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쾌속 반응 산화물 반도체형 가스 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015133852
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 운전자의 음주운전 여부를 효과적으로 빠르게 판단할 수 있는 개량된 구조의 산화물 반도체형 가스 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 센서는, SnO2, ZnO, In2O3, WO3, Fe2O3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 산화물 반도체에 NiO, CoO 및 MnO2 중 어느 하나가 첨가된 산화물 반도체형 가스 센서이다. 본 발명에 따르면, Ni 또는 Co 또는 Mn이 포함된 산화물 반도체를 이용해 가스 센서를 제조함으로써 일차 입자의 크기가 작으면서도 응집이 되지 않는 구조의 가스 센서를 제조할 수 있다. 가스 센서에 포함되는 NiO, CoO 또는 MnO2는 표면에서의 반응을 촉진시키는 나노촉매 기능을 하기 때문에 알코올을 매우 빠르게 감응하며 주위 환경에서 알코올 농도가 낮아질 경우 매우 빠르게 회복함으로써 알코올 농도의 실시간 감지를 가능하게 해준다.
Int. CL G01N 27/12 (2011.01) G01N 27/00 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020070120235 (2007.11.23)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0981166-0000 (2010.09.02)
공개번호/일자 10-2009-0053395 (2009.05.27) 문서열기
공고번호/일자 (20100910) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종흔 대한민국 경기 과천시
2 김해룡 대한민국 광주 북구
3 최권일 대한민국 서울 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0844245-86
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0170263-15
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0948537-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0059411-55
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0376353-24
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0653952-92
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0653972-05
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0095190-34
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0252451-04
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0252424-71
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
15 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0386695-26
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
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2 2
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3 3
삭제
4 4
SnO2, ZnO, WO3, Fe2O3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 산화물 반도체에 NiO, CoO 및 MnO2 중 어느 하나와 Pt가 첨가되고, NiO 또는 CoO 또는 MnO2의 첨가량이 상기 산화물 반도체 대비 0
5 5
제4항에 있어서, 상기 산화물 반도체 원료가 분말, 나노 중공입자 및 나노로드 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체형 가스 센서
6 6
Sn, Zn, In, W, Fe 및 Ti로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속 전구체의 수화반응을 일으켜 SnO2, ZnO, In2O3, WO3, Fe2O3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 산화물 반도체 침전물을 형성하는 단계; 상기 침전물을 세척, 건조 및 열처리하여 분말을 얻는 단계; 상기 분말에 Ni, Co 및 Mn 중 어느 하나를 첨가하여 Ni 또는 Co 또는 Mn이 포함된 산화물 반도체 분말을 얻는 단계; 및 상기 Ni 또는 Co 또는 Mn이 포함된 산화물 반도체 분말로 막을 형성한 후 열처리하여 NiO 또는 CoO 또는 MnO2가 포함된 산화물 반도체형 가스 센서를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서 제조 방법
7 7
Sn, Zn, In, W, Fe 및 Ti로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속 전구체에 Ni, Co 및 Mn 입자 중 어느 하나를 넣고 수화반응을 일으켜 금속 수화물이 코팅된 Ni 또는 Co 또는 Mn 입자를 형성하는 단계; 상기 금속 수화물이 코팅된 Ni 또는 Co 또는 Mn 입자를 세척, 건조 및 열처리하여 SnO2, ZnO, In2O3, WO3, Fe2O3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 산화물 반도체 분말을 얻는 단계; 상기 분말로부터 Ni 또는 Co 또는 Mn 입자를 녹여 NiO 또는 CoO 또는 MnO2가 포함된 산화물 반도체 나노 중공입자를 얻는 단계; 및 상기 NiO 또는 CoO 또는 MnO2가 포함된 산화물 반도체 나노 중공입자로 막을 형성한 후 열처리하여 NiO 또는 CoO 또는 MnO2가 포함된 산화물 반도체형 가스 센서를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서 제조 방법
8 8
수열합성 반응으로 SnO2, ZnO, In2O3, WO3, Fe2O3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 산화물 반도체 나노로드를 합성하는 단계; 상기 산화물 반도체 나노로드에 Ni, Co 및 Mn 중 어느 하나를 첨가하여 Ni 또는 Co 또는 Mn이 포함된 산화물 반도체 나노로드를 얻는 단계; 및 상기 Ni 또는 Co 또는 Mn이 포함된 산화물 반도체 나노로드로 막을 형성한 후 열처리하여 NiO 또는 CoO 또는 MnO2가 포함된 산화물 반도체형 가스 센서를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서 제조 방법
9 9
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 금속 전구체의 수화반응시 Pt 전구체를 첨가하여 Pt가 포함된 산화물 반도체 침전물을 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 센서 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, Ni, Co 및 Mn 중 어느 하나 첨가시 Pt를 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 가스 센서 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.