맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

경화성 환형 포스파젠계 화합물 및 이들의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015135211
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 경화성 환형 포스파젠계 화합물 및 이들의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 저유전상수 및 저유전손실계수와 높은 열안정성을 갖는 경화성 환형 포스파젠계 화합물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 이 물질로부터 제조된 중합체 절연물질은 종래의 물질들보다 낮은 유전상수 (k=2.1)을 갖으며, 우수한 열적특성을 가진다. 절연물질, 저유전상수, 저유전손실계수, 열안정성, 포스파젠계 화합물
Int. CL C07F 9/6593 (2006.01.01)
CPC C07F 9/65815(2013.01)
출원번호/일자 1020080012876 (2008.02.13)
출원인 서울대학교산학협력단, 삼성전기주식회사
등록번호/일자 10-0933617-0000 (2009.12.15)
공개번호/일자 10-2009-0087561 (2009.08.18) 문서열기
공고번호/일자 (20091223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.13)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장지영 대한민국 서울특별시 강남구
2 임호 대한민국 경기 연천군
3 윤도영 미국 서울 관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 청운특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층 (서초동, 장생빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0106009-42
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0126688-81
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.09.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0060541-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0174523-18
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0390892-04
7 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-5028207-41
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0459985-92
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0459977-26
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.27 무효 (Invalidation) 1-1-2009-0459974-90
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0459984-46
12 보정요구서
Request for Amendment		 2009.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0056533-76
13 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0488839-14
14 보정요구서
Request for Amendment		 2009.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0057291-90
15 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2009.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0067374-60
16 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0494092-47
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5050935-32
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200786-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
다음 화학식(I)의 구조를 갖는 경화성 환형 포스파젠계 화합물: 화학식(I) 상기 화학식에서, n은 3 이며, R1과 R2는 서로 독립적으로, 같거나 또는 다를 수 있으며 R1과 R2의 개수의 합은 6이다
4 4
삭제
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 화학식(I)의 화합물은 다음에 예시한 화합물들 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 경화성 환형 포스파젠계 화합물: 1
6 6
1) 당량 보다 적은 양의 다음화학식(II)의 R1-H를 염기를 이용하여 소디움 알콕사이드 형태로 전환한 후 유기용매에서 헥사클로로시클로트리포스파젠과 반응시키는 단계; 2) 상기 1)단계에서 얻어진 포스파젠의 유기용액에 다음 화학식(III)의 R3-H를 NaH 또는 Na로 처리하여 얻은 소디움 알콕사이드를 가하고 반응시키는 단계; 및 3) 상기 2)단계에서 얻어진 경화성 포스파젠을 분리하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 경화성 포스파젠 화합물의 제조방법: 화학식(II) R1-H 화학식(III) R3-H 식 중, R1은 다음 군으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 치환기일 수 있다: 메톡시(methoxy), 에톡시(ethoxy), 프로필옥시(propyloxy), 트리플루오르에톡시(trifluoroethoxy), 1-아다만탄메톡시(1-adamantanemethoxy), 1-아다만탄에톡시(1-adamantaneethoxy), 2-노보네인메톡시(2-norbornanemethoxy), 페녹시(phenoxy), 4-메틸페녹시(4-methylphenoxy), 4-페닐페녹시(4-phenylphenoxy), 1-아다만탄옥시(1-adamantanoxy), 노보네옥시(norborneoxy), 데카하이드로나프탈렌-2-옥시(decahydronaphthalene-2-oxy), 및 나프탈렌-2-옥시(naphtalene-2-oxy) R3은 다음 군으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 치환기일 수 있다: 4-비닐페녹시(4-vinylphenoxy), 4'-비닐-4-바이페닐옥시(4'-vinyl-4-biphenyloxy), 및 4-페닐에티닐페녹시(4-(phenylethynyl)phenoxy)
7 7
삭제
8 8
1) 당량 보다 적은 양의 화학식(II)의 R1-H를 염기를 이용하여 소디움 알콕사이드 형태로 전환한 후 유기용매에서 헥사클로로시클로트리포스파젠과 반응시키는 단계; 2) 상기 1)단계에서 얻어진 포스파젠의 유기용액에 다음 화학식(IV)의 R4-H를 NaH 또는 Na로 처리하여 얻은 소디움 알콕사이드를 가하고 반응시키는 단계; 3) 상기 2)단계에서 얻어진 포스파젠 화합물을 메탄올 용액에 녹인 후 KOH로 처리하여 트리메틸실릴 그룹을 제거하는 단계; 및 4) 상기 3)단계에서 얻어진 경화성 포스파젠을 분리하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 경화성 포스파젠 화합물의 제조방법: 화학식(II) R1-H 화학식(IV) R4-H 식 중, R1은 다음 군으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 치환기일 수 있다: 메톡시(methoxy), 에톡시(ethoxy), 프로필옥시(propyloxy), 트리플루오르에톡시(trifluoroethoxy), 1-아다만탄메톡시(1-adamantanemethoxy), 1-아다만탄에톡시(1-adamantaneethoxy), 2-노보네인메톡시(2-norbornanemethoxy), 페녹시(phenoxy), 4-메틸페녹시(4-methylphenoxy), 4-페닐페녹시(4-phenylphenoxy), 1-아다만탄옥시(1-adamantanoxy), 노보네옥시(norborneoxy), 데카하이드로나프탈렌-2-옥시(decahydronaphthalene-2-oxy), 및 나프탈렌-2-옥시(naphtalene-2-oxy) R4는 다음 군으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다: 4-트리메틸실릴에티닐페녹시(4-trimethylsilylethynylphenoxy), 및 4'-트리메틸실릴에티닐-4-바이페닐옥시(4'-trimethylsilylethynyl-4-biphenyloxy)
9 9
삭제
10 10
제 3항의 경화성 환형 포스파젠계 화합물을 i) 단순 가열하거나, ii) 유기용매에 녹인 후AIBN(Azobisisobutyronitrile)을 첨가하고 가열하거나, iii) 유기용매에 녹인 후 Cu(II) 아세테이트를 촉매로 첨가하고 가열하거나 또는 iv) 광개시제를 넣고 고압수은등을 이용하여 중합반응시키는 것을 특징으로 하는 포스파젠 중합체의 제조방법
11 11
청구항 10항에서 얻어진 가교된 포스파젠 중합체
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.