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박막 패터닝 방법

  • 기술번호 : KST2015160000
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 패터닝 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 금속박막과 금속박막 하단의 광반응성 물질의 경계면에 여기되는 표면 플라즈몬 파 간의 간섭패턴과, 광반응성 물질의 내부로 진행하는 광 도파 모드 간의 간섭패턴을 이용하여 광반응성 물질을 패터닝한다. 박막 패터닝, 표면 플라즈몬 파(surface plasmon wave), 광 도파 모드(guided mode)
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/2006(2013.01)
출원번호/일자 1020080039323 (2008.04.28)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0918671-0000 (2009.09.16)
공개번호/일자 10-2009-0093727 (2009.09.02) 문서열기
공고번호/일자 (20090922) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080019244   |   2008.02.29
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이병호 대한민국 서울 관악구
2 임용준 대한민국 서울 관악구
3 김세윤 대한민국 충북 청원군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이병호 서울특별시 서초구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0304053-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2009-0039898-31
4 등록결정서
Decision to grant		 2009.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0342927-91
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박막 패터닝 방법에 있어서, 특정 입사각으로 프리즘에 입사되는 입사광에 의해 금속박막과 상기 금속박막 하부의 광반응성 물질의 경계면에 표면 플라즈몬 파가 여기되는 단계; 상기 표면 플라즈몬 파에 의한 간섭패턴이 형성되는 단계; 및 상기 간섭패턴으로 상기 광반응성 물질을 노광하는 단계 를 포함하는 박막 패터닝 방법
2 2
박막 패터닝 방법에 있어서, 특정 입사각으로 프리즘에 입사되는 입사광에 의해 금속박막 하부의 광반응성 물질 내부로 진행되는 광 도파 모드가 형성되는 단계; 상기 광 도파 모드에 의한 간섭패턴이 형성되는 단계; 및 상기 간섭패턴으로 상기 광반응성 물질을 노광하는 단계 를 포함하는 박막 패터닝 방법
3 3
박막 패터닝 방법에 있어서, 제1 입사각으로 프리즘에 입사되는 제1 입사광에 의해 금속박막과 상기 금속박막 하부의 광반응성 물질의 경계면에 표면 플라즈몬 파가 여기되는 단계; 상기 표면 플라즈몬 파에 의한 제1 간섭패턴이 형성되는 단계; 상기 제1 입사각과 다른 제2 입사각으로 상기 프리즘에 입사되는 제2 입사광에 의해 상기 광반응성 물질 내부로 진행되는 광 도파 모드가 형성되는 단계; 상기 광 도파 모드에 의한 제2 간섭패턴이 형성되는 단계; 및 상기 제1 간섭패턴과 상기 제2 간섭패턴을 이용하여 상기 광반응성 물질을 노광하는 단계 를 포함하는 박막 패터닝 방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 제1 입사광 및 상기 제2 입사광은 가간섭성의 광이며, 상기 프리즘을 통해 상기 금속박막과 상기 광반응성 물질로 평행 편광되는 박막 패터닝 방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 프리즘은 전반사 프리즘인 박막 패터닝 방법
6 6
제 3항에 있어서, 상기 제2 입사각은 상기 광반응성 물질의 유효 굴절률 및 도포되는 두께에 의해 결정되는 박막 패터닝 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.