맞춤기술찾기

이전대상기술

질화물 발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131271
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 이온을 주입하여 분리층을 형성하고 열처리를 수행하여 분리층에서 기판과 질화물층을 분리함으로써, 엑시머 레이저 등을 이용하여 기판과 질화물층을 분리하여 박막 발광 소자를 제조하는 종래 기술에 비하여, 저비용으로 레이저 리프트 오프 과정의 열손상에 의해서 발생하는 N형 전극 영역에서 ohmic 특성의 열화가 없는 박막 발광 소자를 제조할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 분리층이 형성되는 깊이를 조절함으로써 기판 분리후의 N형 질화물 반도체층의 두께를 조절할 수 있는 효과가 있고, 따라서, N형 질화물 반도체층의 두께를 얇게함으로써 발광 소자 내에서 발생하는 열방출을 용이하게 하는 효과뿐만 아니라 기판에 흡수되는 빛의 양을 감소시켜 발과 소자 전체의 광효율을 향상시키는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 N형 질화물 반도체층의 영역에 따라서 주입되는 이온의 깊이를 일정한 패턴으로 또는 불규칙하게 조절함으로써, 포토 에칭과 같은 별도의 텍스쳐링(texturing) 공정을 수행하지 않고서도, 기판 분리 후에 N형 질화물 반도체층의 표면에 텍스쳐링 효과를 줄 수 있게 되었고, 따라서, 활성층에서 발생한 빛이 표면에서 전반사되어 다시 소자 내부로 유입되는 것을 막아 발광 소자 전체의 광효율을 높이는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/02 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020070039610 (2007.04.24)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0863805-0000 (2008.10.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.24)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기 성남시 분당구
2 김경찬 대한민국 서울시 동대문구
3 임시종 대한민국 서울시 서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김정식 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울 성북구
2 (주)루미온텍 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0307931-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0014509-32
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0158108-63
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.05.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0326514-92
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0326509-63
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0373398-72
9 등록결정서
Decision to grant
2008.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0378626-06
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
(a) 소정의 기판 위에 질화물층을 형성하는 단계;(b) 소정의 이온을 상기 기판을 통해 상기 질화물층에 주입하여 분리층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 질화물층이 형성된 상기 기판을 열처리하여 상기 분리층에서 상기 기판과 상기 질화물층을 분리하는 단계를 포함하고,상기 (b) 단계는상기 분리층이 상기 질화물층의 전체 영역에 걸쳐서 균일하지 않은 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
7 7
(a) 소정의 기판 위에 질화물층을 형성하는 단계;(b) 소정의 이온을 상기 기판을 통해 상기 질화물층에 주입하여 분리층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 질화물층이 형성된 상기 기판을 열처리하여 상기 분리층에서 상기 기판과 상기 질화물층을 분리하는 단계를 포함하고,상기 (b) 단계는이온 주입 조건을 조절하여 상기 분리층이 굴곡을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
8 8
(a) 소정의 기판 위에 질화물층을 형성하는 단계;(b) 소정의 이온을 상기 기판을 통해 상기 질화물층에 주입하여 분리층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 질화물층이 형성된 상기 기판을 열처리하여 상기 분리층에서 상기 기판과 상기 질화물층을 분리하는 단계를 포함하고, 상기 (b) 단계는 상기 분리층이 요철을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
9 9
(a) 소정의 기판 위에 질화물층을 형성하는 단계;(b) 소정의 이온을 상기 기판을 통해 상기 질화물층에 주입하여 분리층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 질화물층이 형성된 상기 기판을 열처리하여 상기 분리층에서 상기 기판과 상기 질화물층을 분리하는 단계를 포함하고,상기 (b) 단계는상기 분리층에서 상기 기판이 분리된 후에 상기 질화물층의 표면에서 텍스쳐링 효과가 나타나도록, 상기 이온이 주입되는 영역에 따라서 상기 질화물층에 이온을 주입하는 주입량, 주입 깊이, 및 주입 에너지 중 어느 하나 이상을 조절하여 상기 이온을 상기 질화물층에 주입하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
10 10
제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,(d) 상기 질화물층에 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
11 11
제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (b) 단계는섀도우 마스크 또는 포토 레지스트를 이용하여 이온을 주입하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학재단 고려대학교 특정기초사업 GaN LED의 신뢰성 및 출력향상을 위한 AI기반고반사 전극구조 연구