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1) 기판의 하부에 게이트 전극을 형성하는 단계; 2) 제1 노즐을 구비한 제1 도가니 및 제2 노즐을 구비한 제2 도가니를 포함하는 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 상기 기판을 삽입하는 단계; 3) N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드(N,N'-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylic diimide) 화합물을 상기 제1 도가니 내부에 넣고 전압 인가 방식에 의하여 가열함으로써 증기화하고, 상기 증기화된 화합물을 상기 제1 노즐을 통하여 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 공급함으로써 상기 기판 상에 전자 수송층을 증착하는 단계; 4) 테트라센(tetracene) 화합물을 상기 제2 도가니 내부에 넣고 전압 인가 방식에 의하여 가열함으로써 증기화하고, 상기 증기화된 화합물을 제 2 노즐을 통하여 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 공급함으로써 상기 전자 수송층의 상부에 홀 수송층을 증착하는 단계; 및 5) 상기 홀 수송층의 상부에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 n형 실리콘기판; 또는 폴리에테르술폰(PES,polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET,polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC) 및 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinonate: CAP)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 3) 단계와 4) 단계 사이에; 상기 챔버에서 전자 수송층이 증착된 기판을 꺼낸 후, 이를 90 ~ 110℃로 가열한 후, 다시 챔버내부에 삽입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 도가니의 온도는 257 ~ 297℃이고, 제2 도가니의 온도는 207 ~ 237℃인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전자 수송층의 증착두께는 100 ~ 200Å이고, 홀 수송층의 증착두께는 250 ~ 350Å인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전자 수송층의 증착속도는 0
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제1항에 있어서, 상기 1) 단계와 2) 단계 사이에 상기 기판의 상단에 유전층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
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8
제1항에 있어서, 상기 기판은 전체 공정에서 0V를 유지하는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 노즐 및 제2 노즐의 직경은 0
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10
제1항에 있어서, 상기 3) 단계에서 6 ~ 13
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11
제1항에 있어서, 상기 5) 단계에서 생성된 소스전극과 드레인 전극의 채널너비는 160 ~ 200 mm, 채널길이는 100 ~ 200 ㎛인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
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12
제1항에 있어서, 상기 3) 단계와 4) 단계는 순차적으로 수행되거나 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
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13
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 유기발광 트랜지스터
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14
기판의 하부에 형성된 게이트 전극; 상기 기판의 상부에 형성된 유기막; 및 상기 유기막의 상부에 형성된 소스전극 및 드레인 전극을 포함하는 유기발광 트랜지스터에 있어서, 상기 유기막은 하부로부터 순차적으로 적층된 전자 수송층 및 홀 수송층을 포함하며, 상기 전자 수송층은 N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드 화합물을 포함하며, 상기 홀 수송층은 테트라센 화합물을 포함하는 유기발광 트랜지스터
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15
제14항에 있어서, 상기 전자 수송층의 증착두께는 100 ~ 200Å이고, 홀 수송층의 증착두께는 250 ~ 350Å인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터
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16
(a) 진공챔버의 내상측에 기판을 고정시키고, 진공챔버의 내하측에 배치된 제1 도가니의 내부에 있는 N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드을 가열하는 단계; (b) 상기 가열된 N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드가 승화되어 상기 제1 도가니의 상부에 구비된 제1 노즐을 통과하며 제1 클러스터를 형성하는 단계; (c) 상기 기판의 하부에 상기 제1 클러스터가 충돌하며 균일하게 증착되는 단계; (d) 상기 진공챔버의 내하측에 배치된 제2 도가니의 내부에 있는 테트라센 화합물을 가열하는 단계; (e) 상기 가열된 테트라센 화합물이 승화되어 상기 제2 도가니의 상부에 구비된 제2 노즐을 통과하며 제2 클러스터를 형성하는 단계; (f) 상기 기판에 증착된 제1 클러스터층의 하부에 상기 제2 클러스터가 충돌하며 균일하게 증착되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 c) 단계와 d) 단계 사이에; 상기 진공챔버에서 전자 수송층이 증착된 기판을 꺼낸 후, 이를 90 ~ 110℃로 가열한 후, 다시 진공챔버의 내상측에 상기 기판을 삽입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
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