요약 | 본 발명의 수직형 발광소자는 활성층의 제1면 상에 순차적으로 형성되는 P형 클래딩층과, P형 오믹반사층과, P형 지지물층을 갖는 P형 구조물; 상기 활성층의 제1면에 대향하는 제2면 상에 순차적으로 형성되며, 제1 N형 클래딩층과, 극성변환 버퍼층과, 제2 N형 클래딩층을 갖는 N형 구조물; 및 상기 제2 N형 클래딩층 상에 형성되는 N형 오믹콘택층을 포함하되, 상기 N형 오믹콘택층이 접촉되는 상기 제2 N형 클래딩층의 접촉면은 갈륨 극성을 포함한다. 아울러, 본 발명에 따른 수직형 발광소자 및 그 제조방법은 질소 극성을 가지는 N형 클래딩층에 인듐이 도핑된 질화갈륨의 극성변환 버퍼층을 증착 후, 제2 N형 클래딩층을 성장시키면 제2 N형 클래딩층의 표면이 갈륨극성을 가진다는 특징을 이용하여, 질소극성에서 옴접촉 특성을 가지는 새로운 오믹컨택층을 개발하지 않고도 고품위의 수직형 발광소자를 제조할 수 있는 효과를 가져온다. |
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Int. CL | H01L 33/12 (2014.01) |
CPC | H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020070056872 (2007.06.11) |
출원인 | 고려대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0929307-0000 (2009.11.23) |
공개번호/일자 | 10-2009-0003447 (2009.01.12) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20091127) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2007.06.11) |
심사청구항수 | 15 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 성 태 연 | 대한민국 | 서울 서초구 |
2 | 윤 주 헌 | 대한민국 | 서울 도봉구 |
3 | 나 현 석 | 대한민국 | 경기 성남시 수정구 |
4 | 김 강 원 | 대한민국 | 서울 성북구 |
5 | 오 준 호 | 대한민국 | 서울 광진구 |
6 | 김 윤 한 | 대한민국 | 서울 성북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인(유한) 대아 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.06.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0422352-87 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.03.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5034712-96 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.03.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.04.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0023114-12 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.04.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0228507-42 |
6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2008.06.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0467558-18 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.07.25 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0538978-13 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.07.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0538979-69 |
9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.11.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0590761-79 |
10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2009.01.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0049575-25 |
11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.02.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0115082-11 |
12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.02.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0115083-56 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
14 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2009.06.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0261310-19 |
15 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2009.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0428694-95 |
16 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.08.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0479771-97 |
17 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.08.05 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2009-0479769-05 |
18 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.11.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0456484-51 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 활성층의 제1면 상에 순차적으로 형성되는 P형 클래딩층과, P형 오믹반사층과, P형 지지물층을 갖는 P형 구조물; 상기 활성층의 제1면에 대향하는 제2면 상에 순차적으로 형성되는 제1 N형 클래딩층과, 극성변환 버퍼층과, 제2 N형 클래딩층을 갖는 N형 구조물; 및 상기 제2 N형 클래딩층 상에 형성되는 N형 오믹콘택층을 포함하되, 상기 N형 오믹콘택층이 접촉되는 상기 제2 N형 클래딩층의 접촉면은 갈륨 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 극성변환 버퍼층은 인듐이 도핑된 질화갈륨 버퍼층인 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 |
5 |
5 제 4항에 있어서, 상기 극성변환 버퍼층에서 인듐이 차지하는 몰분율은 2~2 |
6 |
6 기판 상에 버퍼층과, 제1 N형 클래딩층과, 활성층과, P형 클래딩층, P형 오믹반사층, P형지지물층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 기판과 상기 버퍼층을 분리하여 제1 N형 클래딩층을 노출시키는 단계; 및 노출된 상기 제1 N형 클래딩층 표면 상에 극성변환 버퍼층과, 제2 N형 클래딩층과 N형 오믹콘택층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 수직형 발광소자 제조방법 |
7 |
7 제 6항에 있어서, 상기 제1 N형 클래딩층의 노출된 표면의 불순물을 제거하거나 평탄화하기 위한 클리닝 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법 |
8 |
8 제 6항에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 기판의 표면에 질화갈륨 또는 질화알루미늄을 성장시켜서 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법 |
9 |
9 제 6항에 있어서, 상기 활성층과, 상기 극성변환 버퍼층은 8-나인 순도(8-nine purity)의 갈륨과 7-나인 순도(7-nine purity)의 인듐 금속을 열로 증발시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 제조방법 |
10 |
10 제 6항에 있어서, 상기 활성층과, 상기 극성변환 버퍼층은 MBE 장비, MOCVD, 전자빔 증착기, PVD, CVD, PLD, 이중형의 열증착기 중의 하나 또는 둘 이상의 장비를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법 |
11 |
11 제 10항에 있어서, 상기 극성변환 버퍼층은 660℃ 내지 740℃에서 80분 내지 160분간 증착되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법 |
12 |
12 제 10항에 있어서, 상기 MBE 장비, MOCVD, 전자빔 증착기, PVD, CVD, PLD, 이중형의 열증착기 중의 하나 또는 둘 이상의 장비를 사용하여 극성변환 버퍼층을 형성할 때, 갈륨유입은 1 |
13 |
13 삭제 |
14 |
14 제 9항에 있어서, 상기 극성변환 버퍼층에서 인듐의 몰분율은 2~2 |
15 |
15 제 1항, 제 4항 및 제 5항 중 어느 한 항으로 형성된 다수의 수직형 발광소자로 형성되는 광원; 상기 광원에서 발광하는 광을 집광, 확산 및 가이드하는 다수의 광학부재; 및 상기 광원 및 상기 광학부재를 보호하는 몰드프레임을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛 |
16 |
16 제 15항에 있어서, 상기 광원은 다수의 질화물계 발광소자를 조합하여 백색광을 발광하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛 |
17 |
17 액정을 갖는 액정패널; 상기 액정패널 배면에서 광을 제공하는 제 1항, 제 4항 및 제 5항 중 어느 한 항으로 형성된 다수의 수직형 발광소자를 광원으로 사용하는 백라이트 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 |
18 |
18 제 1항, 제 4항 및 제 5항 중 어느 한 항으로 형성된 다수의 수직형 발광소자로 형성되는 광원을 포함하는 조명장치 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-0929307-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20070611 출원 번호 : 1020070056872 공고 연월일 : 20091127 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20091104 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 33/00 A05 발명의 명칭 : 수직형 발광소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20191124 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 315,000 원 | 2009년 11월 23일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2012년 10월 04일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2013년 07월 17일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2014년 10월 20일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2015년 10월 30일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 469,000 원 | 2016년 09월 28일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 469,000 원 | 2017년 10월 30일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 532,500 원 | 2018년 10월 25일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 | 2007.06.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0422352-87 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.03.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5034712-96 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.03.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2008.04.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0023114-12 |
5 | 의견제출통지서 | 2008.04.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0228507-42 |
6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2008.06.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0467558-18 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.07.25 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0538978-13 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.07.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0538979-69 |
9 | 의견제출통지서 | 2008.11.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0590761-79 |
10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2009.01.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0049575-25 |
11 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.02.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0115082-11 |
12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.02.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0115083-56 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
14 | 최후의견제출통지서 | 2009.06.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0261310-19 |
15 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2009.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0428694-95 |
16 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.08.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0479771-97 |
17 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.08.05 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2009-0479769-05 |
18 | 등록결정서 | 2009.11.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0456484-51 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345096817 |
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세부과제번호 | 과C6A2001 |
연구과제명 | 첨단부품소재사업단 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 고려대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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