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화학 기상 증착법을 통한 아나타제 이산화티타늄 나노판의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015011299
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 서로 다른 온도를 갖는 두 기체의 자연 발화를 이용한 화학 기상 증착법을 통해 고에너지 면이 노출된 아나타제 이산화티타늄 나노판의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 아나타제-루타일 상변태 이하의 온도에서 사염화티타늄과 수소의 혼합가스를 연소시켜 저온에서 화학 기상방법으로 증착하였으며, 실리콘을 이용하여 나노판의 성장방향을 제어함으로써 높은 표면에너지를 가지는 면이 노출되어 광촉매 성능이 우수한 고밀도의 아나타제 이산화티타늄 나노판을 합성하였다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C01G 23/047 (2006.01)
CPC C01G 23/047(2013.01) C01G 23/047(2013.01) C01G 23/047(2013.01)
출원번호/일자 1020130003550 (2013.01.11)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1399342-0000 (2014.05.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140527) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기 성남시 분당구
2 이우진 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0031409-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0012532-33
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0143338-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0371464-48
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0371436-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0293510-90
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(1) 이너 튜브와 아우터 튜브를 포함하는 반응용기 내부에 실리콘이 코팅된 기판을 위치시키는 단계; (2) 이너 튜브로 공급되는 제 1 기체와 아우터 튜브로 공급되는 제 2 기체를 서서히 흘려주어 반응용기 내부를 혼합기체 분위기로 안정화시키는 단계; 및(3) 상기 (2) 단계의 혼합기체 분위기로 안정화된 반응용기에 제 1 기체의 분사량을 증가시켜 실리콘이 코팅된 기판 위에 나노판을 생성시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 아나타제 이산화티타늄 나노판의 제조방법으로써,상기 제 1 기체 및 상기 제 2 기체의 온도는 서로 상이하며, 상기 나노판은 고에너지면이 노출되며, 정렬되지 않은 것을 특징으로 하는 아나타제 이산화티타늄 나노판의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 제 1 기체는 사염화티타늄과 수소의 혼합기체이며, 제 2 기체는 산소와 불활성기체의 혼합기체인 것을 특징으로 하는 아나타제 이산화티타늄 나노판의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 불활성기체는 질소, 헬륨 및 아르곤 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 아나타제 이산화티타늄 나노판의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 (3) 단계는 650-900 ℃로 예열된 제 1 기체를 2-10 atm의 수소를 사용하여 300-500 ℃로 예열된 제 2 기체 분위기의 기판 위로 분사시킴으로써 수소 자연발화에 의한 실리콘 기화를 발생시켜 생성되는 나노판의 성장방향이 제어되는 것을 특징으로 하는 아나타제 이산화티타늄 나노판의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 (3) 단계는 마이크로미터 제곱당 5-15 개의 나노판이 생성될 수 있으며, 상기 나노판의 두께는 50-100 nm인 것을 특징으로 하는 아나타제 이산화티타늄 나노판의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,(a) 수소 공급을 차단하고 제 1 기체를 냉각시켜 제 2 기체를 이너 튜브 안쪽으로 역류시킴으로써, 층상구조 전구체를 제조하는 단계; 및(b) 수소 공급밸브를 열어 상기 (a) 단계에서 제조한 층상구조 전구체를 포함하는 제 1 기체 혼합물을 상기 (3) 단계에서 제조한 나노판 위로 분사시키는 단계;를 추가로 수행함으로써 나노판의 밀도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 아나타제 이산화티타늄 나노판의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 층상구조 전구체는 TiOCl, TiOz(OH)4-2z (0≤z≤2)인 것을 특징으로 하는 아나타제 이산화티타늄 나노판의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 밀도가 증가된 나노판은 기판으로부터 수직으로 배열되는 것을 특징으로 하는 아나타제 이산화티타늄 나노판의 제조방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 (b) 단계의 증가된 밀도는 마이크로미터 제곱 당 15-40개의 나노판이 생성되는 것을 특징으로 하는 아나타제 이산화티타늄 나노판의 제조방법
11 11
제1항 내지 제5항 및 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따라 제조된 아나타제 이산화티타늄 나노판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술진흥원 고려대학교 산학협력단 국제공동기술개발사업 [1단계3차]Development of hign-performance thermoelectric composites and sputtering targets by SPS
2 한국연구재단 고려대학교 산학협력단 중견연구자지원_핵심연구 [중견-2차]반도체나노라드 소결을 이용한 고효율 열전발전 복합재료 개발