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나노구조물 센서
- 기술번호 : KST2015135015
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 나노구조물 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일측면은 기판; 상기 기판 위에 있는 제1 전극; 상기 기판 위에 상기 제1 전극과 이격되어 있으며, 상기 제1 전극을 둘러싸는 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 접촉되며, 감지 대상에 따라 전기적 특성이 변화하는 적어도 하나의 나노구조물을 구비한 센서를 제공한다. |
|---|---|
| Int. CL | G01N 27/414 (2006.01.01) G01N 27/12 (2006.01.01) |
| CPC | G01N 27/4146(2013.01) G01N 27/4146(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020087011385 (2007.08.06) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0993167-0000 (2010.11.03) |
| 공개번호/일자 | 10-2008-0069995 (2008.07.29) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20101109) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | PCT/KR2007/003767 (2007.08.06) |
| 국제공개번호/일자 | WO2008018726 (2008.02.14) |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020060074322 | 2006.08.07
|
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.05.13) |
| 심사청구항수 | 35 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박영준 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 2 | 천준호 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 3 | 서성민 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 남정길 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허법 제203조에 따른 서면 [Patent Application] Document according to the Article 203 of Patent Act |
2008.05.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0337560-39 |
| 2 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2009.02.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0077352-52 |
| 3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.04.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0154818-26 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.06.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0356079-27 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.06.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0356077-36 |
| 6 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.08.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0335824-46 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판; 상기 기판 위에 있는 제1 전극; 상기 기판 위에 상기 제1 전극과 이격되어 있는 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 접촉되며, 감지 대상에 따라 전기적 특성이 변화하는 적어도 하나의 나노구조물을 구비하며, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극을 실질적으로 둘러싸는 것인 센서 |
| 2 |
2 제1 항에 있어서, 상기 기판 위에 있으며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 위치한 절연체을 더 구비한 센서 |
| 3 |
3 제1 항에 있어서, 상기 제1 전극 위에 있는 제1 도전체-상기 적어도 하나의 나노구조물의 일부가 상기 제1 전극과 상기 제1 도전체 사이에 위치함-; 및 상기 제2 전극 위에 있는 제2 도전체-상기 적어도 하나의 나노구조물의 다른 일부가 상기 제2 전극과 상기 제2 도전체 사이에 위치함-를 더 구비한 센서 |
| 4 |
4 제1 항에 있어서, 상기 센서는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 아래에 위치하는 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 더 구비하며, 상기 MOSFET의 소스, 게이트 및 드레인 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 어느 하나와 전기적으로 연결된 것인 센서 |
| 5 |
5 제1 항에 있어서, 상기 제2 전극에는 기준 전압이 인가된 센서 |
| 6 |
6 제1 항에 있어서, 상기 제1 전극은 서로 이격된 복수의 제1 부전극(sub-electrode)으로 나뉘어지는 센서 |
| 7 |
7 제1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 나노구조물은 카본 나노튜브(CNT)를 포함하는 센서 |
| 8 |
8 제1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 나노구조물은 임의의(random) 배치를 가지는 것인 센서 |
| 9 |
9 제1 항에 있어서, 상기 기판 위에 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 이격되어 있는 추가적인 제1 전극; 상기 기판 위에 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 추가적인 제1 전극과 이격되어 있으며, 상기 추가적인 제1 전극을 둘러싸는 추가적인 제2 전극; 및 상기 추가적인 제1 전극 및 상기 추가적인 제2 전극에 접속된 추가적인 적어도 하나의 나노구조물을 더 구비한 센서 |
| 10 |
10 제1 항에 있어서, 상기 센서는 액체 상태, 기체 상태, 또는 상기 감지 대상에 대한 운반체(carrier) 중 적어도 어느 하나 내에서 감지를 수행하는 센서 |
| 11 |
11 제1 항에 있어서, 상기 나노구조물은 나노튜브, 나노와이어, 나노로드, 나노리본, 나노필름 또는 나노볼을 구비하는 센서 |
| 12 |
12 기판; 상기 기판 위에 위치하며, 복수의 홀을 구비한 제2 전극; 상기 기판 위에 상기 제2 전극과 이격되어 있으며, 상기 복수의 홀 각각의 내부에 위치한 제1 전극; 및 상기 복수의 제1 전극 및 상기 제2 전극에 접속되며, 감지 대상에 따라 전기적 특성이 변화하는 적어도 하나의 나노구조물을 구비한 센서 |
| 13 |
13 제12 항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 서로 절연시키는 절연체를 더 구비하는 센서 |
| 14 |
14 제12 항에 있어서, 상기 제1 전극 위에 있는 제1 도전체- 상기 적어도 하나의 나노구조물의 일부가 상기 각 제1 전극과 상기 제1 도전체의 사이에 위치함-; 및 상기 제2 전극 위에 있는 제2 도전체-상기 적어도 하나의 나노구조물의 다른 일부가 상기 제2 전극과 상기 제2 도전체 사이에 위치함-를 더 구비한 센서 |
| 15 |
15 제12 항에 있어서, 상기 센서는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 아래에 위치하는 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 더 구비하며, 상기 MOSFET의 소스, 게이트 및 드레인 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 어느 하나와 전기적으로 연결된 것인 센서 |
| 16 |
16 제12 항에 있어서, 상기 제2 전극에는 기준 전압이 인가된 센서 |
| 17 |
17 제12 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 나노구조물은 카본 나노튜브(CNT)를 포함하는 센서 |
| 18 |
18 제12 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 나노구조물은 임의의(random) 배치를 가지는 것인 센서 |
| 19 |
