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플라즈모닉 소자

  • 기술번호 : KST2015137404
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈모닉 소자에 관한 것으로서, 특히, 플라즈모닉 소자에서 발생되는 열 손실을 줄이며, 파노 공명에 의한 비대칭적 주파수 응답을 구현할 수 있는 플라즈모닉 소자에 관한 것이다.본 발명은, 금속재질을 포함하여 이루어지는 본체와, 본체를 관통하고 본체를 통과하는 빛이 흐르는 도파로와, 도파로로부터 분기되는 스터브와, 도파로와 스터브 사이의 연결부위에 발생되는 파노 공명의 주파수 응답에서 비대칭성을 조절하는 간섭부를 포함하는 플라즈모닉 소자를 제공한다.
Int. CL G02B 6/122 (2006.01.01) G02B 6/42 (2006.01.01) G02B 5/00 (2006.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01)
CPC G02B 6/1226(2013.01) G02B 6/1226(2013.01) G02B 6/1226(2013.01) G02B 6/1226(2013.01)
출원번호/일자 1020110062171 (2011.06.27)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1167638-0000 (2012.07.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120720) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박남규 대한민국 서울특별시 용산구
2 박현희 중국 서울특별시 관악구
3 유선규 대한민국 서울특별시 관악구
4 구석모 대한민국 경기도 고양시 덕양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0486779-74
2 보정요구서
Request for Amendment
2011.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0059294-21
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0592336-71
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0592247-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0031223-51
8 등록결정서
Decision to grant
2012.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0350315-95
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속재질을 포함하여 이루어지는 본체;상기 본체를 관통하고 상기 본체를 통과하는 빛이 흐르는 도파로;상기 도파로로부터 분기되는 스터브; 및상기 도파로와 상기 스터브 사이의 연결부위에 발생되는 파노 공명의 주파수 응답에서 비대칭성을 조절하는 간섭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 도파로 및 상기 스터브는 유전체 재질을 포함하여 이루어지고, 상기 간섭부는 상기 도파로 및 상기 스터브와 비교하여 서로 다른 굴절율을 이루는 유전체 재질을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 간섭부는 금속 표면에 나노 공정이 가능한 유전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 간섭부는, 상기 스터브의 단면적이 변형되어 이루어지는 경사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
5 5
제4항에 있어서,상기 경사부는, 상기 도파로에 연결되는 상기 스터브의 단면적이 다른 부위와 비교하여 넓게 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
6 6
제4항에 있어서,상기 경사부는, 상기 도파로에 연결되는 상기 스터브의 단면적이 다른 부위와 비교하여 좁게 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 간섭부는,상기 도파로와 상기 스터브의 연결부위에 삽입되는 전기적 능동물질; 및상기 전기적 능동물질에 전원을 공급하는 전원공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
8 8
제7항에 있어서,상기 전기적 능동물질은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 및 비화갈륨(GaAs) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
9 9
제1항에 있어서, 상기 간섭부는,상기 도파로와 상기 스터브의 연결부위에 삽입되는 광학적 능동물질; 및상기 광학적 능동물질에 빛을 조사하는 광원부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
10 10
제9항에 있어서,상기 광학적 능동물질은 칼코겐의 이원화합물(Chalcogenide glass), 비화칼륨(GaAs) 및 알루미늄 비화갈륨(ALGaAs) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 글로벌연구실사업 초고속 정보처리를 위한 나노-플라즈모닉 집적회로 연구