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사진식각공정을 이용하여 실리콘 기판에 형성되며, 측벽에 적어도 하나의 홈 구조와 내부에 적어도 하나의 실리콘 기둥 형태의 전류프로브를 구비한 공동 구조; 및
상기 공동 구조에 장착되는 패키지 기판;을
포함하는 것을 특징으로 하는 미세가공 공동 공진기
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제 1 항에 있어서,
상기 홈구조는 외부 회로와 상기 전류 프로브의 연결 시에 간섭 효과를 제거해 주기 위해 적어도 하나 제공되며, 상기 전류 프로브는 적어도 하나의 기둥 또는 월 형태로 제공되는 것을 특징으로 하는 미세가공 공동 공진기
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제 2 항에 있어서,
상기 전류 프로브와 상기 홈 구조를 포함하는 상기 공동 구조의 내면은 금속 도금되는 것을 특징으로 하는 미세가공 공동 공진기
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제 3 항에 있어서,
상기 공동 구조와 상기 외부 회로 사이의 입출력 포트로 동작하는 박막 마이크로스트립 또는 CPW을 더 포함하는 것을 특징으로 미세가공 공동 공진기
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제 2 항에 있어서,
상기 공동 구조는 사각형 구조 또는 원통형 구조인 것을 특징으로 하는 미세가공 공동 공진기
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제 2 항에 있어서,
상기 가공 공정은 실리콘 기판, GaAs 기판 또는 글래스 기판의 식각 공정인 것을 특징으로 하는 미세가공 공동 공진기
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제 2 항에 있어서,
상기 공동 구조는 상기 패키지 기판 상에 플립칩 본딩, 메탈 본딩 또는 에폭시 본딩을 통해 집적되는 것을 특징으로 하는 미세가공 공동 공진기
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 미세가공 공동 공진기를 적어도 하나 포함하도록 집적화된 미세가공 공동 공진기의 결합체로 구성되는 것을 특징으로 하는 대역통과 필터
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9
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 미세가공 공동 공진기;
이득 블록; 및
방향성 결합기를 포함하도록 구성되며,
상기 미세가공 공동 공진기가 병렬 피드백 소자로 이용되는 것을 특징으로 하는 발진기
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10
실리콘 기판에 산화막을 패턴 형성하는 단계;
상기 산화막을 마스크로 이용하여 상기 실리콘 기판을 식각하여 공동 구조를 형성하는 단계;
상기 식각된 실리콘 기판 표면을 금속 도금하는 단계; 및
상기 금속 도금된 공동 구조를 패키지 기판에 장착하는 단계;를 포함하고,
상기 실리콘 기판을 식각하여 공동 구조를 형성하는 단계는 측벽에 적어도 하나의 홈 구조를 가지며 공동 내부에 적어도 하나의 실리콘 기둥 전류 프로브를 구비하도록 상기 공동 구조를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 미세가공 공동 공진기 제조 방법
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11
삭제
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제 10 항에 있어서,
상기 공동 구조를 상기 패키지 기판에 장착하는 단계는 상기 공동 구조와 상기 패키지 기판의 플립칩 본딩 단계인 것을 특징으로 하는 미세가공 공동 공진기 제조 방법
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제 12 항에 있어서,
상기 식각은 깊은 RIE 공정 또는 습식 식각 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 미세가공 공동 공진기 제조 방법
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제 10 항에 있어서,
상기 산화막은 2㎛의 두께로 증착되며, 상기 실리콘 기판의 식각은 230㎛ 깊이까지 보쉬 공정을 통한 깊은 RIE 공정으로 건식 식각되며, 상기 금속 도금은 Ti/Au 씨드 금속을 스퍼터링하고 5㎛ 두께로 Au를 전기 도금하는 공정으로 수행되며, 상기 금속 도금된 공동 구조를 패키지 기판에 장착하는 단계는 Au/Sn 플립칩 범프를 이용하는 플립칩 본딩 단계인 것을 특징으로 하는 미세가공 공동 공진기 제조 방법
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제 10 항 및 제12항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 미세가공 공동 공진기를 집적화하여 형성되는 것을 특징으로 대역통과 필터
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제 10 항 및 제12항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 미세가공 공동 공진기를 피드백 소자로 이용하는 것을 특징으로 하는 발진기
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