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아연주석산화물 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015139049
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 아연 및 주석 전구체를 사용하여 화학 기상 증착법(chemcal vapor deposition, CVD) 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)으로 아연주석 산화물 박막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 TFT(thin film transistors) 소자 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 아연주석 산화물 박막의 제조방법은 주석과 아연의 조성제어가 가능하며, 낮은 온도에서 공정이 가능하며, 삼차원 구조의 기재 상에서도 두께가 균일한 박막을 제조할 수 있고 제조된 주석 산화물은 높은 전계 효과 이동도(field effect mobility)를 가지고 있어 TFTs의 채널재료로 적용할 수 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020120013032 (2012.02.08)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1344856-0000 (2013.12.18)
공개번호/일자 10-2013-0091615 (2013.08.19) 문서열기
공고번호/일자 (20131226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이선숙 대한민국 대전 중구
2 이병국 대한민국 대전 유성구
3 정택모 대한민국 대전 유성구
4 김창균 대한민국 대전 유성구
5 안기석 대한민국 대전 유성구
6 이영국 대한민국 대전 유성구
7 정석종 대한민국 대전 유성구
8 박보근 대한민국 강원 원주시 남원로***번길 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0104165-37
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0418696-71
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0736593-01
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0736589-17
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0824955-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
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번호 청구항
1 1
기재 상에 아연주석 산화물 박막을 제조하는 방법에 있어서,증착 반응기에 기질을 도입하는 단계; 및하기 화학식 1로 표시되는 주석 원, 산소 원 및 아연 원을 동시에 공급하는 화학 기상 증착법(CVD) 또는 하기 화학식 1로 표시되는 주석 원, 산소 원 및 아연 원을 교대로 공급하는 원자층 증착법(ALD)으로 공급하여 아연주석 산화물 박막을 제조하는 단계;를 포함하고, 상기 원자층 증착법은 a) 하기 화학식 1의 주석 원을 20℃ 내지 60℃의 온도 범위로 증착 반응기 내부로 공급하여 기재 상에 흡착시키는 단계;b) 산소 원을 공급하여 a)단계의 주석 원이 흡착된 기재 상에 산소 원을 흡착시켜 산화 반응하는 단계;c) 아연 원을 상기 기재 상에 흡착시키는 단계; 및d) 산소 원을 공급하여 c)단계의 아연 원이 흡착된 기재 상에 산소 원을 흡착시켜 산화 반응하는 단계;를 포함하고, 상기 a) 내지 d) 단계에서 기재는 80℃ 내지 400℃의 온도로 유지되는 것인 아연주석 산화물 박막의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서,a)단계 및 b)단계 사이에 반응하지 않은 주석 원과 반응 부산물을 증착 반응기로부터 제거하는 제 1 정화 단계를 더 포함하고;b)단계 및 c)단계 사이에 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 증착 반응기로부터 제거하는 제 2 정화 단계를 더 포함하고;c)단계 및 d)단계 사이에 반응하지 않은 아연 원과 반응 부산물을 증착 반응기로부터 제거하는 제 3 정화 단계를 더 포함하고;d)단계 후 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 증착 반응기로부터 제거하는 제 4 정화 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아연주석 산화물 박막의 제조 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 화학 기상 증착법 또는 원자층 증착법에 의한 아연주석 산화물 박막은 비정질인 것을 특징으로 하는 아연주석 산화물 박막의 제조 방법
8 8
제 1항, 제 6항 및 제 7항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 제조 방법으로 아연주석 산화물 박막을 기재 상에 형성하는 단계; 및상기 아연주석 산화물 박막 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 트랜지스터 소자의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 기재는 실리콘 산화물(SiO2), 유리 (glass), 알루미늄 산화물 (Al2O3) 및 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리염화비닐 및 폴리우레탄을 포함하는 유기고분자로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 소자의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 기재는 표면에 백금(Pt), 알루미늄 (Al), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 이산화루테늄(RuO2) 또는 인듐 틴 산화물(ITO)으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 전극층이 형성된 것을 특징으로 하는 트랜지스터 소자의 제조방법
11 11
삭제
12 12
제 8항의 제조방법에 의해 제조된 트랜지스터 소자
13 13
제 12항에 있어서,상기 트랜지스터 소자는 3 내지 43 ㎠/Vs의 전계 효과 이동도(field effect mobility)를 갖는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 소자
14 14
제 12항의 트랜지스터 소자를 포함한 전자 장치
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1 WO2013118937 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2013118937 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 정보전자 산업용 전구체 개발
2 교육과학기술부 한국화학연구원 미래기반기술개발사업 CVD/ALD 공정에 적합한 목적지향형 분자 전구체 설계 및 합성