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1
(a) 불순물 제거와 표면 기능화를 위하여 탄소 나노튜브를 산 용액으로 처리하고;
(b) 상기 산 처리된 탄소 나노튜브를 반응 용매에 분산시키고;
(c) 상기 탄소 나노튜브가 분산되어 있는 용액에 아연 전구체가 용해되어 있는 용액을 혼합하여 탄소 나노튜브-금속이온 복합체를 제조하고;
(d) 상기 탄소 나노튜브-금속이온 복합체 용액을 열처리하여 탄소 나노튜브-산화아연 양자점 복합체를 제조하고; 그리고
(e) 상기 탄소 나노튜브로부터 산화아연 양자점을 분리하여 회수하는;
단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 균일한 크기와 고품질 광발광 특성을 갖는 산화아연 양자점의 제조 방법
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2
제1항에 있어서, 상기 반응 용매에 분산되는 탄소 나노튜브는 용매에 대하여 0
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3
제1항에 있어서, 상기 반응 용매는 N,N-디메틸포름아마이드 또는 N,N-디에틸포름아마이드인 것을 특징으로 하는 산화아연 양자점의 제조 방법
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4
제1항에 있어서, 상기 아연 전구체는 0
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5
제4항에 있어서, 상기 용매는 N,N-디메틸포름아마이드 또는 N,N-디에틸포름아마이드인 것을 특징으로 하는 산화아연 양자점의 제조 방법
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6
제1항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브-금속이온 복합체 용액을 열처리하는 단계는 용액을 1∼5 ℃/분 속도로 승온시켜 80∼150 ℃ 온도 범위까지 가열하여 2∼5 시간동안 실시하는 것을 특징으로 하는 산화아연 양자점의 제조 방법
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7
제1항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브로부터 산화아연 양자점을 분리하여 회수하는 단계는 탄소 나노튜브-산화아연 양자점 복합체를 초음파로 20∼60 분간 조사한 후 10∼30 분간 원심분리하는 것을 특징으로 하는 산화아연 양자점의 제조 방법
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8
제1항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브는 단일벽 탄소 나노튜브(SWCNT), 이중벽 탄소 나노튜브(DWCNT), 및 다중벽 탄소 나노튜브(MWCNT)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 산화아연 양자점의 제조 방법
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9
제1항에 있어서, 상기 아연 전구체는 징크 아세테이트, 징크 아세테이트 다이하이드레이트, 징크 나이트레이트 테트라하이드레이트, 및 징크 나이트레이트 헥사하이드레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 산화아연 양자점의 제조 방법
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10
제1항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브 분산액과 아연 전구체 용액의 혼합 부피비가 1:1∼1:20 범위인 것을 특징으로 하는 산화아연 양자점의 제조 방법
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11
제1항 내지 제10항의 어느 한 항에 따라 제조된 산화아연 양자점
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12
(a) 불순물 제거와 표면 기능화를 위하여 탄소 나노튜브를 산 용액으로 처리하고, (b) 상기 산 처리된 탄소 나노튜브를 반응 용매에 분산시키고, (c) 상기 탄소 나노튜브가 분산되어 있는 용액에 아연 전구체가 용해되어 있는 용액을 혼합하여 탄소 나노튜브-금속이온 복합체를 제조하고, (d) 상기 탄소 나노튜브-금속이온 복합체 용액을 열처리하여 탄소 나노튜브-산화아연 양자점 복합체를 제조하고, 그리고 (e) 상기 탄소 나노튜브로부터 산화아연 양자점을 분리하여 회수하는 단계로 제조되고,
입경이 10 nm 이하이고 입자의 80 %가 7± 1 nm 범위에 들어가는 균일한 크기를 갖고 고품질 광발광 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 산화아연 양자점
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