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초고속 비휘발성 자기 랜덤 액세스 메모리

  • 기술번호 : KST2015134966
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 자기 랜덤 액세스 메모리가 개시된다. 본 발명에 따른 자기 랜덤 액세스 메모리는 행 및 열로 정렬되는 자기기록소자의 어레이로서, 자기기록소자는 판독전극, 판독전극 상에 형성된 자기고정층, 자기고정층 상에 형성된 절연막, 절연막 상에 형성되고, 자기소용돌이가 형성되어 있는 자기자유층 및 자기자유층과 오믹 콘택되도록 배치되어 있는 복수의 구동전극쌍을 구비한다. 그리고 각각의 자기기록소자는 인접한 자기기록소자와 구동전극쌍 및 판독전극을 공유하여 어레이를 이룬다. 본 발명에 의하면, 자기소용돌이가 형성된 자기자유층을 이용하여 간단한 구조로 수 나노초 이하의 시간으로 스위칭할 수 있는 자기 랜덤 액세스 메모리를 구현하는 것이 가능하다, 또한, 구동전극쌍 또는 구동전극을 복수 개 이용하여 자기 랜덤 액세스 메모리의 구동을 적은 전력으로 명확하게 할 수 있다. 자기기록소자, 자기소용돌이, 유도전압, 고유진동수, TMR
Int. CL G11C 11/16 (2006.01.01) G11C 11/15 (2006.01.01) G11C 5/02 (2006.01.01) H01L 43/08 (2006.01.01) H01L 43/10 (2006.01.01) H01L 27/22 (2006.01.01)
CPC G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01)
출원번호/일자 1020070105596 (2007.10.19)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0931553-0000 (2009.12.04)
공개번호/일자 10-2009-0040035 (2009.04.23) 문서열기
공고번호/일자 (20091214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.19)
심사청구항수 29

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상국 대한민국 서울 관악구
2 이기석 대한민국 서울 관악구
3 유영상 대한민국 서울 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0749872-31
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document		 2007.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-5086391-03
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0383021-65
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0045294-26
7 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0730217-57
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0312079-30
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0510132-16
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0510120-68
11 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0493113-40
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
행 및 열로 정렬되는 자기기록소자의 어레이로서, 상기 자기기록소자는, 판독전극; 상기 판독전극 상에 형성된 자기고정층; 상기 자기고정층 상에 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 형성되고, 자기소용돌이가 형성되어 있는 자기자유층; 및 상기 자기자유층과 오믹 콘택되도록 배치되어 있는 복수의 구동전극쌍;을 포함하고, 상기 각각의 자기기록소자는 인접한 자기기록소자와 상기 구동전극쌍 및 상기 판독전극을 공유하여 어레이를 이루고 있는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
2 2
행 및 열로 정렬되는 자기기록소자의 어레이로서, 상기 자기기록소자는, 판독전극; 상기 판독전극 상에 형성된 자기고정층; 상기 자기고정층 상에 형성된 전도막; 상기 전도막 상에 형성되고, 자기소용돌이가 형성되어 있는 자기자유층; 및 상기 자기자유층과 오믹 콘택되도록 배치되어 있는 복수의 구동전극쌍;을 포함하고, 상기 각각의 자기기록소자는 인접한 자기기록소자와 상기 구동전극쌍 및 상기 판독전극을 공유하여 어레이를 이루고 있는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
3 3
행 및 열로 정렬되는 자기기록소자의 어레이로서, 상기 자기기록소자는, 판독전극; 상기 판독전극 상에 형성된 자기고정층; 상기 자기고정층 상에 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 형성되고, 자기소용돌이가 형성되어 있는 자기자유층; 및 상기 자기자유층의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 서로 교차 형성된 복수의 구동전극;을 포함하고, 상기 각각의 자기기록소자는 인접한 자기기록소자와 상기 구동전극 및 상기 판독전극을 공유하여 어레이를 이루고 있는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
4 4
