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(a) 상부에 중간층이 형성된 기판을 준비하는 단계;(b) 중간층 상에 그래핀층을 형성하는 단계;(c) 그래핀층 상에 이중블록공중합체(diblock copolymer)층을 형성하는 단계;(d) 이중블록공중합체층에 나노로드 패턴을 형성하는 단계;(e) 나노로드 패턴 내에 산화 금속 나노로드를 형성하는 단계;(f) 이중블록공중합체층을 제거하는 단계;(f') 산화 금속 나노로드를 소수성 처리하는 단계;(f") 상부에 산화 금속 나노로드가 형성된 그래핀층 상에 그래핀층이 분해되지 않도록 지지하는 지지층을 형성하는 단계;(g) 중간층을 식각함으로써 상부에 산화 금속 나노로드가 형성된 그래핀층을 기판과 분리하는 단계; 및(h) 그래핀층의 하부를 소정의 물질 표면에 부착하는 단계 를 포함하는, 나노로드 전사방법
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제1항에 있어서,그래핀층은 산화 그래핀(graphene oxide) 또는 환원된 산화 그래핀(reduced graphene oxide)을 포함하는, 나노로드 전사방법
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제1항에 있어서,이중블록공중합체층은 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트(PS-PMMA) 이중블록공중합체를 포함하는, 나노로드 전사방법
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제1항에 있어서,산화 금속 나노로드는 이산화 타이타늄(TiO2) 나노로드, 산화 아연(ZnO) 나노로드, 또는 산화철(FexOy) 나노로드 중 어느 하나인, 나노로드 전사방법
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제1항에 있어서,(d) 단계는,(d1) 이중블록공중합체층을 열처리하여 제1 블록과 제2 블록으로 상분리(phase separation)하는 단계; 및(d2) UV를 가하여 이중블록공중합체의 제2 블록을 제거함에 따라 나노로드 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는, 나노로드 전사방법
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제1항에 있어서,(e) 단계는,(e1) 나노로드 패턴이 형성된 이중블록공중합체층을 산화 금속 포함 용액에 침지하는 단계; 및(e2) 나노로드 패턴 내에 산화 금속 나노로드를 형성하는 단계를 포함하는, 나노로드 전사방법
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제6항에 있어서,산화 금속 포함 용액은 TTIP[Ti(OCH(CH3)2)4] 아이소프로판올(titanium isopropoxide isopropanol) 용액, Zn(NO3)2 아이소프로판올 용액, 또는 Fe(NO3)3 (질산철) 아이소프로판올 용액 중 어느 하나인, 나노로드 전사방법
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8
제1항에 있어서,(d) 단계와 (e) 단계 사이에,(d') 나노로드 패턴이 형성된 이중블록공중합체층의 표면을 친수성으로 개질하는 단계를 더 포함하는, 나노로드 전사방법
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9
제8항에 있어서,이중블록공중합체층의 표면을 산화 플라즈마 처리하여 친수성으로 개질하는, 나노로드 전사방법
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제1항에 있어서,(f) 단계는, 이중블록공중합체층을 하소(calcination)함에 따라 제거하는, 나노로드 전사방법
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제1항에 있어서,(f') 단계는,(f'1) 산화 금속 나노로드를 OTS 톨루엔(octadecyltrichlorosilane toluene) 용액에 침지한 후 건조하는 단계; 및(f'2) 산화 금속 나노로드를 가열하는 단계를 포함하는, 나노로드 전사방법
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제1항에 있어서,중간층은 산화규소(silicon oxide)를 포함하는, 나노로드 전사방법
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제1항에 있어서,지지층은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)를 포함하는, 나노로드 전사방법
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제14항에 있어서,(i) 지지층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 나노로드 전사방법
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제1항에 있어서,(b) 단계와 (c) 단계 사이에, (b') 가교 가능한 랜덤공중합체를 이용하여 그래핀층 표면을 개질하는 단계를 더 포함하고,가교 가능한 랜덤공중합체는, 폴리(스티렌-메틸메타크릴레이트-바이닐벤조사이클로뷰틴)[Poly[styrene-ran-(methyl methacrylate)-ran-(vinyl benzocyclobutene)], P(S-r-MMA-VBC)], 또는 폴리(스티렌-메틸메타크릴레이트-글라이시딜메타크릴레이트)[Poly[styrene-ran-(methyl methacrylate)-ran-(glycidyl methacrylate)], P(S-r-MMA-GMA)] 인, 나노로드 전사방법
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