted)	9-1-2015-0000360-96
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2015.01.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0041280-29
6	[대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)	2015.01.20	수리 (Accepted)	1-1-2015-0060422-60
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2015.03.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0271125-08
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2015.03.19	수리 (Accepted)	1-1-2015-0271122-61
9	등록결정서 Decision to grant	2015.03.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0215463-69

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성된 메모리요소; 및상기 메모리요소 상에 형성된 제 2 전극;을 포함하며,상기 메모리요소는 제 1 메모리층 및 제 2 메모리층을 포함하고,상기 제 1 메모리층과 상기 제 2 메모리층의 산소 함량이 서로 다르고,상기 메모리요소의 각 메모리층의 물질은 갈륨 아연 산화물이며,상기 갈륨 아연 산화물은 갈륨과 아연을 1:6 내지 6:1의 몰 비율로 함유하는 저항 스위칭 메모리
2	2 제 1 항에 있어서,상기 제 2 메모리층의 산소 함량이 상기 제 1 메모리층의 산소 함량보다 더 높고, 상기 제 1 메모리층은 상기 제 2 메모리층보다 두께가 더 두껍거나 같은 저항 스위칭 메모리
3	3 제 1 항에 있어서,상기 제 2 메모리층의 산소 함량이 상기 제 1 메모리층의 산소 함량보다 더 높고,상기 메모리요소는 상기 제 1 메모리층과 동일한 산소 함량을 갖는 제 3 메모리층을 더 포함하며,상기 제 2 메모리층이 상기 제 1 메모리층과 상기 제 3 메모리층 사이에 위치하는 저항 스위칭 메모리
4	4 제 3 항에 있어서,상기 제 1 메모리층 및 상기 제 3 메모리층은 상기 제 2 메모리층보다 두께가 더 두껍거나 같은 저항 스위칭 메모리
5	5 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메모리층의 물질은 금속산화물, 페로브스카이트 구조의 산화물, 칼코게나이드 화합물 또는 이들의 조합인 저항 스위칭 메모리
6	6 제 5 항에 있어서,상기 제 1 전극은 실리콘 기판을 포함하는 저항 스위칭 메모리
7	7 제 6 항에 있어서,상기 제 2 전극은 Al, TaN, Ta, Ti, TiN, Pt, Mo, Ag, Au, ITO, Ru 또는 이들의 조합을 포함하는 저항 스위칭 메모리
8	8 삭제
9	9 삭제
10	10 제 1 전극을 제공하는 단계;제 1 전극 위에 메모리요소를 형성하는 단계; 및상기 메모리요소 위에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 메모리요소를 형성하는 단계는,산소 함량이 서로 다른 제 1 메모리층 및 제 2 메모리층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 메모리요소를 형성하는 단계는;상기 제 2 메모리층의 산소 함량을 상기 제 1 메모리층의 산소 함량보다 더 높게, 그리고 상기 제 1 메모리층을 상기 제 2 메모리층보다 두께가 더 두껍거나 같게 형성하고,상기 제 1 메모리층은 제 1 금속 산화물 용액을 도포하여 형성하고,상기 제 2 메모리층은 상기 제 1 금속 산화물 용액과 과산화수소를 포함한 제 2 금속 산화물 용액을 도포하여 형성하는 저항 스위칭 메모리 제조 방법
11	11 삭제
12	12 삭제
13	13 삭제
14	14 삭제
15	15 제 1 전극을 제공하는 단계;제 1 전극 위에 메모리요소를 형성하는 단계; 및상기 메모리요소 위에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 메모리요소를 형성하는 단계는,산소 함량이 서로 다른 제 1 메모리층 및 제 2 메모리층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제 2 메모리층의 산소 함량을 상기 제 1 메모리층의 산소 함량보다 더 높게 형성하고,상기 제 1 메모리층과 동일한 산소 함량을 갖는 제 3 메모리층을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 제 2 메모리층은 상기 제 1 메모리층 및 상기 제 3 메모리층 사이에 위치하도록 형성하고,상기 제 1 메모리층 및 상기 제 3 메모리층의 두께를 상기 제 2 메모리층의 두께보다 더 두껍거나 같게 형성하며,상기 제 1 메모리층 및 상기 제 3 메모리층은 제 1 금속 산화물 용액을 도포하여 형성하고,상기 제 2 메모리층은 상기 제 1 금속 산화물 용액과 과산화수소를 포함한 제 2 금속 산화물 용액을 도포하여 형성하는 저항 스위칭 메모리 제조 방법
16	16 제 10 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 제 2 금속 산화물 용액은 상기 제 1 금속 산화물 용액 10ml 당 과산화수소 0
17	17 제 10 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 제 1 금속 산화물 용액은 갈륨 아세테이트 하이드레이트 금속 전구체와 아연 아세테이트 디하이드레이트 금속 전구체를 포함하는 저항 스위칭 메모리 제조 방법
18	18 삭제
19	19 제 10 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 제 1 전극을 제공하는 단계는, 실리콘 기판을 제공하고 상기 실리콘 기판에 불순물을 주입하여 도핑하는 단계를 포함하는 저항 스위칭 메모리 제조 방법
20	20 제 19 항에 있어서,상기 제 2 전극은 Al, TaN, Ta, Ti, TiN, Pt, Mo, Ag, Au, ITO, Ru 또는 이들의 조합을 포함하는 저항 스위칭 메모리 제조 방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부한국연구재단	연세대학교 산학협력단	자지원사업(도약연구사업)	Printed Lab-on-a-Flex (LOF) 구현을위한 all-in-one 무기인쇄소재개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1512728-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20140912 출원 번호 : 1020140120810 공고 연월일 : 20150423 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150331 청구범위의 항수 : 13 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 적층 구조를 갖는 저항 스위칭 메모리 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	276,000 원	2015년 04월 13일	납입
제 4 년분	금 액	163,000 원	2018년 04월 06일	납입
제 5 년분	금 액	163,000 원	2019년 04월 08일	납입
제 6 년분	금 액	167,890 원	2020년 05월 11일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2014.09.12	수리 (Accepted)	1-1-2014-0864136-18
2	[우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서	2014.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2014-1230563-76
3	[우선심사신청]선행기술조사의뢰서	2014.12.22	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	[우선심사신청]선행기술조사보고서	2015.01.06	수리 (Accepted)	9-1-2015-0000360-96
5	의견제출통지서	2015.01.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0041280-29
6	[대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2015.01.20	수리 (Accepted)	1-1-2015-0060422-60
7	[명세서등 보정]보정서	2015.03.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0271125-08
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2015.03.19	수리 (Accepted)	1-1-2015-0271122-61
9	등록결정서	2015.03.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0215463-69

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