행 및 열로 정렬되는 자기기록소자의 어레이로서, 상기 자기기록소자는, 판독전극; 상기 판독전극 상에 형성된 자기고정층; 상기 자기고정층 상에 형성된 전도막; 상기 전도막 상에 형성되고, 자기소용돌이가 형성되어 있는 자기자유층; 및 상기 자기자유층의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 서로 교차 형성된 복수의 구동전극;을 포함하고, 상기 각각의 자기기록소자는 인접한 자기기록소자와 상기 구동전극 및 상기 판독전극을 공유하여 어레이를 이루고 있는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
5 5
행 및 열로 정렬되는 자기기록소자의 어레이로서, 상기 자기기록소자는, 자기소용돌이가 형성되어 있는 자기자유층; 상기 자기자유층과 오믹 콘택되도록 배치되어 있는 복수의 구동전극쌍; 및 상기 자기자유층 주변에 배치되어 상기 자기소용돌이 중심의 운동에 의해 발생되는 유도전압에 의해 생성된 전류가 흐르는 판독도선;을 포함하고, 상기 각각의 자기기록소자는 인접한 자기기록소자와 상기 구동전극쌍 및 상기 판독도선을 공유하여 어레이를 이루고 있는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
6 6
행 및 열로 정렬되는 자기기록소자의 어레이로서, 상기 자기기록소자는, 자기소용돌이가 형성되어 있는 자기자유층; 상기 자기자유층의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 서로 교차 형성된 복수의 구동전극; 및 상기 자기자유층 주변에 배치되어 상기 자기소용돌이 중심의 운동에 의해 발생되는 유도전압에 의해 생성된 전류가 흐르는 판독도선;을 포함하고, 상기 각각의 자기기록소자는 인접한 자기기록소자와 상기 구동전극 및 상기 판독도선을 공유하여 어레이를 이루고 있는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 구동전극쌍은, 2개의 구동전극쌍으로 이루어지고, 상기 2개의 구동전극쌍을 이루는 4개의 구동전극은 인접한 자기기록소자의 방향으로 길게 뻗은 판 형상으로 상기 자기자유층의 둘레 방향을 따라 90°의 간격으로 배치되며, 서로 마주보고 있는 2개의 구동전극이 각 하나의 구동전극쌍을 이루고, 상기 판독전극은, 상기 2개의 구동전극쌍의 사이 방향 중 하나의 방향으로 길게 뻗은 판 형상으로 형성되며, 각각의 상기 자기기록소자의 판독전극은 동일한 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
8 8
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 복수의 구동전극은, 길게 뻗은 판 형상으로 상기 자기자유층의 상부에 90°의 각도로 서로 교차되게 2개 배치되고, 상기 판독전극은, 상기 2개의 구동전극의 사이 방향 중 하나의 방향으로 길게 뻗은 판 형상으로 형성되며, 각각의 상기 자기기록소자의 판독전극은 동일한 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
9 9
제5항에 있어서, 상기 복수의 구동전극쌍은, 2개의 구동전극쌍으로 이루어지고, 상기 2개의 구동전극쌍을 이루는 4개의 구동전극은 인접한 자기기록소자의 방향으로 길게 뻗은 판 형상으로 상기 자기자유층의 둘레 방향을 따라 90°의 간격으로 배치되며, 서로 마주보고 있는 2개의 구동전극이 각 하나의 구동전극쌍을 이루고, 상기 판독도선은, 상기 자기자유층과 전기적으로 절연되게 형성되어 상기 2개의 구동전극쌍의 사이 방향 중 하나의 방향으로 길게 뻗은 형상으로 배치되며, 각각의 상기 자기기록소자의 판독도선은 동일한 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
10 10
제6항에 있어서, 상기 복수의 구동전극은, 길게 뻗은 판 형상으로 상기 자기자유층의 상부에 90°의 각도로 서로 교차되게 2개 배치되고, 상기 판독도선은, 상기 자기자유층과 전기적으로 절연되게 형성되어 상기 2개의 구동전극의 사이 방향 중 하나의 방향으로 길게 뻗은 형상으로 배치되며, 각각의 상기 자기기록소자의 판독도선은 동일한 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
11 11
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자기자유층은 강자성물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
12 12
제11항에 있어서, 상기 강자성 물질은, 코발트(Co), 철(Fe), 니켈(Ni), 철-니켈 합금(permalloy), 철-코발트 합금(permendur), 철-니켈-코발트 합금(perminvar) 및 철-니켈-몰리브덴 합금(supermalloy) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
13 13
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자기자유층에 형성되어 있는 자기소용돌이의 고유진동수는 상기 모든 자기기록소자에서 동일한 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
14 14
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자기자유층에 형성되어 있는 자기소용돌이 중심 주변에 상기 자기자유층의 상면과 평행하게 배열된 수평자화의 회전 방향이 상기 모든 자기기록소자에서 동일한 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
15 15
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자기기록소자가 구비한 자기고정층에 자기소용돌이가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
16 16
제15항에 있어서, 상기 자기고정층에 형성되어 있는 자기소용돌이 중심의 수직자화 방향이 상기 모든 자기기록소자에서 동일한 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
17 17
제15항에 있어서, 상기 자기고정층에 형성되어 있는 자기소용돌이의 고유진동수는 상기 모든 자기기록소자에서 동일한 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
