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발광 효율이 향상된 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131388
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광추출 효율이 향상된 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 투명 전극층을 형성할 때, p-GaN층으로부터 공기층까지 복수의 투명 전극층을 형성하고, 각 투명 전극층 내부에 포함되는 입자들의 크기를 조절함으로써, 공기층에 가까워질수록 각 투명 전극층에 포함되는 공극의 양을 점차 증가시켜 각 투명 전극층의 굴절율이 점차 감소하도록 조절하여, 최종적으로 공기층과 접하는 투명 전극층의 굴절율을 공기층의 굴절율과 근접하게 조절함으로써, 활성층에서 발생한 광이 투명 전극층과 공기층의 계면에서 전반사되는 양을 극소화시킴으로써 광추출 효율을 현저히 향상시키는 효과가 있다. 또한, 본 발명은, 종래의 ITO 투명전극을 형성하기 위해 사용되던 스퍼터링(Sputtering) 방식이나 e-beam 증착 방식 대신에 Sol-Gel 방식을 이용하여, 기존의 증착방식이 아닌 합성/코팅 방식으로 투명 전극층을 형성할 수 있다. 따라서, 상대적으로 낮은 온도에서 투명 전극층을 형성하기 때문에 투명 전극층 형성시 p-GaN층이 받는 충격을 경감시켜 p-GaN층과 투명 전극층의 계면의 결함을 줄일 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/42 (2014.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020080003221 (2008.01.10)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1014339-0000 (2011.02.07)
공개번호/일자 10-2009-0077340 (2009.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (20110215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.10)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이병규 대한민국 서울특별시 도봉구
3 신영철 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)
2 김정식 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0022705-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0478841-63
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0037998-12
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0038093-97
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0194774-32
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0437766-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0437761-81
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0506786-65
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.12.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0050717-56
13 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0060037-93
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화물층이 형성된 반도체 기판; 및 각 층간에 서로 다른 크기의 입자들로 구성되고, 동일한 층내에는 동일한 크기의 입자들로 구성되도록 상기 질화물층위에 순차적으로 형성된 복수의 투명 전극층을 포함하고, 상기 복수의 투명 전극층은, 상부의 투명 전극층의 입자의 크기가 상기 질화물층에 더 인접한 하부의 투명 전극층의 입자의 크기보다 더 크도록 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 복수의 투명 전극층은 상부의 투명 전극층에 포함된 공극의 양이 상기 질화물층에 더 인접한 하부의 투명 전극층에 포함된 공극의 양보다 더 많도록 순차적으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자
4 4
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 복수의 투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO) 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자
5 5
(a) 기판에 질화물층을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 질화물층에 각 층간에 서로 다른 크기의 입자들로 구성되고, 동일한 층내에는 동일한 크기의 입자들로 구성되도록 복수의 투명 전극층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하고, 상기 (b) 단계는, 상부의 투명 전극층의 입자의 크기가 상기 질화물층에 더 인접한 하부의 투명 전극층의 입자의 크기보다 더 크도록, sol-gel 방식으로 상기 복수의 투명 전극층을 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상부의 투명 전극층에 포함된 공극의 양이 상기 질화물층에 더 인접한 하부의 투명 전극층에 포함된 공극의 양보다 더 많도록 상기 복수의 투명 전극층을 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 (b1) 상기 질화물층에 투명 전극층 용액을 코팅하고 베이킹하여 하부 투명 전극층을 형성하는 단계; 및 (b2) 상기 하부 투명 전극층을 형성하기 위해서 코팅된 투명 전극층 용액과 서로 다른 수소이온농도(pH)를 갖는 투명 전극층 용액을 상기 하부 투명 전극층위에 코팅하고 베이킹하여 상부 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서, (b3) 상기 (b2) 단계에서 형성된 상부 투명 전극층을 하부 전극층으로하여 상기 (b2) 단계를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 하부에 형성된 투명 전극층에 대해서 상기 (b3) 단계를 복수 회 수행하여, 상기 복수의 투명 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
11 11
제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상부 투명 전극층 형성에 이용되는 투명 전극층 용액은 하부 투명 전극층 형성에 이용된 투명 전극층 용액보다 수소이온농도(pH)가 더 낮은 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
12 12
제 5 항, 및 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO)로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.