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(a) 소다 석회 유리 기판에 스퍼터링을 이용하여 카드뮴 텔러라이드(CdTe) 박막층을 코팅하는 단계;(b) 상기 카드뮴 텔러라이드 박막층 위에 스퍼터링을 이용하여 비스무트(Bi) 촉매층을 코팅하는 단계;(c) 상기 비스무트 촉매층 위에 딥-코팅으로 폴리비닐알콜(PVA)을 코팅하는 단계;(d) 상기 카드뮴 텔러라이드 박막층, 비스무트 촉매층 및 폴리비닐알콜이 차례로 형성된 소다 석회 유리 기판을 열처리하여 상기 비스무트 촉매층을 구형의 비스무트 나노입자로 분해하는 단계;(e) 상기 열처리한 기판을 제1 용액에 장입한 후, 제2 용액을 제1 용액에 첨가하여 기판상에서 카드뮴 텔러라이드 나노선을 수직 성장시키는 단계;를 포함하고,상기 제1 용액은 카드뮴 전구체를 계면활성제와 1-ODE(1-Octadecyne) 용매에 용해시켜 제조한 것이고, 상기 제2 용액은 텔러륨(Te)을 TBP(tri-n-butyl phosphine)에 용해시켜 제조한 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 카드뮴 전구체는 카드뮴 옥사이드, 카드뮴 스테아레이트 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 계면활성제는 TOPO(tri-n-octylphosphine oxide), HDA(Hexadecyl amine) 및 올레익 산의 혼합물이고, 상기 1-ODE 용매와 TOPO의 중량비는 10-100 : 1이고, 상기 1-ODE 용매와 HDA의 중량비는 100-300 : 1이며, 상기 1-ODE 용매와 올레익산의 중량비는 10-30 : 1인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 용액 내의 카드뮴 전구체 몰수는 0
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제 1 항에 있어서,상기 제1 용액은 상기 카드뮴 전구체를 200-240 ℃의 온도에서 용해시켜서 제조하는 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제2 용액은 상기 TBP 기준 1-10 중량%의 텔러륨을 용해시키고, 용해시 70-90 ℃의 온도에서 용해시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 카드뮴 텔러라이드 박막층의 두께는 35-45 ㎚이고, 상기 비스무트 촉매층의 두께는 3-7 ㎚인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는 아르곤 분위기 하에서 200-300 ℃에서 5-15 분간 열처리하는 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 (d) 단계는 상기 제1 용액 기준 0
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제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따라 제조된 카드뮴 텔러라이드 나노선으로서, 결정 구조가 정방정(Cubic) 섬아연광(Zinc Blende) 구조인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선
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제 10 항에 있어서,상기 카드뮴 텔러라이드 나노선은 직경이 10-15 ㎚이고, 길이가 2-4 ㎛인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선
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