18 18
제17항에 있어서, 상기 자기고정층에 형성되어 있는 자기소용돌이의 고유진동수는 상기 자기자유층에 형성되어 있는 자기소용돌이의 고유진동수와 서로 다른 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
19 19
제15항에 있어서, 상기 자기고정층에 형성되어 있는 자기소용돌이 중심 주변에 상기 자기고정층의 상면과 평행하게 배열된 수평자화의 회전 방향이 상기 모든 자기기록소자에서 동일한 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
20 20
제19항에 있어서, 상기 자기자유층에 형성되어 있는 자기소용돌이 중심 주변에 상기 자기자유층의 상면과 평행하게 배열된 수평자화의 회전 방향이 상기 모든 자기기록소자에서 동일하고, 상기 자기고정층에 형성되어 있는 자기소용돌이 중심 주변에 상기 자기고정층의 상면과 평행하게 배열된 수평자화의 회전 방향이 상기 자기자유층에 형성되어 있는 자기소용돌이 중심 주변에 상기 자기자유층의 상면과 평행하게 배열된 수평자화의 회전 방향과 동일한 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
21 21
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자기기록소자가 구비한 자기고정층에 상기 자기고정층의 상면과 평행하게 자화상태가 배열된 단일 자구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
22 22
제21항에 있어서, 상기 자기고정층에 형성되어 있는 상기 자기고정층의 상면과 평행하게 배열된 단일 자구의 자화 방향이 상기 모든 자기기록소자에서 동일한 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
23 23
제21항에 있어서, 상기 자기고정층 하부에 반강자성 물질로 형성된 반강자성막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
24 24
제23항에 있어서, 상기 반강자성물질은, 철-망간 합금(Fe-Mn alloy), 철-망간-로듐 합금(Fe-Mn-Rh alloy), 철-니켈-망간 합금(Fe-Ni-Mn alloy), 질화철(Fe2N), 산화철(Fe2O3), 불화철(FeF2), 황화철(FeS), 이리듐-망간 합금(Ir-Mn alloy), 니켈-망간 합금(Ni-Mn alloy), 산화니켈(NiO), 산화코발트(CoO), 질화코발트(CoN), 코발트-망간 합금(Co-Mn alloy), 코발트-크롬 합금(Co-Cr alloy), 산화망간(MnO), 산화크롬(Cr2O3), 크롬-망간 합금(Cr-Mn alloy), 크롬-망간-백금 합금(Cr-Mn-Pt alloy), 백금-망간 합금(Pt-Mn alloy), 팔라듐-망간 합금(Pd-Mn alloy) 및 팔라듐-백금-망간 합금(Pd-Pt-Mn alloy) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
25 25
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 자기고정층과 상기 절연막 사이 및 상기 절연막과 상기 자기자유층 사이 중 적어도 하나에 코발트 박막 또는 코발트-철 합금 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
26 26
제2항 또는 제4항에 있어서, 상기 자기고정층과 상기 전도막 사이 및 상기 전도막과 상기 자기자유층 사이 중 적어도 하나에 코발트 박막 또는 코발트-철 합금 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
27 27
제1항, 제2항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 구동전극쌍은, 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택된 1종 이상 또는 이들의 복합층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
28 28
제3항, 제4항 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 구동전극은, 티타늄, 금, 구리 및 알루미늄 중에서 선택된 1종 이상 또는 이들의 복합층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
29 29
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 판독전극은, 티타늄, 금, 구리 및 알루미늄 중에서 선택된 1종 이상 또는 이들의 복합층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리
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순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02206120 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02206120 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 KR100931549 KR 대한민국 FAMILY
4 US08324696 US 미국 FAMILY
5 US20100207220 US 미국 FAMILY
6 WO2009051435 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010207220 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8324696 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 재단법인서울대학교산학협력재단 R16:창의적연구진흥사업 스핀파 동역학-소자 연구단(스핀파의 파동적 특성및 이를 이용한 스핀파 소자 연구