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입사된 신호를 투과하거나 반사하는 플라즈몬 투과 필터에서,
적어도 하나의 모드 차단 영역과 적어도 하나의 모드 진행 영역이 형성되어 있는 코어; 및
상기 코어를 감싸는 형태로 형성된 클래딩
을 포함하고,
상기 모드 차단 영역의 상대 유전율과 상기 모드 진행 영역의 상대 유전율이 서로 다르며, 소정 파장의 플라즈몬파가 상기 모드 차단 영역 및 모드 진행 영역을 통하여 선택적으로 진행하는, 플라즈몬 투과 필터
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제1항에 있어서
상기 코어의 유전체 및 상기 코어의 폭 중 적어도 하나를 변경시켜 상기 모드 차단 영역을 형성하는, 플라즈몬 투과 필터
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제2항에 있어서
상기 코어와 클래딩이 플라즈몬 도파로를 형성하며, 대칭 모드의 플라즈몬파 또는 반대칭 모드의 플라즈몬파가 상기 플라즈몬 도파로를 진행하는 경우, 상기 코어의 유전체의 상대 유전율이 상기 금속으로 이루어지는 클래딩의 상대 유전율의 절대값보다 크거나 같은 영역에서, 상기 대칭 모드의 플라즈몬파의 전파 거리가 0이 되는 상기 모드 차단 영역이 형성되는, 플라즈몬 투과 필터
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제2항에 있어서
상기 코어와 클래딩이 플라즈몬 도파로를 형성하며, 반대칭 모드의 플라즈몬파가 상기 플라즈몬 도파로를 진행하는 경우, 상기 코어의 유전체의 상대 유전율이 설정 유전율(εcutoff)보다 작은 영역에서, 상기 반대칭 모드의 플라즈몬파의 전파 거리가 0이 되는 상기 모드 차단 영역이 형성되는, 플라즈몬 투과 필터
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5
제4항에 있어서
상기 설정 유전율은 다음의 조건을 만족하는, 플라즈몬 투과 필터
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제2항에 있어서
상기 코어와 클래딩이 플라즈몬 도파로를 형성하며, 대칭 모드의 플라즈몬파가 상기 플라즈몬 도파로를 진행하는 경우, 상기 코어의 폭이 0이 되는 영역에서 상기 플라즈몬파의 전파 거리가 0이 되는 상기 모드 차단 영역이 형성되는, 플라즈몬 투과 필터
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7
제2항에 있어서
상기 코어와 클래딩이 플라즈몬 도파로를 형성하며, 반대칭 모드의 플라즈몬파가 상기 플라즈몬 도파로를 진행하는 경우, 상기 코어의 폭이 설정된 모드 차단 폭(dcutoff)보다 작거나 같은 영역에서, 상기 플라즈몬파의 전파 거리가 0이 되는 상기 모드 차단 영역이 형성되는, 플라즈몬 투과 필터
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8
제7항에 있어서
상기 모드 차단 폭은 다음의 조건을 만족하는, 플라즈몬 투과 필터
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서
상기 모드 차단 영역들 사이에 상기 모드 진행 영역이 형성되어 있으며, 상기 모드 진행 영역의 길이의 변화에 따라 투과되는 플라즈몬파의 파장이 변경되는, 플라즈몬 투과 필터
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10
제9항에 있어서
상기 모드 차단 영역의 길이가 증가함에 따라 상기 투과 필터를 투과하는 플라즈몬파의 투과율이 감소하는, 플라즈몬 투과 필터
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11
제9항에 있어서
상기 모드 차단 영역들은 일정 간격을 두고 형성되어 있는, 플라즈몬 투과 필터
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12
제11항에 있어서
상기 모드 차단 영역 사이에 존재하는 모드 진행 영역에서 플라즈몬파의 다중 반사가 발생하여 플라즈몬 공진기가 형성되며, 상기 플라즈몬 공진기 내부에서 플라즈몬파의 위상 변화에 의하여 발생되는 보강 간섭 조건을 만족하는 파장을 가지는 플라즈몬파가 상기 투과 필터를 투과하는, 플라즈몬 투과 필터
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