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가요성 투명 박막 트랜지스터
- 기술번호 : KST2015131546
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | CNT(Carbon Nano Tube)를 이용한 가요성 투명 박막 트랜지스터(Flexable and transparent Thin film Transistor)에 관해 기술된다. 가요성 투명 기판 위에 투명 유기물질에 반도체 CNT가 분산되어 있는 CNT 채널 층이 마련된다. 상기 채널의 양측에는 투명 유기물질에 도전성 CNT가 분산되어 있는 소스와 드레인 전극이 접촉된다. 상기 채널의 위 또는 아래에는 투명 유기물질에 도전성 CNT가 분산되어 있는 게이트가 위치하고, 상기 채널과 게이트 사이에는 투명 유기 물질에 의한 게이트 절연층이 개재된다. 투명, 가요성, 박막, CNT, 트랜지스터 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/786 (2006.01) |
| CPC | H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080047693 (2008.05.22) |
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0982956-0000 (2010.09.13) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0121677 (2009.11.26) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20100917) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.05.22) |
| 심사청구항수 | 19 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이철진 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 2 | 윤호규 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 3 | 김우년 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 4 | 김웅 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 5 | 박종래 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 6 | 박민 | 대한민국 | 서울특별시 노원구 |
| 7 | 장지영 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 8 | 주진수 | 대한민국 | 서울특별시 중랑구 |
| 9 | 이건웅 | 대한민국 | 경상남도 창원시 |
| 10 | 김규태 | 대한민국 | 경기도 광명시 철 |
| 11 | 이준엽 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
| 12 | 김현재 | 대한민국 | 서울특별시 용산구 |
| 13 | 박상민 | 대한민국 | 대전광역시 서구 |
| 14 | 김선국 | 대한민국 | 서울특별시 양천구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.05.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0364928-60 |
| 2 | [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서 [Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document |
2008.05.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-5027023-34 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.03.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0099016-02 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.05.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0291896-55 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.05.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0291897-01 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.09.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0395538-88 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 투명 유기물질과 유기물질 내에서 상호 연계된 전기적 경로를 형성하는 반도체 CNT(Carbon Nano Tube)에 의한 채널 층; 상기 채널 층의 양측에 전기적으로 접촉되는 것으로 투명 유기물질과 유기물질 내에서 상호 연계된 전기적 경로를 형성하는 도전성 CNT에 의한 소스/드레인 전극; 상기 채널 층에 대응하는 것으로, 상기 채널 층의 양측에 전기적으로 접촉되는 것으로 투명 절연성 유기물질과 유기물질 내에서 상호 연계된 전기적 경로를 형성하는 도전성 CNT에 의한 게이트 층; 상기 채널 층 과 게이트 층 사이에 마련되는 것으로 투명 절연성 유기물질에 의한 게이트 절연 층; 그리고 상기 층들과 전극을 지지하는 투명 가요성 기판;을 구비하는 가요성 투명 박막 트랜지스터(flexible and transparent TFT) |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 채널 층의 CNT는 SWCNT(Single-Walled Carbon Nano Tube)인 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 소스 전극과 드레인 전극과 게이트 층의 중의 적어도 어느 하나의 CNT는 DWCNT(Double-Walled Carbon Nano tube)와 MWCNT(Munti-Walled Carbon Nano Tube) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 4 |
4 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 층 중 적어도 어느 하나의 유기 물질은 투명 절연성 유기 물질인 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 투명 절연성 유기 물질은 PI(Polyimide), 파릴렌(Parylene), PMMA(Polymethly Methacrylate), PVA(Polyvinylalcohol), PVP(polyvinylphenol) 중의 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 6 |
6 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극 중 적어도 어느 하나의 유기 물질은 투명 도전성 유기 물질인 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 투명 도전성 유기 물질은 PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), PANI(Polyaniline), Polypyrrole 중의 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 8 |
8 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 PI, PEEK(Polyether etherketone), PES(polyethersulphone), PEI(polyetherimide), PEN(polyethylenenaphthalate), PET(polyethyleneterephthalate) 중 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 9 |
