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탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 탄소 나노 튜브 비율 측정 장치, 방법, 및 상기 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 판독 가능한 프로그램을 기록한 매체

  • 기술번호 : KST2015132107
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 탄소 나노 튜브 비율 측정 장치는 트랜지스터 전압 측정부, 및 탄소 나노 튜브 비율 산출부를 포함한다. 트랜지스터 전압 측정부는 브리지 회로에 트랜지스터의 저항을 측정하기 위한 미리 설정된 전압을 인가하고, 트랜지스터의 게이트 전압이 인가된 경우와 인가되지 않은 경우에 각각 트랜지스터의 소스 드레인 사이의 전압을 측정한다. 탄소 나노 튜브 비율 산출부는 측정된 트랜지스터 소스 드레인 사이 전압들의 비율, 및 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 비율과 전압들의 비율 사이의 미리 설정된 관계를 이용하여 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 탄소 나노 튜브의 비율을 산출한다. 브리지 회로를 이용하여 단순히 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 소스 드레인 사이의 전압을 측정하는 것만으로 탄소 나노 튜브의 금속성 및 반도체성을 파악할 수 있게되므로, 적은 비용과 시간으로도 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 반도체성과 금속성 탄소 나노 튜브의 비율을 정량적으로 알 수 있게 된다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC G01R 31/2601(2013.01) G01R 31/2601(2013.01)
출원번호/일자 1020100053466 (2010.06.07)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1054309-0000 (2011.07.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110808) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김규태 대한민국 경기도 광명시 철
2 강필수 대한민국 서울특별시 구로구
3 주민규 대한민국 경기도 안양시 동안구
4 김용하 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0364465-81
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0053085-16
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0417742-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소 나노 튜브 트랜지스터의 소스 드레인 사이의 저항을 측정할 수 있도록, 브리지 회로의 네변에 저항값이 미리 설정된 제1저항과 제2저항, 가변 저항, 및 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터를 배치하여, 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 탄소 나노 튜브의 비율을 측정하는 장치로서,상기 브리지 회로에 상기 트랜지스터의 저항을 측정하기 위한 미리 설정된 전압을 인가하고, 상기 트랜지스터의 게이트 전압이 인가된 경우와 인가되지 않은 경우에 각각 상기 트랜지스터의 소스 드레인 사이의 전압을 측정하는 트랜지스터 전압 측정부; 및상기 측정된 트랜지스터 소스 드레인 사이 전압들의 비율, 및 상기 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 비율과 상기 측정된 전압들의 비율 사이의 미리 설정된 관계를 이용하여, 상기 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 탄소 나노 튜브의 비율을 산출하는 탄소 나노 튜브 비율 산출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 탄소 나노 튜브 비율 측정 장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 측정된 전압값들과 상기 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 탄소 나노 튜브의 수와 상기 측정된 전압값들의 미리 설정된 관계를 이용하여 상기 반도체성 탄소 나노 튜브와 상기 금속성 탄소 나노 튜브의 수를 산출하는 탄소 나노 튜브 수량 산출부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 탄소 나노 튜브 비율 측정 장치
3 3
탄소 나노 튜브 트랜지스터의 소스 드레인 사이의 저항을 측정할 수 있도록, 브리지 회로의 네변에 미리 설정된 제1저항과 제2저항, 가변 저항, 및 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터를 배치하여, 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 탄소 나노 튜브의 비율을 측정하는 방법으로서,상기 브리지 회로에 상기 트랜지스터의 저항을 측정하기 위한 미리 설정된 전압을 인가하고, 상기 트랜지스터의 게이트 전압이 인가된 경우와 인가되지 않은 경우에 각각 상기 트랜지스터의 소스 드레인 사이의 전압을 측정하는 단계; 및상기 측정된 트랜지스터 소스 드레인 사이 전압들의 비율, 및 상기 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 비율과 상기 측정된 전압들의 비율 사이의 미리 설정된 관계를 이용하여, 상기 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 탄소 나노 튜브의 비율을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 탄소 나노 튜브 비율 측정 방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 측정된 전압값들과 상기 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 탄소 나노 튜브의 수와 상기 측정된 전압값들의 미리 설정된 관계를 이용하여 상기 반도체성 탄소 나노 튜브와 상기 금속성 탄소 나노 튜브의 수를 산출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브 네트워크 트랜지스터의 금속성 및 반도체성 탄소 나노 튜브 비율 측정 방법
5 5
제 3 또는 4항의 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 판독 가능한 프로그램을 기록한 매체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 서울대학교/한국화학연구원 21C뉴프론티어연구개발사업/세계적수준의연구중심대학육성/원천기술개발사업 [3단계-4차년도]고집적 탄소나노튜브 트랜지스터 전기적 잡음특성 평가(21세기프론티어-테라급나노소자개발)/플렉서블 나노시스템 기반기술/유무기 나노재료의 복합체 소자 구현기술 개발(총괄과제명:분자제어 NIT 융복합 소자기술개발)