맞춤기술찾기

이전대상기술

고체산화물 전해질막, 그 제조방법 및 이를 채용한 연료전지

  • 기술번호 : KST2016000710
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고체산화물 전해질층; 및 상기 전해질층의 일면 또는 양면 상에 등각층(conformal layer)으로 형성되어 있으며, 평균 결정립 사이즈(crystal grain size)가 30nm 이하인 나노-그레인을 포함하는 절연층을 포함하는 고체산화물 전해질막, 그 제조방법과 상기 전해질막을 채용한 연료전지가 제시된다.
Int. CL H01M 8/1253 (2016.01.01) H01M 8/126 (2016.01.01) C23C 14/08 (2006.01.01) H01B 1/08 (2006.01.01) H01M 8/124 (2016.01.01)
CPC H01M 8/1253(2013.01) H01M 8/1253(2013.01) H01M 8/1253(2013.01) H01M 8/1253(2013.01) H01M 8/1253(2013.01) H01M 8/1253(2013.01) H01M 8/1253(2013.01)
출원번호/일자 1020100101879 (2010.10.19)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0040449 (2012.04.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.08)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 하진수 대한민국 서울특별시 동작구
2 강상균 대한민국 서울특별시 강남구
3 허필원 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 이윤호 대한민국 서울특별시 강남구
5 차석원 대한민국 서울특별시 강남구
6 장익황 대한민국 대구광역시 북구
7 김태영 대한민국 서울특별시 서초구
8 김언정 대한민국 경기도 오산시 운암로 ,

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0674459-44
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0977388-57
8 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2015.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0977111-28
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0157624-87
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0864175-04
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0130630-41
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고체산화물 전해질층; 및상기 전해질층의 일면 또는 양면 상에 등각층(conformal layer)으로 형성되어 있으며, 평균 결정립 사이즈(crystal grain size)가 30nm 이하인 나노-그레인을 포함하는 절연층을 포함하는 고체산화물 전해질막
2 2
제1항에 있어서, 상기 고체산화물 전해질층이 산소이온 전도성 고체산화물, 수소이온 전도성 고체산화물, 및 산소이온 및 수소이온 혼합 전도성 고체산화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 고체산화물 전해질막
3 3
제2항에 있어서, 상기 산소이온 전도성 고체산화물이 이트륨 또는 스칸듐이 도핑된 지르코니아; 가돌리늄, 사마륨, 란타늄, 이테르븀 및 네오디뮴 중 1종 이상이 도핑된 세리아; 및 스트론튬 또는 마그네슘이 도핑된 란타늄 갈레이트(lanthanum gallate);로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 고체산화물 전해질막
4 4
제2항에 있어서, 상기 수소이온 전도성 고체산화물이 3가 원소가 도핑된 바륨 지르코네이트(barium zirconate), 바륨 세레이트(barium cerate), 스트론튬 세레이트(strontium cerate), 및 스트론튬 지르코네이트(strontium zirconate);로 이루어진 모 페로브스카이트(parent perovskite) 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 고체산화물 전해질막
5 5
제2항에 있어서, 상기 산소이온 및 수소이온 혼합 전도성 고체산화물이 3가 원소가 도핑된 BaZrO3, BaCeO3, SrZrO3, 또는 SrCeO3; 및 바나듐(vanadium), 니오븀(niobium), 탄탈륨(tantalum), 몰리브데늄(molybdenum) 및 텅스텐(tungsten) 중 1종 이상의 양이온 원소가 도핑된 Ba2In2O5;로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 고체산화물 전해질막
6 6
제1항에 있어서, 상기 절연층이 산소이온 전도성 고체산화물, 수소이온 전도성 고체산화물, 및 산소이온 및 수소이온 혼합 전도성 고체산화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 고체산화물 전해질막
7 7
제6항에 있어서, 상기 산소이온 전도성 고체산화물이 이트륨 또는 스칸듐이 도핑되거나 도핑되지 않은 지르코니아; 가돌리늄, 사마륨, 란타늄, 이테르븀 및 네오디뮴 중 1종 이상이 도핑되거나 도핑되지 않은 세리아; 및 스트론튬 또는 마그네슘이 도핑되거나 도핑되지 않은 란타늄 갈레이트(lanthanum gallate);로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 고체산화물 전해질막
8 8
제6항에 있어서, 상기 수소이온 전도성 고체산화물이 3가 원소가 도핑되거나 도핑되지 않은 바륨 지르코네이트(barium zirconate), 바륨 세레이트(barium cerate), 스트론튬 세레이트(strontium cerate), 및 스트론튬 지르코네이트(strontium zirconate);로 이루어진 모 페로브스카이트(parent perovskite) 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 고체산화물 전해질막
9 9
제6항에 있어서, 상기 산소이온 및 수소이온 혼합 전도성 고체산화물이 3가 원소가 도핑되거나 도핑되지 않은 BaZrO3, BaCeO3, SrZrO3, 또는 SrCeO3; 및 바나듐(vanadium), 니오븀(niobium), 탄탈륨(tantalum), 몰리브데늄(molybdenum) 및 텅스텐(tungsten) 중 1종 이상의 양이온 원소가 도핑되거나 도핑되지 않은 Ba2In2O5;로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 고체산화물 전해질막
10 10
제1항에 있어서, 상기 절연층이 산화알루미늄, 알루미노실리케이트, 및 산화티타늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 고체산화물 전해질막
11 11
고체산화물 전해질층 상에 등각층(conformal layer)으로 절연층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 절연층이 평균 결정립 사이즈(crystal grain size)가 30nm 이하인 나노-그레인을 포함하는 고체산화물 전해질막의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계가 화학기상증착법, 도금법, 분자빔에피택시법, 및 진공증착법으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 방법에 의해 실시되는 고체산화물 전해질막의 제조방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계가 화학기상증착법에 의해 실시되는 고체산화물 전해질막의 제조방법
14 14
제11항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계가 원자층증착법에 의해 실시되는 고체산화물 전해질막의 제조방법
15 15
제1항 내지 제10항중 어느 한 항에 따른 고체산화물 전해질막을 포함하는 연료전지
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20120094213 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012094213 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.