맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

수직형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015133968
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 인듐이 도핑된 질화갈륨 버퍼층을 이용하여 극성이 바뀐 질화갈륨 클래딩층을 포함하는 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 N형 지지물질층, N형 반사막 오믹컨택층, N형 질화갈륨 클래딩층, 활성층, P형 질화갈륨 클래딩층 및 P형 투명 오믹컨택층이 차례대로 적층되어 있는 단면구조를 가지는 수직형 질화물계 발광소자에 있어서, 상기 활성층과 P형 질화갈륨 클래딩층 사이에, 인듐(In)이 도핑된 질화갈륨(GaN) 버퍼층을 구비하여, 상기 인듐이 도핑된 질화갈륨 버퍼층에서 성장하는 상기 P형 질화갈륨 클래딩층은 P형 투명 오믹컨택층과 마주하는 면이 갈륨 극성을 가지도록 한 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 발광소자를 제공한다. 수직형 질화물계 발광소자, 갈륨 극성, 질소 극성, 오믹컨택층
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020070056871 (2007.06.11)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0910365-0000 (2009.07.27)
공개번호/일자 10-2009-0003446 (2009.01.12) 문서열기
공고번호/일자 (20090804) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.11)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성 태연 대한민국 서울 서초구
2 윤 주헌 대한민국 서울 도봉구
3 홍 현기 대한민국 경기 부천시 원미구
4 전 준우 대한민국 서울 동대문구
5 김 용현 대한민국 서울 광진구
6 김 진수 대한민국 서울 송파구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0422351-31
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0014280-72
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0225922-62
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0467553-80
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0538976-22
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0538977-78
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0590760-23
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0049578-62
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0115081-65
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.02.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0115079-73
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
14 등록결정서
Decision to grant		 2009.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0261309-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
N형 지지물질층(230), N형 반사막 오믹컨택층(220), N형 질화갈륨 클래딩층(210), 활성층(240), P형 질화갈륨 클래딩층(260) 및 P형 투명 오믹컨택층(270)이 차례대로 적층되어 있는 단면구조를 가지는 수직형 질화물계 발광소자에 있어서, 상기 활성층(240)과 P형 질화갈륨 클래딩층(260) 사이에, 인듐(In)이 도핑된 질화갈륨(GaN) 버퍼층(250)을 구비하여, 상기 인듐이 도핑된 질화갈륨 버퍼층(250)에서 성장하는 상기 P형 질화갈륨 클래딩층은 P형 투명 오믹컨택층과 마주하는 면의 극성이 질소 극성에서 갈륨 극성으로 변환되도록 한 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 발광소자
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 인듐이 도핑된 질화갈륨 버퍼층에서 인듐이 차지하는 몰분율은 2~2
4 4
사파이어 기판위에 버퍼층과, N형 질화갈륨 클래딩층과, N형 반사막 오믹컨택층과, N형 지지물질층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 사파이어 기판 및 상기 버퍼층을 상기 N형 질화갈륨 클래딩층으로부터 분리(lift-off)시키는 단계; 및 상기 사파이어 기판 및 상기 버퍼층이 분리된 상기 N형 질화갈륨 클래딩층의 표면에 활성층과, 인듐이 도핑된 질화갈륨 버퍼층과, P형 질화갈륨 클래딩층과, P형 투명 오믹컨택층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 수직형 질화물계 발광소자 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 사파이어 기판 및 상기 버퍼층을 분리한 N형 질화갈륨 클래딩층의 표면의 불순물을 제거하고, 평탄화하기 위한 클리닝 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 발광소자 제조방법
6 6
제 4항에 있어서, 상기 버퍼층은 사파이어 기판의 표면에 질화갈륨 또는 질화알루미늄을 성장시켜서 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 발광소자 제조방법
7 7
제 4항에 있어서, 상기 활성층과, 상기 인듐이 도핑된 질화갈륨 버퍼층의 형성은, 8-나인 순도(8-nine purity)의 갈륨과 7-나인 순도(7-nine purity)의 인듐 금속을 열로 증발시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 발광소자 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 활성층과, 상기 인듐이 도핑된 질화갈륨 버퍼층 형성은, MBE 장비, MOCVD, 전자빔 증착기, PVD, CVD, PLD, 이중형의 열증착기 중의 하나 또는 둘 이상의 장비에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 발광소자 제조방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 인듐이 도핑된 질화갈륨 버퍼층의 형성은, 660℃ 내지 740℃에서 80분 내지 160분간 증착되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 발광소자 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 갈륨 유입은 1
11 11
삭제
12 12
제 4항에 있어서, 상기 인듐이 도핑된 질화갈륨 버퍼층에서 인듐의 몰분율은 2~2
13 13
제 4항에 있어서, 상기 P형 질화갈륨 클래딩층의 성장은 870℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 발광소자 제조방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 P형 질화갈륨 클래딩층의 성장은 갈륨 유입(flux)은 2
15 15
제 1 항의 발광소자가 복수개 집합되어 형성되는 광원; 상기 광원에서 발광하는 광을 집광, 확산 및 가이드하는 다수의 광학부재; 및 상기 광원 및 상기 광학부재를 보호하는 몰드프레임을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛
16 16
제 15항에 있어서, 상기 광원은 다수의 질화물계 발광소자를 조합하여 백색광을 발광하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛
17 17
액정을 갖는 액정패널; 상기 액정패널 배면에서 광을 제공하는 제 1항의 수직형 발광소자를 광원으로 사용하는 백라이트 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
18 18
제 1 항의 수직형 발광소자가 다수개 집합되어 형성되는 광원을 포함하는 조명장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.