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금속 리프트 오프 공정을 이용한 다중 게이트 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015161047
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 새로운 형태의 금속 리프트 오프 방법을 제시하고, 이를 다중게이트를 사용하는 MESFET이나 HEMT소자 제조방법에 적용하여 게이트 간의 거리를 줄일 수 있는 반도체 제조방법을 제시한다. 본 발명에 의한 금속 리프트 오프 방법은 기판 상에 폴리머층을 형성하고 패터닝하는 단계, 노출된 상기 기판을 등방성 식각공정으로 식각하는 단계, 상기 기판 상에 금속층을 형성하는 단계 및 상기 폴리머층 및 상기 폴리머층 위에 형성된 상기 금속층을 제거하는 단계를 포함한다.리프트 오프, 다중 게이트, HEMT, MESFET, 고주파 스위치
Int. CL H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/302 (2006.01)
CPC H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01)
출원번호/일자 1020070009755 (2007.01.31)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0856667-0000 (2008.08.29)
공개번호/일자 10-2008-0071653 (2008.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20080905) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.31)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장경철 대한민국 서울 관악구
2 서광석 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0093293-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.08 수리 (Accepted) 9-1-2007-0064595-19
4 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0005103-45
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0042921-24
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0226486-88
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0226559-12
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0295183-02
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 오버행이 발생되지 않는 두께의 폴리머층을 형성하고 다중 게이트 패턴으로 패터닝하는 단계;노출된 상기 기판을 등방성 식각공정으로 식각하는 단계;상기 기판 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 폴리머층 및 상기 폴리머층 위에 형성된 상기 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 다중 게이트 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 폴리머층의 두께는 100nm ~ 500nm인 다중 게이트 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 폴리머는 포토레지스트이고, 상기 폴리머층을 형성하고 다중 게이트 패턴으로 패터닝하는 단계에서 상기 폴리머층을 패터닝하는 공정은 포토리소그라피 또는 전자 빔 리소그라피 방법으로 수행되는 다중 게이트 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 폴리머는 열경화성 폴리머이고, 상기 폴리머층을 형성하고 다중 게이트 패턴으로 패터닝하는 단계에서 상기 폴리머층을 패터닝하는 공정은 임프린팅을 통한 식각공정으로 수행되는 다중 게이트 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 금속층은 기판 상의 금속과 폴리머층 상의 금속이 서로 연결되지 않고 독립 증착되는 것을 특징으로 하는 다중 게이트 형성 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 폴리머층 및 상기 폴리머층 위에 형성된 상기 금속층을 제거하는 단계는 폴리머층의 습식식각 공정에 의해 수행되는 다중 게이트 형성 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 다중 게이트 패턴의 간격은 0
8 8
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.