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계층적 구조를 이용한 고감도, 쾌속반응 산화물 반도체형가스 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015133966
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고감도, 쾌속반응 산화물 반도체형 가스 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 센서는 다공질의 나노 계층적 구조를 가지는 산화물 반도체형 가스 센서이며, 본 발명에 따른 가스 센서 제조 방법에서는, 금속 전구체의 수열합성 반응을 일으켜 나노 계층적 구조를 가지는 산화물 반도체 침전물을 형성한 후, 상기 침전물을 세척 및 건조하여 분말을 얻는다. 그런 다음, 상기 분말로 막을 형성한 후 열처리하여 다공질의 나노 계층적 구조를 가지는 산화물 반도체형 가스 센서를 제조한다.
Int. CL G01N 27/12 (2011.01) G01N 27/00 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020070141269 (2007.12.31)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0989611-0000 (2010.10.18)
공개번호/일자 10-2009-0073350 (2009.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20101026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.31)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종흔 대한민국 경기 과천시
2 김해룡 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0949094-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0067806-18
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0430524-92
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0745924-04
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0745918-29
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0160777-38
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0363310-45
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0363287-82
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
13 등록결정서
Decision to grant		 2010.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0458691-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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4 4
점, 선 또는 면의 구조를 가진 일차 입자가 모인 나노 계층적 구조의 구형 입자로 이루어짐에 따라 다공질인 가스 감응층을 포함하며, 상기 가스 감응층의 주성분은 SnO2, ZnO, In2O3, WO3, Fe2O3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 산화물 반도체이고, 상기 가스 감응층에 Pd 또는 Pt를 더 포함하며, Pd 또는 Pt의 첨가량이 산화물 반도체 대비 0
5 5
금속 전구체의 수열합성 반응을 일으켜 점, 선 또는 면의 구조를 가진 일차 입자가 모인 나노 계층적 구조의 산화물 반도체 침전물을 형성하는 단계; 상기 침전물을 세척 및 건조하여 분말을 얻는 단계; 및 상기 분말로 막을 형성한 후 열처리하여 다공질의 가스 감응층을 포함하는 산화물 반도체형 가스 센서를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 가스 감응층의 주성분이 SnO2, ZnO, In2O3, WO3, Fe2O3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 가스 센서 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 가스 감응층에 Pd 또는 Pt를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체형 가스 센서 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, Pd 또는 Pt의 첨가량이 산화물 반도체 대비 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.