9 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 채널 층에 I, O, Br 중의 적어도 어느 하나가 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 10 |
10 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 채널 층에 K, Cs, N 중에 적어도 어느 하나가 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 11 |
11 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 채널 층은 p형 유기물질과 n 형 유기물질 중의 어느 하나를 포함하며, 상기 p 형 유기 물질은 펜타센(Pentacene), 폴리사이오펜(Poly-thiophene), P3AT(Poly(3-alkylThiophene), 폴리아세틸렌(Polyacetylene), PTV(Poly(thienylene-vinylene), P3HT(Poly(3-hexylthiophene), BPT2 중에서 선택된 적어도 어느 하나이며, n 형 유기 물질은 TCNQ(tetracyanoquinodimethane), C60 (Fullerene) 중의 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서, 상기 채널 층이 함유하는 유기 물질은 p 형 유기물질이며, 상기 채널 층은 I, O, Br 중의 적어도 어느 하나를 더 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 13 |
13 제 11 항에 있어서, 상기 채널 층이 함유하는 유기 물질은 n 형 유기물질이며, 상기 채널 층에 K, Cs, N 중에 적어도 어느 하나가 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 14 |
14 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 채널 층은 유기물질과 반도체 CNT를 포함하는 제1층과, p형과 n형 중의 어느 하나의 불순물을 포함하는 제2층을 구비하는 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 15 |
15 제 14 항에 있어서, 상기 채널 층의 CNT는 SWCNT를 포함하며, 채널 층의 유기 물질은 절연성 유기물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 16 |
16 제 14 항에 있어서, 상기 채널 층의 유기물질은 p 형 유기물질과 n 형 유기 물질 중의 어느 하나를 포함하며, 상기 p 형 유기 물질은 펜타센(Pentacene), 폴리사이오펜(Poly-thiophene), P3AT(Poly(3-alkylThiophene), 폴리아세틸렌(Polyacetylene), PTV(Poly(thienylene-vinylene), P3HT(Poly(3-hexylthiophene), BPT2 중에서 선택된 적어도 어느 하나이며, n 형 유기 물질은 TCNQ(tetracyanoquinodimethane), C60 (Fullerene) 중의 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 17 |
17 제 14 항에 있어서, 상기 채널 층의 유기물질은 PI, 파릴렌(Parylene), PMMA, PVA, PVP 중에서 선택된 어느 하나의 유기 절연물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 18 |
18 제 14 항에 있어서, 상기 소스 전극과 드레인 전극과 게이트 층의 중의 적어도 어느 하나의 CNT는 DWCNT(Double-Walled Carbon Nano tube)와 MWCNT(Munti-Walled Carbon Nano Tube) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 19 |
19 제 15 항에 있어서, 상기 소스 전극과 드레인 전극과 게이트 층의 중의 적어도 어느 하나의 CNT는 DWCNT(Double-Walled Carbon Nano tube)와 MWCNT(Munti-Walled Carbon Nano Tube) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 투명 박막 트랜지스터 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0982956-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080522 출원 번호 : 1020080047693 공고 연월일 : 20100917 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100906 청구범위의 항수 : 19 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 가요성 투명 박막 트랜지스터 존속기간(예정)만료일 : 20150914 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 393,000 원 | 2010년 09월 14일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2013년 06월 21일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2014년 06월 30일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.05.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0364928-60 |
| 2 | [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서 | 2008.05.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-5027023-34 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2010.03.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0099016-02 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.05.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0291896-55 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.05.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0291897-01 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 8 | 등록결정서 | 2010.09.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0395538-88 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1355048466 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-00015 |
| 연구과제명 | 환경친화적에너지변환용나노재료 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200712~201311 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1410039925 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10011359 |
| 연구과제명 | CNT합성/구조제어및소재평가기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200309~200808 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345126691 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-0056860 |
| 연구과제명 | 하이브리드 나노구조체 물성 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200707~201206 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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