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중앙에 돌출부가 형성되고 상기 돌출부의 주변에 소오스 영역 및 드레인 영역이 형성된 반도체 기판위에, 중앙부가 상기 돌출부 위에 형성되고 주변부가 상기 돌출부 아래에 형성되어 상기 중앙부와 상기 주변부가 단차지게 형성된 터널 절연막,상기 중앙부 위에 형성된 상단 영역이 상기 주변부 위에 형성된 하단 영역보다 높도록 상기 터널 절연막 위에 단차지게 형성된 전하 포획층, 및상기 전하 포획층상에 형성된 차단 절연막을 포함하는 메모리층; 및상기 차단 절연막상에 형성된 게이트 전극층을 포함하고,상기 차단 절연막은상기 상단 영역 위에 형성된 가운데 영역이, 상기 하단 영역 위에 형성된 경계 영역보다 높도록 단차지게 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 좌우가 대칭되도록 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 질화막, 고유전상수를 갖는 물질, 및 비정질 폴리 실리콘 물질 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은텅스텐, 몰리브덴, 코발트, 니켈, 백금, 로듐, 팔라듐 및 이리듐으로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 금속 또는 이들의 혼합물 또는 이들의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 실리콘, 게르마늄, 실리콘과 게르마늄의 혼합물, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 반도체 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 4 내지 100 nm 의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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(a) 반도체 기판위에 마스크막 패턴을 형성하고, 상기 마스크막 패턴이 형성되지 않은 영역을 식각하여 돌출부를 형성하는 단계;(b) 중앙부가 상기 돌출부 위에 형성되고 주변부가 상기 돌출부 아래에 형성되어 상기 중앙부와 상기 주변부가 단차지도록 상기 반도체 기판위에 터널 절연막을 형성하는 단계;(c) 상기 중앙부 위에 형성된 상단 영역이 상기 주변부 위에 형성된 하단 영역보다 높도록 전하 포획층을 상기 터널 절연막 위에 단차지게 형성하는 단계;,(d) 상기 전하 포획층상에 차단 절연막을 형성하는 단계;(e) 상기 차단 절연막상에 게이트 전극층을 형성하는 단계; 및(f) 상기 반도체 기판에 소오스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (d) 단계에서상기 차단 절연막은, 상기 상단 영역 위에 형성된 가운데 영역이, 상기 하단 영역 위에 형성된 경계 영역보다 높도록 단차지게 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서상기 전하 포획층은 좌우가 대칭되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서상기 전하 포획층은 질화막, 고유전상수를 갖는 물질, 및 비정질 폴리 실리콘 물질 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서상기 전하 포획층은 텅스텐, 몰리브덴, 코발트, 니켈, 백금, 로듐, 팔라듐 및 이리듐으로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 금속 또는 이들의 혼합물 또는 이들의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서상기 전하 포획층은 실리콘, 게르마늄, 실리콘과 게르마늄의 혼합물, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 반도체 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서상기 전하 포획층은 4 내지 100 nm 의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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