19 (a) 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 기판 위에 위치하는 제1 전극 및 상기 기판 위에 상기 제1 전극과 이격되며 상기 제1 전극을 둘러싸는 제2 전극을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 제1 전극의 상면 및 상기 제2 전극의 상면에 접촉하는 적어도 하나의 나노구조물을 형성하는 단계를 구비하는 센서 제조 방법 |
| 20 |
20 제19 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 나노구조물은 패터닝 공정 없이 형성된 것인 센서 제조 방법 |
| 21 |
21 제19 항에 있어서, (d) 상기 (b) 단계와 상기 (c) 단계 사이에 수행되며, 상기 기판 위에 절연체-상기 절연체는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 위치함-를 형성하는 단계를 더 구비하는 센서 제조 방법 |
| 22 |
22 제19 항에 있어서, (e) 상기 (c) 단계 이후에 수행되며, 상기 제1 전극 위에 위치하는 제1 도전체-상기 적어도 하나의 나노구조물의 일부가 상기 제1 전극 및 상기 제1 도전체의 사이에 위치함- 및 상기 제2 전극 위에 위치하는 제2 도전체-상기 적어도 하나의 나노구조물의 다른 일부가 상기 제2 전극 및 상기 제2 도전체의 사이에 위치함-를 형성하는 단계를 더 구비하는 센서 제조 방법 |
| 23 |
23 제22 항에 있어서, 상기 제1 도전체 및 상기 제2 도전체는 리프트 오프 방식으로 형성되는 것인 센서 제조 방법 |
| 24 |
24 제22 항에 있어서, 상기 제1 도전체 및 상기 제2 도전체는 화학적 도금 방식으로 형성되는 것인 센서 제조 방법 |
| 25 |
25 제24 항에 있어서, 상기 (a) 단계는 (a1) 상기 기판 위에 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 모양의 알루미늄 층을 형성하는 단계; 및 (a2) 상기 기판을 팔라듐이 포함된 용액에 노출시킴으로써, 상기 알루미늄 층의 표면에 팔라듐 층을 형성하는 단계를 포함하는 센서 제조 방법 |
| 26 |
26 제25 항에 있어서, 상기 화학적 도금은 상기 기판을 금이 포함된 용액에 노출시킴으로써, 상기 팔라듐 층의 표면에 금 층을 형성하는 방식으로 수행되는 센서 제조 방법 |
| 27 |
27 제25 항에 있어서, 상기 (a) 단계는 (a3) 상기 기판을 금이 포함된 용액에 노출시킴으로써, 상기 팔라듐 층의 표면에 금 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 센서 제조 방법 |
| 28 |
28 제27 항에 있어서, 상기 화학적 도금은 상기 기판을 금이 포함된 용액에 노출시킴으로써, 상기 금 층의 표면에 추가적인 금 층이 형성되도록 하는 방식으로 수행되는 센서 제조 방법 |
| 29 |
29 제19 항에 있어서, (f) 상기 (c) 단계 이후에 수행되며, 열처리를 수행하는 단계를 더 구비하는 센서 제조 방법 |
| 30 |
30 제29 항에 있어서, 상기 (a) 단계는 (a1) 상기 기판 위에 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 모양의 알루미늄 층을 형성하는 단계; (a2) 적어도 상기 기판을 팔라듐이 포함된 용액에 노출시킴으로써, 상기 알루미늄 층의 표면에 팔라듐 층을 형성하는 단계; 및 (a3) 적어도 상기 기판을 금이 포함된 용액에 노출시킴으로써, 상기 팔라듐 층의 표면에 금 층을 형성하는 단계를 포함하는 센서 제조 방법 |
| 31 |
31 제19 항에 있어서, (g) 상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계 사이에 수행되며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 아래에 위치하는 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 형성하는 단계를 더 구비한 센서 제조 방법 |
| 32 |
32 제19 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 나노구조물은 카본 나노튜브(CNT)를 포함하는 센서 제조 방법 |
| 33 |
33 제19 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 나노구조물은 임의의(random) 배치를 가지는 것인 센서 제조 방법 |
| 34 |
34 제19 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 (c1) 상기 기판을 CNT가 분산된 용액에 침지시키는 단계; 및 (c2) 상기 기판을 상기 용액에서 인출하는 단계를 구비하는 센서 제조 방법 |
| 35 |
35 제19 항에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 제2 전극에 의하여 구획되는 복수의 제1 부전극(sub-electrode)으로 나뉘어지는 센서 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN101501481 | CN | 중국 | FAMILY |
| 2 | EP02054716 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
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DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
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| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
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- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-0993167-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080513 출원 번호 : 1020087011385 공고 연월일 : 20101109 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100803 청구범위의 항수 : 35 유별 : G01N 33/48 발명의 명칭 : 나노구조물 센서 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 705,000 원 | 2010년 11월 03일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 810,000 원 | 2013년 10월 23일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 584,010 원 | 2014년 11월 06일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 567,000 원 | 2015년 11월 04일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 1,430,000 원 | 2016년 11월 03일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 1,001,000 원 | 2017년 11월 06일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 715,000 원 | 2018년 11월 05일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 2,165,000 원 | 2020년 08월 03일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허법 제203조에 따른 서면 | 2008.05.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0337560-39 |
| 2 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2009.02.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0077352-52 |
| 3 | 의견제출통지서 | 2010.04.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0154818-26 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.06.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0356079-27 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.06.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0356077-36 |
| 6 | 등록결정서 | 2010.08.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0335824-46 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345075762 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R15-2003-032-03001-0 |
| 연구과제명 | C로봇의기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200709~201008 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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