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채널이 형성되는 채널 영역을 포함하는 실리콘 기판;상기 실리콘 기판 내에 일정 깊이로 형성된 게이트 리세스(gate recess);상기 게이트 리세스 일측면에 인접하여 제1 도전형으로 도핑되어 형성된 소스;상기 게이트 리세스 타측면에 인접하여 제2 도전형으로 도핑되어 형성된 드레인; 및상기 리세스 내에 게이트 절연막을 개재하여 형성된 게이트(gate)를 포함하여 상기 소스와 상기 채널 영역의 접합부에 입사한 적외선을 검출하는 적외선 검출기로, 게이트에 인가된 바이어스를 조절하여 검출하고자 하는 적외선의 파장을 조절하는 적외선 검출기
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제1항에 있어서,상기 소스 및 상기 드레인은 각각 고농도로 도핑된 적외선 검출기
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제1항에 있어서,상기 게이트, 상기 소스 및 드레인의 측면부는 평면이고, 저면부는 곡면으로 형성된 적외선 검출기
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제1항에 있어서,상기 소스와 연결되어 상기 입사한 적외선에 의하여 형성된 전류를 검출하는 리드 아웃 회로를 더 포함하는 적외선 검출기
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제1항에 있어서,상기 게이트 리세스의 외주면은 소스 외주면 및 내주면을 실질적으로 넘지 않는 적외선 검출기
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실리콘 기판에 소정의 길이로 형성된 채널 영역;상기 채널 영역의 마주하는 두 면에 각각 절연막을 개재하여 형성된 게이트; 및상기 채널 영역의 다른 두 면에 각각 서로 반대 도전형으로 도핑되어 형성된 소스 및 드레인을 포함하며, 상기 채널 영역과 상기 소스의 접합면에 입사한 적외선을 검출하는 적외선 검출기로, 게이트에 인가하는 바이어스의 값을 조절하여 검출하고자 하는 적외선의 파장을 조절하는 적외선 검출기
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제6항에 있어서,상기 소스 및 상기 드레인은 각각 고농도로 도핑된 적외선 검출기
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제6항에 있어서,상기 게이트는 상기 채널 영역을 중심으로 서로 대향하도록 배치되며, 상기 소스와 드레인은 상기 채널 영역을 중심으로 서로 대향하도록 배치된 적외선 검출기
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제6항에 있어서,상기 소스와 연결되어 상기 입사한 적외선에 의하여 형성된 전류를 검출하는 리드 아웃 회로를 더 포함하는 적외선 검출기
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실리콘 기판;상기 실리콘 기판 상에 형성된 게이트;상기 게이트 상에 형성된 게이트 절연막; 및바디와, 상기 바디를 사이에 두고 일 영역과 타 영역이 배치된 실리콘 층을 포함하며, 상기 실리콘 층의 상기 일 영역과 상기 타 영역에는 상기 실리콘 층이 서로 다른 도전형으로 도핑되어 형성된 소스와 드레인이 형성되며,상기 바디에 입사한 적외선을 검출하는 적외선 검출기로, 게이트에 인가하는 바이어스의 값을 조절하여 검출하고자 하는 적외선의 파장을 조절하는 적외선 검출기
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제10항에 있어서,상기 소스와 상기 드레인은 상기 바디를 중심으로 서로 대향하도록 배치된 적외선 검출기
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제10항에 있어서,상기 소스와 상기 드레인은 각각 고농도로 도핑된 적외선 검출기
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제10항에 있어서,상기 소스와 연결되어 상기 입사한 적외선에 의하여 형성된 전류를 검출하는 리드 아웃 회로를 더 포함하는 적외선 검출기
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