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신규의 티에노티오펜-비닐렌-티에노티오펜을 함유하는 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 염료를 이용한 염료감응 태양전지

  • 기술번호 : KST2015134203
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 티에노티오펜-비닐렌-티에노티오펜을 함유하는 화합물인 화학식 1의 화합물과 이의 제조방법을 개시한다. 이 티에노티오펜-비닐렌-티에노티오펜을 함유하는 화합물을 포함하는 염료를 금속 산화물층에 흡착시켜 성능이 우수한 염료감응 태양전지를 형성할 수 있다.003c#화학식 1003e#여기서, D는 전자 주개(electron doner) 그룹이고, A는 전자 당김(electron acceptor) 그룹이며, R1 내지 R4는 수소(H), 탄소수 1 내지 10의 알킬(alkyl)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이다
Int. CL C07D 495/04 (2006.01) C07D 409/04 (2006.01) C07D 495/22 (2006.01)
CPC C07D 495/04(2013.01) C07D 495/04(2013.01) C07D 495/04(2013.01) C07D 495/04(2013.01) C07D 495/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090071616 (2009.08.04)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1179696-0000 (2012.08.29)
공개번호/일자 10-2011-0013910 (2011.02.10) 문서열기
공고번호/일자 (20120904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.04)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고재중 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
2 최현봉 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
3 김덕현 대한민국 충청남도 연기군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 세종산학협력단 세종특별자치시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0476655-84
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0058834-50
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0503430-42
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0380541-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0703601-47
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0703591-78
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0052958-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0245348-14
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0245366-25
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0499178-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 티에노티오펜-비닐렌-티에노티오펜(thienothiophene-vinylene-thienothiophene)을 함유하는 화합물
2 2
제1항에 있어서,상기 화학식 1의 R1 내지 R4는 헥실(hexyl)인 것을 특징으로 하는 티에노티오펜-비닐렌-티에노티오펜을 함유하는 화합물
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 20의 화합물 및 하기 화학식 21의 화합물 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 티에노티오펜-비닐렌-티에노티오펜을 함유하는 화합물
6 6
하기 화학식 22의 화합물과 하기 화학식 23의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 24의 화합물을 형성하는 단계를 포함하여 하기 화학식 1의 화합물을 제조하는 것을 특징으로 하는 티에노티오펜-비닐렌-티에노티오펜(thienothiophene-vinylene-thienothiophene)을 함유하는 화합물의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 화학식 23의 화합물은,TiCl4와 Zn가 포함되어 있는 THF 용액에 하기 화학식 25의 화합물을 첨가하여 하기 화학식 26의 화합물을 형성하는 단계; 및하기 화학식 26의 화합물과 하기 화학식 27의 화합물(pinacol borate)을 반응시켜 상기 화학식 23의 화합물을 형성하는 단계;를 포함하여 제조하는 것을 특징으로 하는 티에노티오펜-비닐렌-티에노티오펜을 함유하는 화합물의 제조방법
8 8
삭제
9 9
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10 10
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11 11
삭제
12 12
전도성 기판;상기 전도성 기판 상에 형성되고, 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 염료가 흡착된 금속 산화물층을 포함하는 반도체 전극;대향 전극; 및상기 반도체 전극과 상기 대향 전극 사이를 채우는 전해질(electrolyte);을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
13 13
제12항에 있어서,상기 화학식 1의 R1 내지 R4는 헥실(hexyl)인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
제12항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 20의 화합물 및 하기 화학식 21의 화합물 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
17 17
제12항, 제13항 또는 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 산화물층에는 첨가제(coadsorbent)가 더 흡착되어 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
18 18
제17항에 있어서,상기 첨가제는 DCA‥TBA(tetrabutylammonium chenodeoxycholic acid salt)인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
19 19
제12항, 제13항 또는 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전해질은 고체 상태(solid-state) 전해질인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
20 20
제19항에 있어서,상기 고체 상태 전해질은 Spiro-OMeTAD(2,2'',7,7''-tetrakis(N,N-dimethoxyphenylamine)-9,9''-spiro-bifluorene)인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.