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3차원 임프린트 및 리프트 오프 공정을 이용한 교차형 상변환 소자 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 교차형 상변환 소자

  • 기술번호 : KST2015131885
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 임프린트 및 리프트 오프 공정을 이용한 교차형 상변환 소자 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 교차형 상변환 소자에 대한 것으로, (a)하부로부터 제1절연체 - 하부전극용 제1도전체 - 제2절연체를 포함하는 기판 상에 레지스트를 도포하는 단계; (b)표면에 3차원 패턴이 형성된 스탬프로 상기 기판을 임프린트하여, 상기 기판의 제2절연체 표면을 기준으로 중앙부분이 좌우부분보다 낮고, 좌우부분이 상하부분보다 낮으며, 상하부분을 둘러싸는 가장자리는 레지스트가 제거되는 형태의 레지스트 패턴을 형성하는 단계; (c)상기 레지스트를 마스크로 하여, 레지스트가 제거된 상하부분의 가장자리를 식각하는 단계; (d)반응성 이온 식각(RIE) 공정을 이용하여, 중앙부분의 레지스트를 제거하는 단계; (e)상기 RIE 공정에 의해 노출되는 중앙부분의 제2절연체를 식각하는 단계; (f)좌우부분의 제2절연체가 노출될 때까지 레지스트를 식각하는 단계; (g)상변환 물질 및 상부전극용 제2도전체를 순차적으로 증착하는 단계; (h)리프트 오프 공정을 이용하여 레지스트 및 상기 레지스트 상부에 증착된 물질들을 제거하는 단계; 및 (i)상기 리프트 오프 공정에 의해 노출되는 상하부분의 제2절연체를 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 27/11517(2013.01) H01L 27/11517(2013.01) H01L 27/11517(2013.01) H01L 27/11517(2013.01) H01L 27/11517(2013.01) H01L 27/11517(2013.01)
출원번호/일자 1020090048612 (2009.06.02)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1089396-0000 (2011.11.28)
공개번호/일자 10-2010-0129980 (2010.12.10) 문서열기
공고번호/일자 (20111207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.02)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울특별시 서초구
2 배병주 대한민국 서울특별시 성북구
3 정호용 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0333305-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428703-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0022710-39
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0158633-15
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0319944-39
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0319945-85
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0684036-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a)하부로부터 제1절연체 - 하부전극용 제1도전체 - 제2절연체를 포함하는 기판 상에 레지스트를 도포하는 단계; (b)표면에 3차원 패턴이 형성된 스탬프로 상기 기판을 임프린트하여, 상기 기판의 제2절연체 표면을 기준으로 중앙부분이 좌우부분보다 낮고, 좌우부분이 상하부분보다 낮으며, 상하부분을 둘러싸는 가장자리는 레지스트가 제거되는 형태의 레지스트 패턴을 형성하는 단계; (c)상기 레지스트를 마스크로 하여, 레지스트가 제거된 상하부분의 가장자리를 식각하는 단계; (d)반응성 이온 식각(RIE) 공정을 이용하여, 중앙부분의 레지스트를 제거하는 단계; (e)상기 RIE 공정에 의해 노출되는 중앙부분의 제2절연체를 식각하는 단계; (f)좌우부분의 제2절연체가 노출될 때까지 레지스트를 식각하는 단계; (g)상변환 물질 및 상부전극용 제2도전체를 순차적으로 증착하는 단계; (h)리프트 오프 공정을 이용하여 레지스트 및 상기 레지스트 상부에 증착된 물질들을 제거하는 단계; 및 (i)상기 리프트 오프 공정에 의해 노출되는 상하부분의 제2절연체를 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 교차형 상변환 소자 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 스탬프의 표면에 형성되는 3차원 패턴은 포토 리소그래피 공정 또는 이빔 리소그래피 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 교차형 상변환 소자 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 스탬프 표면에 형성된 패턴은, 스탬프 바닥면을 기준으로 중앙부분이 좌우부분보다 높게 형성되어 있고, 상기 좌우부분이 상하부분보다 높게 형성되어 있으며, 끝단이 중앙부분에 연결되는'ㄷ'형태를 갖는 상하부분의 가장자리가 상기 중앙부분의 높이보다 높게 형성되어 있는 형태의 패턴인 것을 특징으로 하는 교차형 상변환 소자 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 스탬프는 상하부분의 가장자리가 상기 임프린트시에 상기 기판의 제2절연체에 접촉하는 것을 특징으로 하는 교차형 상변환 소자 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 (b)단계의 임프린트 이후, 상기 상하부분의 가장자리에 레지스트가 잔류할 경우, RIE(Reactive Ion Etching) 공정 또는 식각 공정을 이용하여 잔류 레지스트를 제거하는 것을 특징으로 하는 교차형 상변환 소자 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 (c)단계는 상기 기판의 제2절연체 - 제1도전체 - 제1절연체까지 식각하는 것을 특징으로 하는 교차형 상변환 소자 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (d)단계는 산소 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 교차형 상변환 소자 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 (e)단계 및 상기 (i)단계는 습식 식각 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 교차형 상변환 소자 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 상변환 물질은 GST(GeSbTe), IST(InSbTe), AIST(AgInSbTe), GeTe, GeSb, GeTe, N-doped GST 및 O-doped GST 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 교차형 상변환 소자 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 기판의 제2절연체는 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물인 것을 특징으로 하는 교차형 상변환 소자 제조 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 기판의 제1절연체는 실리콘 산화물인 것을 특징으로 하는 교차형 상변환 소자 제조 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 하부전극용 제1도전체 및 상부전극용 제2도전체는 폴리실리콘, Au, Cu, Al, Mo, Pt, 티타늄 질화막(TiN), 티타늄 알루미늄 질화막(TiAlN), 티타늄 실리콘 질화막(TiSiN), 티타늄 텅스텐막(TiW), 탄탈륨 질화막(TaN), 탄탈륨 알루미늄 질화막(TaAlN), 탄탈륨 실리콘 질화막(TaSiN), 텅스텐 질화막(WN) 및 텅스텐 실리콘막(WSix) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 교차형 상변환 소자 제조 방법
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
제1항 내지 제12항 중 어느 하나의 방법으로 제조된 교차형 상변환 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.