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다층 투명 전도막, 이의 제조 방법, 이를 이용한 태양전지, 물분해장치, 광촉매 장치 및 저방사 유리

  • 기술번호 : KST2015160195
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유리 기판 상에 양이온 치환형 투명전극을 형성하고, 양이온 치환형 투명전극 상에 이산화티탄의 Ti 사이트의 일부를 다른 원자, 예를 들어 Nb, Ta, Mo, As, Sb, W, V, Mn, Tc, Re, P, Bi 등 으로 치환하여 얻어지는 물질을 적층하여 다층형 투명 전극을 형성한다. 열 산화 공정 및 화학 반응 공정 시, 열적 안정성 및 화학적 안정성이 확보된 다층 구조의 투명 전도막을 저 비용으로 형성할 수 있다.
Int. CL B32B 15/00 (2006.01) B32B 17/00 (2006.01) H01B 1/08 (2006.01) C03C 17/245 (2006.01)
CPC H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01)
출원번호/일자 1020080027202 (2008.03.25)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0987468-0000 (2010.10.06)
공개번호/일자 10-2009-0102017 (2009.09.30) 문서열기
공고번호/일자 (20101013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노준홍 대한민국 서울 구로구
2 이상욱 대한민국 서울시 양천구
3 조진무 대한민국 서울 동작구
4 안재설 대한민국 서울 관악구
5 한현수 대한민국 서울시 관악구
6 조인선 대한민국 서울 동대문구
7 배신태 대한민국 서울 성동구
8 임동균 대한민국 서울시 관악구
9 노희석 대한민국 서울 동작구
10 정현석 대한민국 서울 강남구
11 홍국선 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0213946-85
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0044182-83
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0231570-33
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0014906-90
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0078336-60
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0254522-94
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0326165-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0326150-24
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0324372-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
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B, Al, Ga들 중 하나 이상의 불순물이 도핑된 산화아연(ZnO)을 포함하는 양이온 치환형 투명 전극; 상기 양이온 치환형 투명 전극 상부에 형성되며, V, Nb, Ta들 중 하나 이상의 불순물이 0% 보다 크고 10% 보다 작은 농도로 도핑된 이산화티탄(TiO2) 계열의 전도막; 및 상기 이산화티탄 계열의 전도막 상에 형성된 반도체층을 구비하는 태양 전지
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제5항에 있어서, 상기 양이온 치환형 투명 전극은 Al 도핑된 ZnO이고, 상기 이산화티탄 계열의 전도막은 Nb이 0% 보다 크고 10% 보다 작은 농도로 도핑된 것을 특징으로 하는 태양 전지
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유리 기판 상에 Al, B, Ga들 중 하나 이상의 불순물이 도핑된 산화아연(ZnO)을 포함하는 양이온 치환형 투명 전극을 형성하는 단계; 상기 양이온 치환형 투명 전극 상에 상온에서 PLD 증착법을 수행하여 V, Nb, Ta들 중 하나 이상 도핑된 이산화티탄(TiO2) 계열의 전도막을 형성하는 단계; 및 상기 이산화티탄 계열의 전도막 상에 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 형성 방법
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제14항에 있어서, 상기 이산화티탄 계열의 전도막의 농도는 0% 보다 크고, 10% 보다 작은 것을 특징으로 하는 태양 전지의 형성 방법
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제14항에 있어서, 상기 양이온 치환형 투명 전극은 Al이 도핑된 ZnO이고, 상기 이산화티탄 계열의 전도막은 Nb이 0% 보다 크고 10% 보다 작은 농도로 도핑된 것을 특징으로 하는 태양 전지의 형성 방법
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