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에너지 밴드 계산에 의하여 가시광선 영역의 최대 에너지 이상의 광학적 밴드갭 에너지(optical band gap energy)와 가시광선 영역의 최소 에너지 미만의 전도 전자(conduction electron)의 플라즈마 진동수(plasma frequency)를 갖고, 전도대의 밴드폭이 1eV 이상이고 5eV 미만이 되는 AaBbOc (A,B 는 각각 금속 원소이고, a,b,c는 0≤a≤10, 0≤b≤10, 0003c#c≤10이고, a와 b가 동시에 0이 아닌 유리수)를 결정하는 단계; 및 에너지 밴드 계산에 의하여 광학적 밴드갭 에너지, 전도대의 밴드폭이 상기 AaBbOc의 밴드 계산에서 얻은 광학적 밴드갭 에너지, 전도대의 밴드폭으로부터 각각 80-100 %, 70-100 %의 범위 내에 있으면서, 페르미 에너지(Fermi energy)가 상기 전도대 내에 위치하되, 전도전자에 의한 플라즈마 주파수에 해당하는 에너지가 0
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제1 항에 있어서, 상기 전도대는 상기 A 원소 또는 상기 B 원소의 최외각 s 오비탈로부터 형성되는 투명 전도성 물질의 설계 방법
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제1 항에 있어서, 상기 B 원소는 주석(Sn)을 포함하는 투명 전도성 물질의 설계 방법
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제1 항에 있어서, 상기 A 원소는 2족 금속을 포함하는 투명 전도성 물질의 설계 방법
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제1 항에 있어서, 상기 광학적 밴드갭 에너지는 3
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제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 진동수는 0
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제1 항에 있어서, 상기 x값에 따른 상기 AaBb-xCxOc 의 실제 결정의 격자 상수(lattice constant)의 변화와 상기 C 금속 원소의 산화수를 가정하여 계산된 AaBb-xCxOc 의 격자 상수의 변화를 비교하여 상기 C 금속 원소의 이온화수를 결정하는 단계를 더 포함하는 투명 전도성 물질의 설계 방법
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Ba의 소스 물질, Sn의 소스 물질, Sb의 소스 물질과 플럭스(flux) 물질을 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계;BaSn1-XSbXO3의 단결정을 형성하도록 상기 혼합물을 100-300℃/hr의 속도로 승온하고, 6-24시간 동안 600-1300℃에서 온도를 고정한 뒤에, 0
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제8 항에 있어서, 상기 Ba의 소스 물질은 BaCO3 을 포함하는 BaSn1-XSbXO3의 단결정의 제조방법
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제8 항에 있어서, 상기 Sn의 소스 물질은 SnO2 을 포함하는 BaSn1-XSbXO3의 단결정의 제조방법
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제8 항에 있어서, 상기 Sb의 소스 물질은 Sb2O3 을 포함하는 BaSn1-XSbXO3의 단결정의 제조방법
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제8 항에 있어서, 상기 플럭스는 Cu2O, CuO, KF 또는 PbF2 을 포함하는 BaSn1-XSbXO3의 단결정의 제조방법
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제12 항에 있어서, Ba:Sn:Sb:플럭스의 몰비가 1:1-x:x:y (0003c#x≤0
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제13 항에 있어서, 상기 플럭스 물질이 Cu2O인 경우, Ba:Cu의 몰비가 1:y (5003c#y≤12)이 되도록 상기 혼합비를 결정하는 BaSn1-XSbXO3의 단결정의 제조방법
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제13 항에 있어서, 상기 플럭스 물질이 KF인 경우, Ba:K의 몰비가 1:y (6003c#y≤12)이 되도록 상기 혼합비를 결정하는 BaSn1-XSbXO3의 단결정의 제조방법
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제13 항에 있어서, 상기 플럭스 물질이 PbF2의 경우, Ba:Pb의 몰비가 1:y (3003c#y≤7)이 되도록 상기 혼합비를 결정하는 BaSn1-XSbXO3의 단결정의 제조방법
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제12 항에 있어서, 상기 플럭스 물질이 Cu2O인 경우, 상기 6-24시간 동안 고정되는 온도는 1200-1300℃의 범위를 갖고, 상기 0
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제12 항에 있어서, 상기 플럭스 물질이 KF인 경우, 상기 6-24시간 동안 고정되는 온도는 900-1160℃의 범위를 갖고, 상기 0
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제12 항에 있어서, 상기 플럭스 물질이 PbF2의 경우, 상기 6-24시간 동안 고정되는 온도는 1100-1200℃의 범위를 갖고, 상기 0
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제8 항에 있어서, 상기 산처리시 질산을 사용하는 BaSn1-XSbXO3의 단결정의 제조방법
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