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a)원자층 증착 반응기에 기판을 도입하는 단계;b)상기 기판 상에 알루미늄 원, 지르코늄 원 또는 하프늄 원에서 선택되는 금속 원 및 산소 원을 교대로 공급하여 제1 고유전막을 형성하는 단계;c)상기 제1 고유전막 상에 니켈 원 및 산소 원을 교대로 공급하여 니켈산화막을 형성하는 단계; 및d)상기 니켈산화막 상에 알루미늄 원, 지르코늄 원 또는 하프늄 원에서 선택되는 금속 원 및 산소 원을 교대로 공급하여 제2 고유전막을 형성하는 단계;를 포함하는 비휘발성 부유게이트 메모리 소자용 나노적층체의 제조방법
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제 1 항에서, 상기 제1 고유전막 및 제2 고유전막은 알루미늄산화막인 것을 특징으로 하는 비휘발성 부유게이트 메모리 소자용 나노적층체의 제조방법
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제 1 항에서, 상기 니켈산화막의 니켈원으로 하기 화학식 1의 아미노알콕사이드를 사용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 부유게이트 메모리 소자용 나노적층체의 제조방법
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제 3 항에서, 화학식 1에서 m이 1 또는 2임을 특징으로 하는 비휘발성 부유게이트 메모리 소자용 나노적층체의 제조방법
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제 1 항에서, 니켈 원으로 염화니켈 (NiCl2), Ni(acac)2 (acac = 아세틸아세토네이토), Ni(tmhd)2 (tmhd = 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이토), Ni(dmg)2 (dmg = 디메틸글리옥시메이토), Ni(apo)2 (apo = 2-아미노-펜트-2-엔-4-오네이토) 중에서 한 화합물을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 부유게이트 메모리 소자용 나노적층체의 제조방법
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제 1 항에서, 산소 원으로 물, 산소, 오존, 또는 산소 플라스마를 사용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 부유게이트 메모리 소자용 나노적층체의 제조방법
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7
제 1 항에서, 기판의 온도를 90 내지 200℃ 범위에서 유지하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 부유게이트 메모리 소자용 나노적층체의 제조방법
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8
제 1 항에서,상기 d)단계 후 기판을 400 내지 1000℃로 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 부유게이트 메모리 소자용 나노적층체의 제조방법
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반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 원자층 증착법으로 형성된 제1 고유전막;상기 제1 고유전막 상에 원자층 증착법으로 형성된 니켈산화막; 상기 니켈산화막 상에 원자층 증착법으로 형성된 제2 고유전막; 및상기 제2 고유전막 상에 형성되는 전극;을 포함하는 비휘발성 부유 게이트 메모리 소자
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제 9 항에서,상기 제1 고유전막 및 제2 고유전막은 알루미늄 산화막, 지르코늄 산화막 또는 하프늄산화막 중에서 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 부유 게이트 메모리 소자
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11
제 10 항에서,상기 제1 고유전막 및 제 2고유전막은 알루미늄 산화막인 것을 특징으로 하는 비휘발성 부유 게이트 메모리 소자
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제 9 항에서, 전극으로 폴리 실리콘(Si), 알루미늄 (Al), 백금(Pt), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 니켈 실리사이드(Ni2Si), 인듐 틴 산화물(indium tin oxide), 또는 산화루테늄(RuO2) 중에서 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 부유 게이트 메모리 소자
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