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광추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134484
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 발광 소자의 투명 전극층의 굴절율이 상부로 갈수록 점차 감소하여, 공기와 맞닿는 계면에서 공기 등과의 굴절율의 차이가 최소화되도록 투명 전극층을 형성한다. 이로 인해, 활성층에서 발생된 광이 투명 전극층과 공기와의 계면에서 전반사되어 발광 소자 내부로 다시 유입되는 광의 양이 최소화되어 광추출 효율이 향상된다. 구체적으로, 본 발명은 투명 전극층을 형성할 때 폴리머 비드를 단일층으로 정렬시키고, 에칭 공정을 수행하여 폴리머 비드의 크기를 조절한 후, 그 사이에 투명 전극층 형성 물질을 채운 후 버닝(burning) 공정을 수행하여 폴리머 비드를 제거함으로써 투명 전극층에 공극을 형성한다. 그 후, 동일한 방식으로 공극이 내부에 포함된 투명 전극층위에 보다 더 큰 공극이 포함된 투명 전극층을 형성하고, 이렇게 형성된 투명 전극층 위에 보다 더 큰 공극이 포함된 투명 전극층을 형성하는 과정을 반복하여, 다층으로 구성되고 상부층으로 갈수록 공극의 양이 증가하고 투명 전극층 형성 물질의 양이 감소하여 굴절율이 감소하도록 투명 전극층을 형성한다.
Int. CL H01L 33/36 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020080072616 (2008.07.25)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1004310-0000 (2010.12.21)
공개번호/일자 10-2010-0011406 (2010.02.03) 문서열기
공고번호/일자 (20101228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이병규 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)
2 김정식 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)
3 이재광 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 아이엘사이언스 경기도 성남시 중원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0535356-10
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0114077-14
3 보정요구서
Request for Amendment		 2009.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0013972-54
4 직권수리안내서
Notification of Ex officio Acceptance		 2009.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0014060-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.07.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0047479-57
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0122599-27
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0321048-14
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0321053-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0411041-75
13 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.10.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0043168-25
14 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0574227-93
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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(a) 기판에 광을 발생시키는 반도체층을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 반도체층위에, 복수의 서브 투명 전극층으로 구성되는 투명 전극층을 형성하되, 상기 반도체층으로부터 상부로 갈수록 각 서브 투명 전극층에 포함되는 공극의 양이 증가하도록 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 (b1) 폴리머 비드를 상기 반도체층위에 정렬시키고, 상기 폴리머 비드의 크기를 감소시킨 후, 상기 폴리머 비드를 내부에 포함하는 서브 투명 전극층을 형성하는 단계; (b2) 상기 폴리머 비드를 제거하여 상기 서브 투명 전극층 내부에 공극을 형성하는 단계; 및 (b3) 상기 서브 투명 전극층 위에 상기 (b1) 단계 및 (b2) 단계를 반복적으로 수행하여 복수의 서브 투명 전극층으로 구성되는 상기 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 (b1) 단계는 상기 폴리머 비드를 에칭하여 크기를 감소시키는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 (b2) 단계는 버닝(burning) 공정을 수행하여 상기 폴리머 비드를 제거하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (b3) 단계는 상부의 서브 전극층에 형성되는 공극이 하부의 서브 전극층에 형성된 공극보다 더 크도록, 상기 폴리머 비드의 크기를 감소시키는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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1 한국과학재단 고려대학교 특정기초연구 (2차년도)GaN LED의 신뢰성 및 출력향상을 위한 AI기반고반사 전극구조 연구