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반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 방법 및 분석 장치

  • 기술번호 : KST2015131870
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예들은, 나노와이어 반도체 트랜지스터에서 관찰되는 랜덤 텔레그래프 노이즈를 관찰하여, 나노와이어 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석할 수 있는 장치 및 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/14(2013.01) H01L 22/14(2013.01)
출원번호/일자 1020090071711 (2009.08.04)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0013987 (2011.02.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.04)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍병학 대한민국 충청북도 충주시
2 황성우 대한민국 서울특별시 강남구
3 최루리 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0477214-31
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.10.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.11.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0072546-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0152285-89
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0370709-57
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0370708-12
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0696183-34
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.12.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-1046072-39
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-1046070-48
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0054312-93
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 방법에 있어서, 상기 반도체 트랜지스터가 배치된 영역의 온도를 미리 설정된 온도로 조절하는 단계; 상기 반도체 트랜지스터의 드레인-소스 간 전압(Vds) 및 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따른 드레인-소스 간 전류(Ids)를 측정하는 단계; 상기 드레인-소스 간 전류에서 랜덤 텔레그래프 노이즈(random telegraph noise)가 관찰되는 영역을 검출하는 단계; 및 상기 랜덤 텔레그래프 노이즈가 관찰되는 영역에서의 상기 드레인-소스 간 전류(Ids)의 특성에 따라 상기 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 단계를 포함하고, 상기 반도체 트랜지스터는 나노와이어 반도체 트랜지스터인, 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 드레인-소스 간 전류의 특성은, 상기 랜덤 텔레그래프 노이즈에 의한 진폭 변화가 가장 큰 지점에서, 상기 드레인-소스 간 전류의 평균값에 대한 상기 드레인-소스 간 전류의 진폭 변화값(ΔIds)의 비율(ΔIds/Ids)인, 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 미리 설정된 온도는 0K 이상이고 120K 이하인, 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 공정 효용성을 분석하는 단계는, 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터의 수율을 예측하며, 상기 드레인-소스 간 전류의 평균값에 대한 상기 드레인-소스 간 전류의 진폭 변화값(ΔIds)의 비율(ΔIds/Ids)이 클수록 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터의 수율을 낮게 예측하는, 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 방법
5 5
제2항에 있어서, 상기 공정 효용성을 분석하는 단계는, 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터의 수율을 예측하며, 상기 드레인-소스 간 전류의 평균값에 대한 상기 드레인-소스 간 전류의 진폭 변화값(ΔIds)의 비율(ΔIds/Ids)을 미리 저장된 데이터와 비교하여 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터의 수율을 예측하는, 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터는 그 구조 또는 소자의 파라미터가 서로 다른 복수의 나노와이어 반도체 트랜지스터이며, 상기 공정 효용성을 분석하는 단계는, 상기 복수의 나노와이어 반도체 트랜지스터의 상기 드레인-소스 간 전류(Ids)의 특성을 비교하여, 상기 복수의 나노와이어 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 서로 비교하는, 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 방법
7 7
제2항에 있어서, 상기 공정 효용성을 분석하는 단계는, 상기 드레인-소스 간 전류의 평균값에 대한 상기 드레인-소스 간 전류의 진폭 변화값(ΔIds)의 비율(ΔIds/Ids)에 따라 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터의 이동도(mobility)를 분석하는, 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 방법
8 8
제2항에 있어서, 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터는 그 구조 또는 소자의 파라미터가 서로 다른 복수의 나노와이어 반도체 트랜지스터들이고, 상기 공정 효용성을 분석하는 단계는, 상기 드레인-소스 간 전류의 평균값에 대한 상기 드레인-소스 간 전류의 진폭 변화값(ΔIds)의 비율(ΔIds/Ids)을 비교하여, 상기 복수의 나노와이어 반도체 트랜지스터들 중 상기 드레인-소스 간 전류의 평균값에 대한 상기 드레인-소스 간 전류의 진폭 변화값(ΔIds)의 비율(ΔIds/Ids)이 더 큰 것이 이동도가 더 작은 것으로 판단하는, 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 그 구조가 서로 다른 복수의 나노와이어 반도체 트랜지스터들은, 게이트-올-어라운드(gate-all-around) 나노와이어 트랜지스터, 오메가 게이트 나노와이어 반도체 트랜지스터, 트라이(tri) 게이트 나노와이어 반도체 트랜지스터, 또는 FinFET이고, 상기 소자의 파라미터는, 채널 길이 또는 채널 폭인, 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 방법
