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고분자 스탬프 제조 방법 및 이를 이용한 발광다이오드의 광결정 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015131640
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고분자 스탬프 제조 방법 및 이를 이용한 발광다이오드의 광결정 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 발광다이오드의 광결정 패턴 형성 방법은 자외선 투과용 쿼츠 윈도우 상에 투명 러버 지지대를 배치하는 단계; 상기 투명 러버 지지대 상에, 표면에 나노패턴이 형성된 고분자 스탬프 및 발광다이오드 기판을 순차적으로 배치하는 단계; 상기 쿼츠 윈도우의 배면에 자외선을 조사하는 상태에서, 압력을 가하여 상기 고분자 스탬프 표면에 형성된 나노패턴을 상기 발광다이오드 기판 표면에 전사하는 단계; 및 자외선 조사를 중단하고, 상기 발광다이오드 기판과 상기 고분자 스탬프를 분리하는 단계를 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 고분자 스탬프는 유연한 고분자 재질로서 표면에 SAM(Self Assembled Monolayer) 코팅된 이형용 막이 형성되어 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020080125861 (2008.12.11)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1093399-0000 (2011.12.06)
공개번호/일자 10-2010-0067339 (2010.06.21) 문서열기
공고번호/일자 (20111214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울특별시 서초구
2 변경재 대한민국 서울특별시 노원구
3 홍성훈 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0853420-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0405210-38
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428699-12
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0454702-41
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.10.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0678167-11
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0495329-65
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0873739-91
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0873763-87
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0344587-65
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0637983-80
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0637985-71
14 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0705574-95
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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(a) 일면에 패턴이 형성된 고분자 스탬프를 준비하는 단계; (b) 발광 다이오드용 기판 상에 레진을 코팅하는 단계; (c) 상기 고분자 스탬프의 상기 패턴이 형성된 일면과 상기 발광 다이오드용 기판의 상면을 대응시키는 단계; (d) 롤러를 이용하여 상기 고분자 스탬프를 상기 발광 다이오드용 기판에 압착시켜 상기 고분자 스탬프의 상기 패턴에 상기 레진이 충진되도록 하는 단계; (e) 상기 고분자 스탬프를 향하여 자외선을 조사하는 단계; 및 (f) 상기 고분자 스탬프와 상기 발광 다이오드용 기판을 분리시키는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 광결정 패턴 형성 방법
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제14항에 있어서, 상기 레진은 자외선 경화성 레진인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 광결정 패턴 형성 방법
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제14항에 있어서, 상기 고분자 스탬프 상에는 자기조립 단층막 기법을 이용하여 형성되는 이형용 막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 광결정 패턴 형성 방법
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제14항에 있어서, 상기 고분자 스탬프의 재질은 PVC를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 광결정 패턴 형성 방법
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고분자 스탬프의 패턴이 형성된 일면과 상면에 레진이 코팅된 발광 다이오드용 기판의 상면을 대응시키고, 롤러를 이용하여 상기 고분자 스탬프를 상기 발광 다이오드용 기판에 압착시켜 상기 고분자 스탬프의 상기 패턴에 상기 레진이 충진되도록 하며, 상기 고분자 스탬프를 향하여 자외선을 조사함으로써 제조되며, 상기 고분자 스탬프 상에는 자기조립 단층막 기법을 이용하여 형성되는 이형용 막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광결정 패턴이 형성된 발광 다이오드용 기판
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고분자 스탬프의 패턴이 형성된 일면과 상면에 레진이 코팅된 발광 다이오드용 기판의 상면을 대응시키고, 롤러를 이용하여 상기 고분자 스탬프를 상기 발광 다이오드용 기판에 압착시켜 상기 고분자 스탬프의 상기 패턴에 상기 레진이 충진되도록 하며, 상기 고분자 스탬프를 향하여 자외선을 조사함으로써 제조되며, 상기 고분자 스탬프 상에는 자기조립 단층막 기법을 이용하여 형성되는 이형용 막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광결정 패턴이 형성된 발광 다이오드용 기판을 포함하는 발광 다이오드
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1 지식경제부 고려대학교산학협력단 학술진흥(에너지기술분야) 나노 패터닝 기술을 이용한 고효율 LED 소자기술