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전자 물질막의 형성 방법 및 이를 적용한 전자소자의 제조 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2015131899
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스퍼터링을 기반으로 하는 전자, 전기 소자용도의 박막의 형성방법에 관해 기술된다. 기판이나 기판상에 형성된 하부 적층 또는 구조물을 플라즈마에 의한 손상으로부터 보호할 수 있으면서도 양질의 전기/물질적 특성을 가지는 막질을 얻을 수 있다. 대상물질로서는 도전성, 반도체, 저항성 물질이 포함될 수 있으며, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 TCO(Transparent Conductive Oxide) 물질이 포함될 수 있다. 증착법은 스퍼터링에 의한 단위 전자 물질막 또는 단위 전극층 형성과 비반응성 원소로부터 얻어진 중성 입자빔에 의한 단위 전자 물질막 또는 전극층의 표면처리를 포함 한다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 21/02689(2013.01) H01L 21/02689(2013.01) H01L 21/02689(2013.01) H01L 21/02689(2013.01) H01L 21/02689(2013.01)
출원번호/일자 1020090074008 (2009.08.11)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1145343-0000 (2012.05.04)
공개번호/일자 10-2011-0016347 (2011.02.17) 문서열기
공고번호/일자 (20120514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.11)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍문표 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 장진녕 대한민국 대전광역시 유성구
3 이유종 대한민국 인천광역시 서구
4 이봉주 대한민국 대전광역시 유성구
5 유석재 대한민국 대전광역시 유성구
6 강석준 대한민국 경기도 시흥시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 세종산학협력단 세종특별자치시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0490547-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0025053-58
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0179516-61
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0275142-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0355945-18
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0355947-10
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0601768-39
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-1003115-63
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-1003116-19
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0238938-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비반응성 가스를 플라즈마 가스로 이용하고 전자물질을 타겟으로 이용하는 스퍼터링 법에 의해 기판 상에 단위 전자물질 박막을 형성하는 단계;단위 전자물질 박막 형성 시 사용된 상기 비반응성 가스로부터 중성입자빔을 얻는 단계;상기 중성입자빔을 단위 전자물질 박막에 입사시켜 상기 단위 전자물질 박막을 후처리하는 단계; 그리고상기 단위 전자물질 박막을 형성 단계와 상기 후처리 하는 단계를 반복 실시하여 목표하는 두께의 전자물질막을 형성하는 단계;를 포함하는 전자 물질막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 중성 입자빔:은 상기 비반응성 가스를 이용하여 플라즈마 발생하는 단계; 그리고 상기 플라즈마 중의 양이온의 중성화 하는 단계;에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 물질막의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전자물질은 TCO(Transparent Conductive Oxide)인 것을 특징으로 하는 전자 물질막의 제조방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 단위 전자물질 박막을 형성하는 단계와 상기 단위 전자물질 박막을 후처리하는 단계 중 적어도 어느 하나의 단계는 상기 기판으로 진행하는 플라즈마에 의한 하전입자를 자기장을 이용하는 플라즈마 리미터에 의해 차단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 물질막의 제조방법
8 8
삭제
9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
OLED를 구동하는 액티브매트릭스 어드레싱 구조물을 포함하는 기능성 적층이 마련된 기판을 준비하는 단계;비반응성 가스를 플라즈마 가스로 이용하고 전자물질을 타겟으로 이용하는 스퍼터링 법에 의해 기판 상에 단위 전자물질 박막을 형성하는 단계;단위 전자물질 박막 형성 시 사용된 상기 비반응성 가스로부터 중성입자빔을 얻는 단계;상기 중성입자빔을 단위 전자물질 박막에 입사시켜 상기 단위 전자물질 박막을 후처리하는 단계; 그리고상기 단위 전자물질 박막을 형성 단계와 상기 후처리 하는 단계를 반복 실시하여 목표하는 두께의 전자물질막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED 디스플레이의 제조방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 OLED는 제 1 전극과 제 2 전극 및 이들 사이의 유기 발광막을 포함하며, 상기 전자물질막은 상기 제 1 전극과 제 2 전극 중의 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 OLED 디스플레이의 제조방법
17 17
제 15 항에 있어서,상기 OLED는 제 1 전극과 제 2 전극 및 이들 사이의 제 3 전극을 포함하고, 상기 제 1 전극과 제 3 전극 사이와 제 3 전극과 제 2 전극의 사이 각각에 유기 발광막이 마련되고, 상기 전자물질막은 상기 제 1 전극, 제 2 전극 및 제 3 전극 중 적어도 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 OLED 디스플레이의 제조방법
18 18
제 15 항에 있어서,상기 전자물질 박막은 TCO(Transparent Conductive Oxide)로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 디스플레이의 제조방법
19 19
삭제
20 20
제 15 항 내지 18 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 전자물질 박막을 형성하는 단계와 상기 단위 전자물질 박막을 후처리하는 단계 중의 적어도 어느 한 단계는 자기장에 의한 플라즈마 리미터를 이용하여 상기 기판으로의 플라즈마에 의한 하전입자 진행을 차단하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED 디스플레이의 제조방법
21 21
고체원소 타겟에 대한 플라즈마 스퍼터링이 진행되는 플라즈마 챔버;상기 플라즈마 챔버에 인접하는 것으로 상기 타겟으로부터 스퍼터된 고체원소가 증착되는 기판이 위치하는 기판 챔버;상기 플라즈마 챔버와 기판 챔버의 사이에 위치하여 플라즈마 챔버로부터의 플라즈마 이동을 제한하는 플라즈마 리미터; 그리고상기 플라즈마 챔버 위에 형성되는 것으로 플라즈마 챔버로부터 발생된 플라즈마 이온이 유도되는 금속성 리플렉터와 금속성 리플렉터가 위치하는 중성입자 챔버를 구비하는 중성입자빔 발생부를 구비하는 스퍼터링 기반의 증착장치
22 22
제 1 항에 있어서,상기 기판은 플라스틱 판재인 것을 특징으로 하는 전자 물질막의 제조방법
23 23
제 1 항 또는 제 22 항에 있어서,상기 기판에는 전자 소자의 기능성 적층이 형성되어 있고,상기 전자 물질막은 상기 기능성 적층 위에 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 물질막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신연구진흥원 주식회사 와이에스썸텍 대학정보통신연구센터지원사업 [1차년도-사업체]모바일 태양광발전 시스템용 정보소재 연구