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카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점으로 코팅된 산화아연 나노로드 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015132660
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점의 코팅에 의하여, 산화아연 나노로드가 전형적으로 나타내는 내인성 결함에 의한 가시광선 영역의 발광을 억제하고, 밴드갭에 해당하는 380 nm의 단파장 발광 특성을 향상시킴으로써, 광학적 특성이 개선된 산화아연 나노로드 및 그의 제조방법을 제공한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C09K 11/54 (2006.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020110013785 (2011.02.16)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1223212-0000 (2013.01.10)
공개번호/일자 10-2012-0094340 (2012.08.24) 문서열기
공고번호/일자 (20130117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.16)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 장지영 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0111455-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0032991-65
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0413541-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0760690-05
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0760691-40
7 등록결정서
Decision to grant
2013.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0015710-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점으로 코팅된 산화아연 나노로드로서,상기 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점이 코팅된 산화아연 나노로드에 은 나노입자가 더 코팅된 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점은 코팅전 산화아연 나노로드 100 중량부를 기준으로 6~37 중량부로 코팅된 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드
3 3
삭제
4 4
청구항 2에 있어서, 상기 은 나노입자는 코팅전 산화아연 나노로드 100 중량부를 기준으로 2~10 중량부로 코팅된 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 산화아연 나노로드는 수용액 중에서 합성된 것임을 특징으로 하는 산화아연 나노로드
6 6
기판 상에 산화아연 나노로드를 수직방향으로 형성하는 단계; 및상기 산화아연 나노로드에 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점을 코팅하는 단계를 포함하는 산화아연 나노로드의 제조방법으로서,상기 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점이 코팅된 산화아연 나노로드에 은 나노입자를 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드의 제조방법
7 7
삭제
8 8
청구항 6에 있어서, 상기 기판이 ITO가 코팅된 투명 기판인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 고려대학교 산학협력단 (이공)일반연구자-기본(유형I) 반도체 나노구조 기반 플렉서블 백색 LED 및 태양전지 개발