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질화물 발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134110
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산소 분자를 고농도로 실리콘이 도핑된 분리층에 주입하고, 에피택시얼 성장 과정 또는 열처리 과정에서 실리콘과 산소 분자가 서로 반응하여 산화실리콘층이 분리층에 형성되도록 한 후, 산화실리콘층을 습식 식각하여 질화물층이 성장된 사파이어 기판과 같은 기판을 분리함으로써, 엑시머 레이저 등을 이용하여 기판과 질화물층을 분리하여 박막 발광 소자를 제조하는 종래 기술에 비하여, 저비용으로 레이저 리프트 오프 과정의 열손상에 의해서 발생하는 N형 전극 영역에서 ohmic 특성의 열화가 없는 박막 발광 소자를 제조할 수 있는 효과가 있을 뿐아니라 계면에서 발생하는 물리적인 스트레스에 의해 소자가 손상되는 것을 최소화 할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 분리층이 형성되는 깊이를 조절함으로써 기판 분리후의 N형 질화물 반도체층의 두께를 조절할 수 있는 효과가 있고, 따라서, N형 질화물 반도체층의 두께를 얇게 조절할 수도 있으므로 발광 소자 내에서 발생하는 열방출을 용이하게 하는 효과뿐만 아니라 활성층에서 N형 질화물 반도체층간의 두께가 얇아서 흡수되는 빛의 양을 감소시켜 발광 소자 전체의 광효율을 향상시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/02 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020070076547 (2007.07.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0874653-0000 (2008.12.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.30)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기 성남시 분당구
2 임시종 대한민국 서울시 서대문구
3 신영철 대한민국 서울시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정식 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울 성북구
2 (주)루미온텍 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0556620-72
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.05.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0034255-09
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0338512-73
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0603529-41
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0603509-38
8 등록결정서
Decision to grant
2008.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0621580-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 내부에 고농도로 실리콘이 도핑된 분리층 형성 영역을 포함하는 제 1 질화물 반도체층을 소정의 기판 위에 형성하는 단계;(b) 산소 분자를 상기 제 1 질화물 반도체층의 상부를 통과시켜 상기 분리층 형성 영역에 주입하는 단계; (c) 상기 제 1 질화물 반도체층 위에 활성층 및 제 2 질화물층을 순차적으로 형성하면서 상기 분리층 형성 영역에 분리층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 분리층을 습식 식각하여 상기 기판을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서상기 분리층은, 상기 분리층 형성 영역에 포함된 고농도로 도핑된 실리콘과 산소 분자가 상기 활성층 및 상기 제 2 질화물층이 형성되는 동안 인가된 열에 의해서 서로 반응하여 생성된 산화실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 (b) 단계는상기 분리층이 균일하지 않은 깊이로 형성되도록 상기 산소 분자를 주입하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 (b) 단계는상기 분리층에 요철이 형성되도록 상기 산소 분자를 주입하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
5 5
(a) 내부에 고농도로 실리콘이 도핑된 분리층 형성 영역을 포함하는 제 1 질화물 반도체층을 소정의 기판 위에 형성하고, 상기 제 1 질화물 반도체층 위에 활성층 및 제 2 질화물층을 순차적으로 형성하는 단계;(b) 산소 분자를 상기 기판을 통과시켜 상기 분리층 형성 영역에 주입하는 단계; (c) 상기 질화물층들이 순차적으로 형성된 기판에 열처리를 수행하여 분리층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 분리층을 습식 식각하여 상기 기판을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서상기 분리층은, 상기 분리층 형성 영역에 포함된 고농도로 도핑된 실리콘과 산소 분자가 서로 반응하여 생성된 산화실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 (b) 단계는상기 분리층이 균일하지 않은 깊이로 형성되도록 상기 산소 분자를 주입하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 (b) 단계는상기 분리층에 요철이 형성되도록 상기 산소 분자를 주입하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
9 9
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패밀리정보가 없습니다
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