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비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법

  • 기술번호 : KST2015132306
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법을 개시한다. 본 발명은 프로그램 시간을 두 구간으로 분할하여 첫 번째 구간에서 기판과 드레인 영역(소오스 영역)에 포워드 바이어스를 인가하여 기판에 전자들을 축적한 후, 두 번째 구간에서 기판과 드레인 영역(소오스 영역)에 리버스 바이어스를 인가함으로써 형성된 기판과 드레인 영역(소오스 영역)의 접합면에 형성된 공핍층에서, 기판으로부터 드레인 영역(소오스 영역)으로 가속된 전자와 공핍층 내부의 중성 원자들의 충돌로 발생한 고온 전자들로 하여금 터널 절연막의 에너지밴드갭을 뛰어넘어 전하 포획층에 주입되도록 함으로써, 종래 기술에 비하여 신속하게 프로그램을 수행할 수 있고, 국소적으로 전하를 주입하여 멀티비트 프로그램이 가능할 뿐만 아니라, 종래 기술에 비하여 상대적으로 낮은 전압을 이용함으로써, 종래 기술에 비하여 현저하게 낮은 전력 소모만으로 프로그램이 가능하다.
Int. CL G11C 16/12 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) G11C 16/10 (2006.01)
CPC G11C 16/10(2013.01) G11C 16/10(2013.01)
출원번호/일자 1020090081839 (2009.09.01)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1067372-0000 (2011.09.19)
공개번호/일자 10-2011-0024006 (2011.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20110923) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.01)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 안호명 대한민국 서울시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0537385-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2010-0068530-49
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0032051-21
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0190532-06
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0190546-34
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0524073-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전하를 포획하여 프로그램되는 전하 포획층이 포함된 반도체층이 기판위에 형성되고, 상기 반도체층의 양 옆에 소오스 영역 및 드레인 영역이 형성된 비휘발성 메모리 소자에 프로그램을 수행하는 방법으로서, 제 1 프로그램 시간 구간동안에, 드레인 영역 또는 소오스 영역 중 선택된 어느 하나의 영역(선택 영역)과 상기 반도체층 위에 형성된 게이트 전극층을 접지하고, 상기 기판에 양의 제 1 프로그램 전압을 인가하여, 상기 선택 영역과 상기 기판사이에 포워드 바이어스를 인가하는 단계; 및 제 2 프로그램 시간 구간 동안에, 상기 게이트 전극층을 접지하고, 상기 기판에 음의 전압인 제 2 프로그램 전압을 인가하고, 상기 선택 영역에 양의 전압인 제 3 프로그램 전압을 인가하여, 상기 선택 영역과 기판사이에 리버스 바이어스를 인가함으로써, 상기 전하 포획층으로 전하를 유입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 프로그램 시간과 상기 제 2 프로그램 시간은 동일한 것을 특징으로 하는 프로그램 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 중 선택되지 않은 영역은 플로팅되는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 p 타입, 소오스 및 드레인 영역은 n 타입인 것을 특징으로 하는 프로그램 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.