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나노선 트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015133848
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SPM(Scanning Probe Microscope) 리소그라피 방식을 사용하여 나노선을 형성하고, 이를 채널로 이용하는 나노선 트랜지스터(nanowire transistor)의 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 기판 상부에 제1도전막패턴을 형성하는 단계; 상기 제1도전막패턴을 포함하는 결과물 전면에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1도전막패턴 상부의 상기 제1절연막 상에 나노선을 이용하여 채널을 형성하는 단계; 상기 채널 양끝단과 접하도록 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 채널과 상기 소스 및 드레인 전극을 포함하는 결과물 전면에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막 및 제1절연막을 선택적으로 식각하여 상기 채널을 둘러싸는 게이트절연막을 형성하는 단계 및 상기 게이트절연막 상에 상기 제1도전막패턴과 연결되도록 제2도전막패턴을 형성하여 상기 채널을 둘러싸는 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 나노선 트랜지스터의 제조방법을 제공한다. SPM, 나노선, 프루브
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020070118242 (2007.11.20)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0919889-0000 (2009.09.24)
공개번호/일자 10-2009-0051827 (2009.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (20090930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.20)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울 종로구
2 권재홍 대한민국 서울 성북구
3 정진욱 대한민국 서울 성북구
4 서정훈 대한민국 서울 마포구
5 신상일 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0831045-57
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0002542-48
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0220412-62
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0341111-37
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0341110-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0390770-89
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 제1도전막패턴을 형성하는 단계; 상기 제1도전막패턴을 포함하는 결과물 전면에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1도전막패턴 상부의 상기 제1절연막 상에 채널로 작용하는 나노선을 SPM(Scanning Probe Microscope) 리소그라피를 사용하여 형성하는 단계; 상기 채널 양끝단과 접하도록 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 채널과 상기 소스 및 드레인 전극을 포함하는 결과물 전면에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2 및 제1절연막을 선택적으로 식각하여 상기 채널을 둘러싸는 게이트절연막을 형성하는 단계; 및 상기 게이트절연막 상에 상기 제1도전막패턴과 연결되도록 제2도전막패턴을 형성하여 상기 채널을 둘러싸는 게이트전극을 형성하는 단계 를 포함하는 나노선 트랜지스터의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 채널로 작용하는 나노선을 형성하는 단계는, 상기 제1도전막패턴 상부의 상기 제1절연막 상에 SPM 리소그라피를 사용하여 레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 레지스트패턴 사이를 매립하도록 채널용 도전막을 형성하는 단계; 및 상기 레지스트패턴을 제거하는 단계 를 포함하는 나노선 트랜지스터의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 레지스트패턴을 형성하는 단계는, 프루브 끝단의 형상, 프루브의 스캐닝 속도, 프루브에 인가되는 전압 또는 프루브에 인가되는 전류의 세기 중 어느 하나를 조절하여 상기 레지스트패턴의 선폭을 제어하는 나노선 트랜지스터의 제조방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 레지스트패턴은 자기조립단분자막(self assembled monolayer)으로 형성하는 나노선 트랜지스터의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 나노선은 아연(Zn)을 포함하는 물질로 형성하는 나노선 트랜지스터의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 아연을 포함하는 물질로 ZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, ZnInO, (Zn, Mn)O, IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), AZO(Al doped zinc oxide), GZO(gallium zinc oxide) 및 IGZO(indium gallium zinc oxide)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 사용하는 나노선 트랜지스터의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 채널은 단일 나노선 또는 복수의 나노선으로 형성하는 나노선 트랜지스터의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 제1절연막과 상기 제2절연막은 동일한 물질로 형성하는 나노선 트랜지스터의 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 제1도전막패턴과 상기 제2도전막패턴을 동일한 물질로 형성하는 나노선 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.