맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

게이트 리세스 및 게이트 형성방법

  • 기술번호 : KST2015159955
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 2층의 레지스트를 사용하여 T-게이트와 게이트 리세스를 형성하는 방법에 대한 것이다. 특히, 본 발명에 따른 T-게이트 및 게이트 리세스 형성방법은 간단히 비대칭 T-게이트(감마 게이트)를 형성하는 동시에 비대칭 게이트 리세스를 형성할 수 있다. 2층의 레지스트는 기판상의 제1레지스트와 그 제1레지스트상의 제2레지스트로 형성되며, 특히 제2레지스트로서 화학 증폭형 레지스트(chemically amplified resist)를 사용함으로써 본 발명의 목적을 달성할 수 있다. 화학 증폭형 레지스트, T-게이트, 고전자이동도 트렌지스터, 비대칭형 게이트 리세스
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66621(2013.01) H01L 29/66621(2013.01) H01L 29/66621(2013.01)
출원번호/일자 1020080015082 (2008.02.20)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0969494-0000 (2010.07.05)
공개번호/일자 10-2009-0089923 (2009.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20100713) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.20)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서광석 대한민국 서울 강남구
2 김성원 대한민국 서울 관악구
3 고유민 대한민국 대구 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인세하 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0124162-31
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0056149-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0437452-11
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0773777-89
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0773791-18
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0777174-51
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0174414-17
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0172028-96
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0276648-42
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0276652-25
12 등록결정서
Decision to grant		 2010.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0272537-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 제1레지스트층을 형성하는 제1단계; 상기 제1레지스트층에 게이트 풋의 패턴을 형성하는 제2단계; 상기 제1레지스트층 상에 제2레지스트층을 형성하는 제3단계; 상기 제2레지스트층에 게이트 헤드의 패턴을 형성하는 제4단계; 및 상기 기판을 식각하는 제5단계를 포함하고, 상기 게이트 풋의 패턴은 상기 게이트 헤드의 패턴에서 소스 쪽으로 치우쳐져 감마 게이트 패턴을 형성하는 게이트 리세스 형성방법
2 2
기판 상에 제1레지스트층을 형성하는 제1단계; 상기 제1레지스트층 상에 제2레지스트층을 형성하는 제2단계; 상기 제2레지스트층에 게이트 헤드의 패턴을 형성하는 제3단계; 상기 제1레지스트층에 게이트 풋의 패턴을 형성하는 제4단계; 및 상기 기판을 식각하는 제5단계를 포함하고, 상기 게이트 풋의 패턴은 상기 게이트 헤드의 패턴에서 소스 쪽으로 치우쳐져 감마 게이트 패턴을 형성하는 게이트 리세스 형성방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제2레지스트는 통상의 레지스트이고, 상기 제4단계는, 상기 제2레지스트층에 게이트 헤드의 패턴을 위해 전자빔을 조사한 후 베이크(bake)하는 제4-1단계; 및 상기 제2레지스트층을 현상하는 제4-2단계 를 포함하는 게이트 리세스 형성방법
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 제2레지스트는 통상의 레지스트이고, 상기 제3단계는, 상기 제2레지스트층에 게이트 헤드의 패턴을 위해 전자빔을 조사한 후 베이크(bake)하는 제3-1단계; 및 상기 제2레지스트층을 현상하는 제3-2단계 를 포함하는 게이트 리세스 형성방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제2레지스트는 화학증폭형 레지스트이고, 상기 제4단계는, 상기 제2레지스트층에 게이트 헤드의 패턴을 위해 전자빔을 조사한 후 베이크(bake)하는 제4-1단계; 및 상기 제2레지스트층을 현상하는 제4-2단계 를 포함하는 게이트 리세스 형성방법
7 7
제 2 항에 있어서, 상기 제2레지스트는 화학증폭형 레지스트이고, 상기 제3단계는, 상기 제2레지스트층에 게이트 헤드의 패턴을 위해 전자빔을 조사한 후 베이크(bake)하는 제3-1단계; 및 상기 제2레지스트층을 현상하는 제3-2단계 를 포함하는 게이트 리세스 형성방법
8 8
제 1 항 또는 제 2 항에 의해 게이트 리세스를 형성한 후, 금속층을 증착하여 게이트를 형성하는 게이트 리세스 및 게이트 형성방법
9 9
제 1 항 또는 제 2 항에 의해 게이트 리세스를 형성한 후, 금속층을 증착하여 감마 게이트를 형성하는 게이트 리세스 및 게이트 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.