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반도체성 잉크 조성물, 반도체성 산화물 박막, 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015127742
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 졸겔법을 이용한 반도체성 아연-주석-갈륨 산화물 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 갈륨 전구체, 아연 전구체, 주석 전구체를 포함하는 금속염과, 상기 금속염을 용해시키는 유기 용매를 포함하며, 상기 금속염에서 아연 전구체, 주석 전구체, 갈륨 전구체의 전체 몰수를 100이라 할 때 아연 전구체가 40 ~ 70몰, 주석 전구체가 10 ~ 50몰, 갈륨 전구체가 0 초과 ~ 20몰이고, 상기 금속염의 농도는 0.1 ~ 1 mol/L 인 것을 특징으로 하는 반도체성 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명의 조성물은 인쇄 방식으로 박막을 형성하여 트랜지스터의 활성층 등으로 이용될 수 있으며, 형성된 산화물 박막은 인가 전압에 대해서도 문턱 전압이 변화되지 않는 우수한 안정성 및 재현성을 확보할 수 있다. 반도체성 잉크, 산화물 반도체, 트랜지스터, 소자 안정성
Int. CL H01B 1/22 (2014.01) C09D 11/52 (2014.01)
CPC C09D 11/52(2013.01) C09D 11/52(2013.01) C09D 11/52(2013.01)
출원번호/일자 1020080091075 (2008.09.17)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1025701-0000 (2011.03.22)
공개번호/일자 10-2010-0032098 (2010.03.25) 문서열기
공고번호/일자 (20110330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.17)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문주호 대한민국 서울 서대문구
2 정영민 대한민국 인천광역시 서구
3 김동조 대한민국 경기 수원시 장안구
4 송근규 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이익배 대한민국 제주특별자치도 서귀포시 서호남로 **, ***동 ***호 (서호동)(세광특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0654214-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0014574-24
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0431974-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.10.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0649794-48
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0649804-17
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0145394-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
갈륨 전구체, 아연 전구체, 주석 전구체를 포함하는 금속염과, 상기 금속염을 용해시키는 유기 용매를 포함하며, 상기 금속염에서 아연 전구체, 주석 전구체, 갈륨 전구체의 전체 몰수를 100이라 할 때 아연 전구체가 40 ~ 70몰, 주석 전구체가 10 ~ 50몰, 갈륨 전구체가 0 초과 ~ 20몰이고, 상기 금속염의 농도는 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속염의 용해도를 증가시키는 안정화제로서 아세틸아세톤, 에탄올아민, 아세트산 중에서 선택되는 어느 하나의 물질을 더 포함하는 반도체성 잉크 조성물
3 3
제2항에 있어서, 상기 안정화제의 함량은 금속염 함량 100 중량부를 기준으로 20 ~ 100 중량부인 것을 특징으로 하는 반도체성 잉크 조성물
4 4
제1항에 있어서, 상기 조성물의 균일한 성막을 위하여 포름아마이드를 더 포함하는 반도체성 잉크 조성물
5 5
제4항에 있어서, 균일한 성막을 위하여 첨가되는 포름아마이드는 전체 용액의 100중량부를 기준으로 6중량부로 포함되는 반도체성 잉크 조성물
6 6
제1항에 있어서, 금속염의 용해도 증가 및 솔-젤 용액의 보관안정성 향상을 위하여 아세트산을 더 포함하는 반도체성 잉크 조성물
7 7
제6항에 있어서, 상기 아세트산은 전체 용액 100중량부를 기준으로 10중량부로 포함되는 반도체성 잉크 조성물
8 8
갈륨 전구체, 아연 전구체, 주석 전구체를 포함하는 금속염과, 상기 금속염을 용해시키는 유기 용매를 포함하며, 상기 금속염에서 아연 전구체, 주석 전구체, 갈륨 전구체의 전체 몰수를 100이라 할 때 아연 전구체가 40 ~ 70몰, 주석 전구체가 10 ~ 50몰, 갈륨 전구체가 0 초과 ~ 20몰이고, 상기 금속염의 농도는 0
9 9
갈륨 전구체, 아연 전구체, 주석 전구체를 포함하는 금속염과, 상기 금속염을 용해시키는 유기 용매를 포함하며, 상기 금속염에서 아연 전구체, 주석 전구체, 갈륨 전구체의 전체 몰수를 100이라 할 때 아연 전구체가 40 ~ 70몰, 주석 전구체가 10 ~ 50몰, 갈륨 전구체가 0 초과 ~ 20몰이고, 상기 금속염의 농도는 0
10 10
제9항에 있어서, 상기 열처리는 500℃ 공기 분위기에서 어닐링하는 단계와, 200℃ 수소 혹은 진공분위기에서 어닐링하는 단계를 포함하는 반도체성 산화물 박막 제조 방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 도포 단계는 잉크젯프린팅, 디스펜싱, 스핀코팅, 나노임프린팅, 그라비아 프린팅, 또는 오프셋 프린팅에 의하여 수행되는 반도체성 산화물 박막 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR100960808 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2009119968 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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