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박막 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134665
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 위에 미세 결정질 반도체를 형성하는 단계, 그리고 상기 미세 결정질 반도체와 전기적으로 연결되어 있으며 서로 마주하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 미세 결정질 반도체를 형성하는 단계 중 적어도 하나는 기판을 플라스마 방전 공간에 배치하는 단계, 상기 플라스마 방전 공간에 상기 게이트 절연막 또는 상기 미세 결정질 반도체를 형성하기 위한 고체 원소 또는 기체 원소를 공급하는 단계, 상기 고체 원소 또는 상기 기체 원소를 플라스마 입자와 충돌시켜 양이온을 생성하는 단계, 상기 양이온을 중성 입자로 변환하는 단계, 그리고 상기 중성 입자로부터 박막을 형성하는 단계를 포함한다. 미세 결정질 반도체, 플라스마, 기상화학증착, 스퍼터링, 중성 입자, 박막
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/66765(2013.01) H01L 29/66765(2013.01) H01L 29/66765(2013.01) H01L 29/66765(2013.01)
출원번호/일자 1020090024094 (2009.03.20)
출원인 고려대학교 산학협력단, 에버테크노 주식회사
등록번호/일자 10-1024631-0000 (2011.03.17)
공개번호/일자 10-2010-0105194 (2010.09.29) 문서열기
공고번호/일자 (20110325) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 신비앤텍 주식회사 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍문표 대한민국 경기 성남시 분당구
2 장진녕 대한민국 대전 유성구
3 유병문 대한민국 충남 천안시
4 김재연 대한민국 충남 아산시
5 박준호 대한민국 충남 아산시
6 이봉주 대한민국 대전 유성구
7 유석재 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0170711-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2010-5173824-20
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.11.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0072151-98
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0533862-60
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0056307-29
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0056305-38
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0106249-22
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2017-5163132-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2018-5131314-99
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2018-5131628-02
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2019-5011290-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 위에 미세 결정질 반도체를 형성하는 단계, 그리고 상기 미세 결정질 반도체와 전기적으로 연결되어 있으며 서로 마주하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계 를 포함하고, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 미세 결정질 반도체를 형성하는 단계 중 적어도 하나는 기판을 플라스마 방전 공간에 배치하는 단계, 상기 플라스마 방전 공간에 상기 게이트 절연막 또는 상기 미세 결정질 반도체를 형성하기 위한 고체 원소 또는 기체 원소를 공급하는 단계, 상기 고체 원소 또는 상기 기체 원소를 플라스마 입자와 충돌시켜 양이온을 생성하는 단계, 상기 양이온을 중성 입자로 변환하는 단계, 그리고 상기 중성 입자로부터 박막을 형성하는 단계 를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제1항에서, 상기 미세 결정질 반도체를 형성하는 단계 후에 비정질 반도체를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 비정질 반도체를 형성하는 단계는 상기 플라스마 방전 공간에 상기 비정질 반도체를 형성하기 위한 고체 원소 또는 기체 원소를 공급하는 단계, 상기 고체 원소 또는 상기 기체 원소를 플라스마 입자와 충돌하여 양이온을 생성하는 단계, 상기 양이온을 중성 입자로 변환하는 단계, 그리고 상기 중성 입자로부터 박막을 형성하는 단계 를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제2항에서, 상기 비정질 반도체를 형성하는 단계 후에 불순물 함유 비정질 규소를 포함하는 저항성 접촉층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 저항성 접촉층을 형성하는 단계는 상기 플라스마 방전 공간에 상기 불순물 함유 비정질 규소를 형성하기 위한 고체 원소 또는 기체 원소를 공급하는 단계, 상기 고체 원소 또는 상기 기체 원소를 플라스마 입자와 충돌하여 양이온을 생성하는 단계, 상기 양이온을 중성 입자로 변환하는 단계, 그리고 상기 중성 입자로부터 박막을 형성하는 단계 를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제3항에서, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 미세 결정질 반도체를 형성하는 단계, 상기 비정질 반도체를 형성하는 단계 및 상기 저항성 접촉층을 형성하는 단계는 상기 플라스마 방전 공간에서 연속적으로 수행되는 박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제4항에서, 상기 플라스마 방전 공간에 고체 원소를 공급하는 단계는 상기 플라스마를 고체 원소의 타겟에 충돌시켜 상기 고체 원소를 플라스마 방전 공간으로 스퍼터링하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제5항에서, 상기 양이온을 중성 입자로 변환하는 단계는 상기 양이온을 상기 플라스마 방전 공간에 배치되어 있는 금속판으로 유도하는 단계, 그리고 상기 금속판과 상기 양이온의 충돌에 의해 상기 양이온을 상기 중성 입자로 변환하는 단계 를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제2항에서, 상기 플라스마 방전 공간에 기체 원소를 공급하는 단계는 상기 플라스마 방전 공간으로 기체 원소를 기체 형태로 직접 공급하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
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9 9
삭제
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