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탄소나노튜브의 ｎ-도핑 재료와 ｎ-도핑 방법, 및 이를 이용한 소자

  • 기술번호 : KST2015132847
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 테트라메틸피라진(TMP) 및 그의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 포함하는 탄소나노튜브의 n-도핑 재료, 이를 이용한 탄소나노튜브의 n-도핑 방법, 이를 이용하여 n-도핑된 탄소나노튜브, 및 상기 n-도핑된 탄소나노튜브를 이용한 소자에 관한 것이다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) C07D 241/12 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01)
출원번호/일자 1020110069740 (2011.07.14)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1209168-0000 (2012.11.30)
공개번호/일자 10-2012-0008449 (2012.01.30) 문서열기
공고번호/일자 (20121210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100068787   |   2010.07.16
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.14)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철진 대한민국 서울특별시 강북구
2 코이자이자노바 라우산 비. 카자흐스탄 대구 북구
3 황두희 대한민국 서울특별시 성북구
4 윤기남 대한민국 경기도 안산시 단원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0540475-56
2 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0702352-86
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
테트라메틸피라진(Tetramethylpyrazine, TMP) 및 그의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 포함하는, 탄소나노튜브의 n-도핑 재료
2 2
제 1 항에 있어서,용매를 추가 포함하는, 탄소나노튜브의 n-도핑 재료
3 3
테트라메틸피라진(TMP) 및 그의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 포함하는 탄소나노튜브 n-도핑 재료를 이용하여 탄소나노튜브를 n-도핑하는 단계를 포함하는, 탄소나노튜브의 n-도핑 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브를 n-도핑하는 단계는 상온에서 수행되는 것인, 탄소나노튜브의 n-도핑 방법
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 n-도핑 재료에 포함되는 상기 화합물의 농도를 조절하여 상기 탄소나노튜브의 n-도핑 상태를 조절하는 것을 포함하는, 탄소나노튜브의 n-도핑 방법
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 n-도핑 재료는 상기 화합물과 용매를 함유하는 용액인, 탄소나노튜브의 n-도핑 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 용액의 사용량을 조절하여 상기 탄소나노튜브의 n-도핑 상태를 조절하는 것을 포함하는, 탄소나노튜브의 n-도핑 방법
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 용액 중 상기 화합물의 농도를 조절하여 상기 탄소나노튜브의 n-도핑 상태를 조절하는 것을 포함하는, 탄소나노튜브의 n-도핑 방법
9 9
테트라메틸피라진(TMP) 및 그의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 포함하는 탄소나노튜브 n-도핑 재료를 이용하여 n-도핑된 탄소나노튜브
10 10
제 9 항에 있어서,상기 n-도핑된 탄소나노튜브는 상온에서 n-타입을 나타내는 것인, 탄소나노튜브
11 11
제 9 항에 있어서,상기 n-도핑된 탄소나노튜브는 공기 중에서 n-타입을 나타내는 것인, 탄소나노튜브
12 12
테트라메틸피라진(TMP) 및 그의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 포함하는 탄소나노튜브 n-도핑 재료를 이용하여 n-도핑된 탄소나노튜브를 포함하는 소자
13 13
제 12 항에 있어서,상기 소자는 유연성을 가지는 것인, 소자
14 14
제 12 항에 있어서,상기 소자는 박막트랜지스터(TFT)인, 소자
15 15
n-도핑된 탄소나노튜브를 포함하는 채널층;상기 채널층 양측에 형성되는 소스/드레인 전극; 상기 채널층에 대응하는 게이트층; 및상기 채널층과 상기 게이트층 사이에 형성되는 게이트 절연층:을 포함하는 박막트랜지스터(TFT)로서,상기 n-도핑된 탄소나노튜브는 테트라메틸피라진(TMP) 및 그의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 포함하는 n-도핑 재료에 의하여 n-도핑된 것인, 박막트랜지스터(TFT)
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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