요약 | 고효율의 태양전지 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 태양전지(100)는 기판(110), 기판(110) 상에 형성된 경사 식각 프로파일을 갖는 패턴층(120), 패턴층(120) 상에 형성된 반도체층(130), 반도체층(130) 상에 형성된 투명 전도층(140), 및 전극(150, 160)을 포함한다. 본 발명에 따르면, 피드미드형, 콘형의 요철 패턴층(120)을 기판(110) 상에 형성하여 태양광의 흡수 효율을 향상시킴으로써 고효율의 태양전지를 제조할 수 있다. 태양전지, 요철 |
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Int. CL | H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) |
CPC | H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020070096966 (2007.09.21) |
출원인 | 고려대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0937140-0000 (2010.01.08) |
공개번호/일자 | 10-2009-0031117 (2009.03.25) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20100115) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | 심판사항 |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2007.09.21) |
심사청구항수 | 8 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이헌 | 대한민국 | 서울특별시 노원구 |
2 | 김동환 | 대한민국 | 서울특별시 용산구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김한 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 주식회사 가이아에너지 | 경기도 용인시 기흥구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.09.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0690364-98 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.03.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5034712-96 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.08.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.08.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0053938-64 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.04.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0148514-42 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.05.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0321743-14 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.05.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0321761-25 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
9 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2009.09.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0388527-08 |
10 | 명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2009.10.19 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2009-0052135-16 |
11 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.12.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0523372-07 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 삭제 |
2 |
2 기판; 상기 기판 상에 형성된 경사 식각 프로파일을 갖는 실리콘 산화물로 이루어진 패턴층; 상기 패턴층 상에 형성된 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 형성된 투명 전도층 을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 |
3 |
3 제2항에 있어서, 상기 기판은 다결정 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 제2항에 있어서, 상기 패턴층의 형상은 피라미드형, 콘형을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 |
6 |
6 제2항에 있어서, 상기 반도체층은 n형으로 도핑된 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 |
7 |
7 제2항에 있어서, 상기 투명 전도층은 ITO, ZnO를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 |
8 |
8 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 경사 식각 프로파일을 갖는 실리콘 산화물로 이루어진 패턴층을 형성하는 단계; 상기 패턴층 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 반도체층 상에 형성된 투명 전도층을 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법 |
9 |
9 제8항에 있어서, 상기 패턴층의 형상은 피라미드형, 콘형을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법 |
10 |
10 제9항에 있어서, 상기 패턴층을 형성하는 방법은 등방성 식각법을 포함하는 특징으로 하는 태양전지 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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국가 R&D 정보가 없습니다. |
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특허 등록번호 | 10-0937140-0000 |
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표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20070921 출원 번호 : 1020070096966 공고 연월일 : 20100115 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20091221 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 고효율 태양전지 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구... |
2 |
(의무자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구... |
2 |
(권리자) 주식회사 가이아에너지 경기도 용인시 기흥구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 178,500 원 | 2010년 01월 11일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 216,000 원 | 2013년 01월 02일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 259,200 원 | 2014년 01월 20일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 151,200 원 | 2014년 12월 31일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 404,000 원 | 2016년 01월 04일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 282,800 원 | 2017년 01월 09일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 308,250 원 | 2018년 04월 03일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 340,000 원 | 2019년 01월 07일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 700,400 원 | 2020년 02월 10일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.09.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0690364-98 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.03.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5034712-96 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.08.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2008.08.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0053938-64 |
5 | 의견제출통지서 | 2009.04.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0148514-42 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.05.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0321743-14 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.05.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0321761-25 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
9 | 거절결정서 | 2009.09.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0388527-08 |
10 | 명세서 등 보정서(심사전치) | 2009.10.19 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2009-0052135-16 |
11 | 등록결정서 | 2009.12.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0523372-07 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1340010230 |
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세부과제번호 | 과C6A2001 |
연구과제명 | 첨단부품소재사업단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 고려대학교 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200603~201202 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
과제고유번호 | 1415091570 |
---|---|
세부과제번호 | 2008-E-AP-HM-P-09-0000 |
연구과제명 | 나노패터닝기술을이용한고효율LED소자기술인력양성 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
연구주관기관명 | 고려대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200808~201107 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
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1 | 2009101009568 | 2009원9568 | 2007년 특허출원 제0096966호 거절결정불복심판 | 2009.10.19 | 2009.12.21 |