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반도체 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015137597
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치의 제조 방법은 기판 상에 제1 마스크를 형성하고, 상기 제1 마스크를 이용하여 상기 기판을 제1 식각하여, 핀의 제1 측벽을 형성하고, 상기 기판 상에 상기 제1 마스크와 다른 제2 마스크를 형성하고, 상기 제2 마스크를 이용하여 상기 기판을 제2 식각하여, 상기 핀의 제2 측벽을 형성하는 것을 포함한다.
Int. CL H01L 21/336 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01)
출원번호/일자 1020120112505 (2012.10.10)
출원인 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1994079-0000 (2019.06.24)
공개번호/일자 10-2014-0046256 (2014.04.18) 문서열기
공고번호/일자 (20190930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.11)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 선민철 대한민국 서울 성북구
2 박병국 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0823382-58
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0340673-23
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0983458-10
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0092768-64
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0554125-63
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1019011-95
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-1019030-52
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0130242-19
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0295233-20
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.03.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0295234-76
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0307896-43
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
19 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5025432-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 제1 물질을 포함하는 제1 마스크를 형성하고,상기 제1 마스크를 이용하여 상기 기판을 제1 식각하여, 핀의 제1 측벽을 형성하고,상기 기판 상에 상기 제1 마스크와 다른 제2 마스크를 형성하고,상기 제2 마스크를 이용하여 상기 기판을 제2 식각하여, 상기 핀의 제2 측벽을 형성하는 것을 포함하고,상기 기판을 제1 식각하는 것은, 상기 기판 내에 트렌치를 형성하는 것을 포함하고,상기 제2 마스크는 상기 트렌치를 메우는 제1 부분과 상기 기판의 상면 위로 돌출된 제2 부분을 포함하고,상기 제2 마스크를 형성하는 것은, 상기 핀의 제1 측벽을 형성한 후, 상기 기판에 제1 마스크가 형성되어 있는 상태에서, 상기 트렌치를 메우고 상기 기판의 상면 위로 돌출되고 상기 제1 물질과 다른 제2 물질을 포함하는 제1 절연막을 형성하고,상기 제1 마스크를 제거하고,상기 기판의 상면 위로 돌출된 제1 절연막의 측벽에 상기 제2 물질을 포함하고 스페이서 형태의 제2 절연막을 형성하여, 제2 마스크를 완성하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 제2 부분의 폭은 상기 제1 부분의 폭보다 넓은 반도체 장치의 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제2 부분의 측벽은 스페이서 형상이고,상기 스페이서 형상의 폭은, 상기 핀의 폭과 동일한 반도체 장치의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서,상기 기판 상에 반도체층과 희생층을 교대로 반복하여 적층된 구조체를 형성하는 것을 더 포함하고,상기 기판 상에 제1 마스크를 형성하는 것은, 상기 구조체 상에 제1 마스크를 형성하는 것을 포함하고,상기 기판을 제1 식각하는 것은, 상기 구조체를 제1 식각하여 상기 핀의 제1 측벽을 형성하는 것을 포함하고, 상기 기판 상에 제2 마스크를 형성하는 것은, 상기 구조체 상에 제2 마스크를 형성하는 것을 포함하고,상기 기판을 제2 식각하는 것은, 상기 구조체를 제2 식각하여 상기 핀의 제2 측벽을 형성하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 핀의 제2 측벽을 형성한 후, 상기 구조체의 희생층을 제거하여 서로 이격되어 적층된 다수의 반도체층을 남기는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 서로 이격되어 적층된 다수의 반도체층을 남긴 후에, 상기 제2 마스크를 제거하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
9 9
제 6항에 있어서,상기 반도체층은 Si이고, 상기 희생층은 SiGe인 반도체 장치의 제조 방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 제1 물질은 질화막이고, 상기 제2 물질은 산화막인 반도체 장치의 제조 방법
11 11
기판 상에 반도체층과 희생층을 교대로 반복하여 적층된 구조체를 형성하고, 상기 구조체 상에 제1 방향으로 연장되는 제1 마스크를 형성하고,상기 제1 마스크를 이용하여 상기 구조체를 제1 식각하여, 상기 제1 방향으로 연장되는 핀의 제1 측벽을 형성하고, 상기 구조체 상에 상기 제1 마스크와 다르고 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 마스크를 형성하고,상기 제2 마스크를 이용하여 상기 구조체를 제2 식각하여, 상기 제1 방향으로 연장되는 상기 핀의 제2 측벽을 형성하고,상기 구조체의 희생층을 제거하여, 서로 이격되어 적층된 다수의 반도체층을 남기고, 상기 남겨진 다수의 반도체층은 상기 제1 방향으로 연장되는 상기 제2 마스크에 의해 지지되고,상기 제2 마스크를 제거하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 구조체를 제1 식각하는 것은, 상기 구조체 내에 트렌치를 형성하는 것을 포함하고,상기 제2 마스크는 상기 트렌치를 메우는 제1 부분과 상기 기판의 상면 위로 돌출된 제2 부분을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
13 13
제 12항에 있어서,상기 제2 부분의 폭은 상기 제1 부분의 폭보다 넓은 반도체 장치의 제조 방법
14 14
제 12항에 있어서, 상기 제2 부분의 측벽은 스페이서 형상이고,상기 스페이서 형상의 폭은, 상기 핀의 폭과 동일한 반도체 장치의 제조 방법
15 15
제 11항에 있어서,상기 반도체층은 Si이고, 상기 희생층은 SiGe인 반도체 장치의 제조 방법
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
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20 20
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1 US09343549 US 미국 FAMILY
2 US09634093 US 미국 FAMILY
3 US20140099793 US 미국 FAMILY
4 US20160254349 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014099793 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2016254349 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US9343549 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9634093 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 교육과학기술부 (재)스마트 IT 융합 시스템 연구단 글로벌프론티어사업(다차원 스마트 IT융합 시스템 연구) 나노혁신소자기술개발