10 10
제2항에 있어서, 상기 랜덤 텔레그래프 노이즈가 관찰되는 영역에서의 Vds 및 Vgs로 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터의 단자 전압을 설정하고, 상기 미리 설정된 온도로부터 온도를 증가시키는 단계; 및 온도가 증가함에 따라, 상기 ΔIds/Ids가 증가하면, 랜덤 텔레그래프 노이즈 특성이 관찰된 것으로 판단하는 단계를 더 포함하는, 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 방법
11 11
제2항에 있어서, 상기 미리 설정된 온도에서 상기 랜덤 텔레그래프 노이즈가 관찰되는 영역에서의 Vds로 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터의 단자 전압을 설정하고, 상기 랜덤 텔레그래프 노이즈가 관찰되는 영역으로부터 Vgs를 증가시키는 단계; 및 Vgs가 증가함에 따라, 상기 ΔIds/Ids가 증가하면, 랜덤 텔레그래프 노이즈 특성이 관찰된 것으로 판단하는 단계를 더 포함하는, 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 방법
12 12
반도체 트랜지스터를 배치시키는 반도체 트랜지스터 배치부; 상기 반도체 트랜지스터의 온도를 미리 설정된 온도로 조절하는 온도 조절부; 상기 반도체 트랜지스터의 드레인-소스 간 전압(Vds) 및 게이트-소스 간 전압(Vgs)를 조절하는 전압 조절부; 상기 반도체 트랜지스터의 드레인-소스 간 전압(Vds) 및 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따른 드레인-소스 간 전류(Ids)를 측정하는 전류 측정부; 상기 드레인-소스 간 전류에서 랜덤 텔레그래프 노이즈(random telegraph noise)가 관찰되는 영역을 검출하는 검출부; 및 상기 랜덤 텔레그래프 노이즈가 관찰되는 영역에서의 상기 드레인-소스 간 전류(Ids)의 특성에 따라 상기 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 분석하는 분석부를 포함하고, 상기 반도체 트랜지스터는 나노와이어 반도체 트랜지스터인, 분석 장치
13 13
제12항에 있어서, 상기 드레인-소스 간 전류의 특성은, 상기 랜덤 텔레그래프 노이즈에 의한 진폭 변화가 가장 큰 지점에서, 상기 드레인-소스 간 전류의 평균값에 대한 상기 드레인-소스 간 전류의 진폭 변화값(ΔIds)의 비율(ΔIds/Ids)인, 분석 장치
14 14
제12항에 있어서, 상기 미리 설정된 온도는 0K 이상이고 120K 이하인, 분석 장치
15 15
제13항에 있어서, 상기 분석부는, 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터의 수율을 예측하며, 상기 드레인-소스 간 전류의 평균값에 대한 상기 드레인-소스 간 전류의 진폭 변화값(ΔIds)의 비율(ΔIds/Ids)이 클수록 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터의 수율을 낮게 예측하는, 분석 장치
16 16
제13항에 있어서, 상기 분석부는, 상기 드레인-소스 간 전류의 평균값에 대한 상기 드레인-소스 간 전류의 진폭 변화값(ΔIds)의 비율(ΔIds/Ids)에 따른 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터의 수율에 대한 정보를 저장하는 저장부를 더 포함하고, 상기 분석부는, 상기 드레인-소스 간 전류의 평균값에 대한 상기 드레인-소스 간 전류의 진폭 변화값(ΔIds)의 비율(ΔIds/Ids)을 상기 저장부에 미리 저장된 데이터와 비교하여 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터의 수율을 예측하는, 분석 장치
17 17
제12항에 있어서, 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터는 그 구조 또는 소자의 파라미터가 서로 다른 복수의 나노와이어 반도체 트랜지스터이고, 상기 분석부는, 상기 복수의 나노와이어 반도체 트랜지스터의 상기 드레인-소스 간 전류(Ids)의 특성을 비교하여, 상기 복수의 나노와이어 반도체 트랜지스터의 공정 효용성을 서로 비교하는, 분석 장치
18 18
제13항에 있어서, 상기 분석부는, 상기 드레인-소스 간 전류의 평균값에 대한 상기 드레인-소스 간 전류의 진폭 변화값(ΔIds)의 비율(ΔIds/Ids)에 따라 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터의 이동도(mobility)를 분석하는, 분석 장치
19 19
제13항에 있어서, 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터는 그 구조 또는 소자의 파라미터가 서로 다른 복수의 나노와이어 반도체 트랜지스터들이고, 상기 분석부는, 상기 드레인-소스 간 전류의 평균값에 대한 상기 드레인-소스 간 전류의 진폭 변화값(ΔIds)의 비율(ΔIds/Ids)을 비교하여, 상기 복수의 나노와이어 반도체 트랜지스터들 중 상기 드레인-소스 간 전류의 평균값에 대한 상기 드레인-소스 간 전류의 진폭 변화값(ΔIds)의 비율(ΔIds/Ids)이 더 큰 것이 이동도가 더 작은 것으로 판단하는, 분석 장치
20 20
제19항에 있어서, 상기 그 구조가 서로 다른 복수의 나노와이어 반도체 트랜지스터들은, 오메가 게이트 나노와이어 반도체 트랜지스터, 트라이(tri) 게이트 나노와이어 반도체 트랜지스터, 또는 나노와이어 FinFET이고, 상기 소자의 파라미터는, 채널 길이 또는 채널 폭인, 분석 장치
21 21
제13항에 있어서, 상기 랜덤 텔레그래프 노이즈가 관찰되는 영역에서의 Vds 및 Vgs로 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터의 단자 전압을 설정하도록 상기 전압 조절부를 제어하고, 상기 반도체 트랜지스터의 온도를 상기 미리 결정된 온도로부터 증가시키도록 상기 온도 조절부를 제어하는 조건 설정부; 및 온도가 증가함에 따라, 상기 ΔIds/Ids가 증가하면, 랜덤 텔레그래프 노이즈 특성이 관찰된 것으로 판단하는 노이즈 판별부를 더 포함하는, 분석 장치
22 22
제13항에 있어서, 상기 미리 설정된 온도에서 상기 랜덤 텔레그래프 노이즈가 관찰되는 영역에서의 Vds로 상기 나노와이어 반도체 트랜지스터를 설정하도록 상기 전압 조절부를 제어하고, 상기 랜덤 텔레그래프 노이즈가 관찰되는 영역으로부터 Vgs를 증가시키도록 상기 전압 조절부를 제어하는 조건 설정부; 및 Vgs가 증가함에 따라, 상기 ΔIds/Ids가 증가하면, 랜덤 텔레그래프 노이즈 특성이 관찰된 것으로 판단하는 노이즈 판별부를 더 포함하는, 분석 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.