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표면 플라즈몬파 변조 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2015159985
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 동적 표면 플라즈몬파 변조 방법 및 그 장치에 관한 것이다. 표면 플라즈몬파 변조 장치는 금속 표면으로부터 소정의 공기간극만큼 떨어져서 위치되어, 금속의 표면과의 경계면상에서 발생되어 금속 표면을 따라 이동하는 표면 플라즈몬파를 변조하는 유전체를 포함하고, 표면 플라즈몬파가 유전체를 통과하면, 공기간극에 대응하여 표면 플라즈몬파의 유효굴절율을 변동한다. 또한, 장치는 표면 플라즈몬파가 유전체를 통과하면, 공기간극 및 유전체의 길이에 대응하여 표면 플라즈몬파의 위상 및 진폭을 변조한다. 이로써 표면 플라즈몬파의 위상 및 진폭을 효과적으로 변조할 수 있다.
Int. CL G02B 6/12 (2006.01)
CPC G02B 6/1226(2013.01) G02B 6/1226(2013.01) G02B 6/1226(2013.01)
출원번호/일자 1020080039331 (2008.04.28)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0928333-0000 (2009.11.17)
공개번호/일자 10-2009-0113549 (2009.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20091126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.28)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이병호 대한민국 서울 관악구
2 김 휘 대한민국 서울 동대문구
3 한준구 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이병호 서울특별시 서초구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0304118-10
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0061346-17
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0381602-35
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0047177-74
6 등록결정서
Decision to grant		 2009.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0445922-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속, 상기 금속의 표면으로부터 소정의 공기간극만큼 떨어져서 위치되어, 상기 금속의 표면과의 경계면상에서 발생되어 상기 금속 표면을 따라 이동하는 표면 프라즈몬파를 변조하는 유전체를 포함하고, 상기 공기간극에 대응하여 상기 유전체를 통과하는 표면 플라즈몬파의 유효굴절율이 변동되는 표면 플라즈몬파 변조 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 유전체는 상기 금속에 대응하여 소정 길이를 가지는 영역에 위치되어 있으며, 상기 금속 표면으로부터 상기 공기간극 및 상기 영역의 길이에 대응하여 상기 표면 플라즈몬파의 위상 및 진폭이 변조되는 표면 플라즈몬파 변조 장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 표면 플라즈몬파의 파장영역은 광통신파장 또는 테라헤르츠파장 대역을 포함한는 표면 플라즈몬파 변조 장치
4 4
금속 표면에서 발생하는 표면 플라즈몬파를 변조하는 방법에 있어서, 제1 영역에서, 상기 표면 플라즈몬파를 상기 금속 표면에 입사하는 단계; 상기 표면 플라즈몬파가 금속 표면으로부터 소정의 공기간극만큼 떨어진 유전체가 존재하는 제2 영역을 통과하는 단계; 및 상기 제2 영역을 통과하면, 상기 공기간극에 대응하여 상기 표면 플라즈몬파의 유효굴절율이 변동되는 단계 를 포함하는 표면 플라즈몬파 변조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 표면 플라즈몬파의 유효굴절율이 변동되는 단계는 상기 금속 표면으로부터 상기 공기간극 및 상기 제2 영역의 길이에 대응하여 상기 표면 플라즈몬파의 위상이 변조되는 단계를 포함하는 표면 플라즈몬파 변조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 공기간극이 커지면, 상기 제2 영역의 길이에 대응하여 상기 위상이 변화하는 비율이 감소하고, 상기 위상이 변화하는 비율이 감소하면, 상기 유효굴절율이 감소하는 표면 플라즈몬파 변조 방법
7 7
제4항에 있어서, 상기 표면 플라즈몬파의 유효굴절율이 변동되는 단계는 상기 금속 표면으로부터 상기 공기간극 및 상기 제2 영역의 길이에 대응하여 상기 표면 플라즈몬파의 진폭이 변조되는 단계를 포함하는 표면 플라즈몬파 변조 방법
8 8
금속, 상기 금속의 표면으로부터 소정의 공기간극만큼 떨어져서 위치되어, 상기 금속의 표면과의 경계면상에서 발생되어 상기 금속 표면을 따라 이동하는 표면 플라즈몬파를 변조시키면서 집속하는 유전체 렌즈를 포함하고, 상기 공기간극에 대응하여 상기 유전체 렌즈의 초점거리가 가변되는 표면 플라즈몬파 변조 장치
9 9
제8항에 있어서, 상기 표면 플라즈몬파가 상기 유전체 렌즈를 통과하면서 구형파 표면 플라즈몬파로 변조되는 표면 플라즈몬파 변조 장치
10 10
제9항에 있어서, 상기 유전체 렌즈는 상기 표면 프라즈몬파가 입사되는 면이 볼록한 렌즈인 표면 플라즈몬파 변조 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.